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[发明专利]碳化硅晶须改性氮化硼复合材料及其制备方法和应用、氮化硼复合体及其制备方法-CN202210496933.9有效
发明人：莫培程;陈家荣;陈超;胡乔帆;林峰 -专利权人：中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C04B35/81 文献下载
摘要：本发明属于超硬复合技术领域，具体涉及一种碳化硅晶须改性氮化硼复合材料及其制备方法和应用、氮化硼复合体及其制备方法。本发明提供了一种碳化硅晶须改性氮化硼复合材料的制备方法，包括以下步骤：将氮化硼水分散液、第一醇类溶剂、含有硅源的醇溶液和pH值调节剂第一混合，进行水解反应，得到二氧化硅包裹的氮化硼；将所述二氧化硅包裹的氮化硼和碳源第二混合，煅烧，得到所述碳化硅晶须改性氮化硼复合材料。本发明通过原位生长的方式在氮化硼表面生长得到碳化硅晶须，得到的碳化硅晶须和氮化硼具有很好的结合性和分散性。
碳化硅改性氮化复合材料及其制备方法应用复合体

[发明专利]微晶玻璃、微晶玻璃制品及其制造方法-CN202210722730.7有效
发明人：原保平;李赛;于天来;莫大洪;粟勇;张英 -专利权人：成都光明光电股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优异的机械性能和较低雾度的微晶玻璃和微晶玻璃制品。微晶玻璃制品，其组分按重量百分比表示，含有：SiO2：60～80％；Al2O3晶玻璃或微晶玻璃制品具有优异的机械性能，以及较低的雾度，适用于光学性能要求较高的显示设备或电子设备中。
玻璃玻璃制品及其制造方法

[发明专利]改善单晶硅棒扭曲变形的设备调试方法-CN202310559541.7有效
发明人：陈伟;李林东;周嘉菊;张鹏;陈志军;吴超慧;丁云飞;高岩 -专利权人：苏州晨晖智能设备有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：方法包括：检查和调整晶转和埚转；如果晶棒扭转改善不到预期效果，则检查系统中的液口距；在液口距合适的情况下，当V实≤V目base:Sub>目；当V实＞V目‑V浮时，如果实际晶升＞设定晶升，则降低实际晶升；在液口距超过合适范围的情况下，则间隙地降低目标液口距。
改善单晶硅扭曲变形设备调试方法

[发明专利]一种用于镁热法制海绵钛蒸馏工艺的终点判断装置与方法-CN202210110079.8有效
发明人：孙坤;赵耀;来永斌;汪森辉;王龙;张世伟 -专利权人：安徽理工大学
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： F27D21/00 文献下载
摘要：所述壳体通过连接法兰安装于镁热法制海绵钛设备蒸馏炉与冷凝炉之间蒸汽管路管壁上或冷凝炉外壁上，所述连接法兰与壳体间设有阀门，所述阀门用于控制壳体内腔与蒸汽管路的连通或隔离，所述壳体内腔中设有连接测量仪表的测量探头，所述测量探头上装有石英晶振片，所述测量仪表用于测量石英晶振片的共振频率/共振频率时间变化率/石英晶振片沉积膜厚度。本发明通过捕获管路中镁和氯化镁杂质蒸气并使其冷凝在测量探头的石英晶振片上，测量石英晶振片频率或杂质沉积量的变化直接表征管路中镁和氯化镁杂质的含量，来反映蒸馏工艺阶段的进展程度，从而实现终点判断。
一种用于法制海绵蒸馏工艺终点判断装置方法

[发明专利]晶圆扩散用的碳化硅陶瓷晶舟开齿设备-CN202310266268.9有效
发明人：王建忠;刘钊 -专利权人：西安中威新材料有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆扩散用的碳化硅陶瓷晶舟开齿设备，包括：两个互相连接的主板；对称设置的两个限位组件；每个限位组件包括：固定板，固定设置在主板的外侧；横向推板组件驱动推板横向移动；升降组件，架设在主板的内侧两个滑套的一端通过伸缩杆连接；固定板上的滑套的一侧面与移动块转动连接；调节齿轮，与固定板上的滑套固定连接；固定齿条，竖向固定架设在升降组件下端的一侧；金刚石切割移动台，架设在两个固定板的滑套之间，在碳化硅陶瓷晶舟的切割空间移动该装置能够自动固定且限位于晶舟的待切割部分，无需人工拆卸定位，以及重复固定晶舟和该装置的位置。
扩散碳化硅陶瓷晶舟开齿设备

[发明专利]偏光片及其制备方法、显示面板-CN202310394344.4有效
发明人：尹红山 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本申请公开了偏光片，偏光片包括偏光功能层和设置在偏光功能层内的晶须。本申请实施例还提供了偏光片的制备方法，以及包括偏光片的显示面板。由于制备过程中，对包含晶须的偏光基层进行拉伸，在使得偏光基层具有偏光效果的同时，让晶须由无序排布变为有序排布。这样形成的偏光片，其包括的晶须长轴的延伸方向与偏光功能层吸收轴的夹角在‑5度到5度之间。晶须在偏光片中这样的排布，会使经过偏光片的光线向垂直于吸收轴的方向发生米氏散射。
偏光及其制备方法显示面板

[发明专利]一种辊压单元、划槽晶圆分离装置及划槽晶圆分离方法-CN202011159426.3有效
发明人：陶利权;刘盈楹;宋文超;贾祥晨;谢坤宪;马雪婷;孙元章;李国森 -专利权人：北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所）
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种辊压单元，涉及划槽晶圆分离技术领域。本发明的辊压单元，能够通过调紧机构改变顶推机构的弹力，进而调整压辊对划槽晶圆的碾压作用力，防止由于作用力太小而出现粘连，或者由于作用力过大而出现崩边的情况，提高晶圆产品生产效率低而降低产品破损率。在此基础上，本发明还提供了一种划槽晶圆分离装置及划槽晶圆分离方法。
一种单元划槽晶圆分离装置方法

[发明专利]一种去胶设备-CN202310502331.4有效
发明人：戴建波;孙文彬;娄俊飞 -专利权人：无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：其中去胶设备的晶圆腔用于存放至少一个晶圆；传输腔中设置有机械手臂，机械手臂用于传输晶圆；至少一个工艺腔内设置有加热盘，加热盘可承载机械手臂传输的晶圆，以使工艺腔对晶圆进行去胶工艺处理；探针本体包括用于测量去胶工艺处理过程中加热盘的温度的探针和与探针连接的连接座部
一种设备

[发明专利]半导体硅晶圆检测方法、装置、计算机设备及介质-CN202310707502.7有效
发明人：何良雨;王戬鑫;刘彤;张文刚;梅能华 -专利权人：锋睿领创（珠海）科技有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明涉及人工智能技术领域，尤其涉及一种半导体硅晶圆检测方法、装置、计算机设备及介质。该方法从待检测晶圆的芯片图像中随机选择目标图像、第一参考图像和第二参考图像，对第一降噪卷积层和第二降噪卷积层进行训练，以得到训练好的第一降噪卷积层和训练好的第二降噪卷积层对目标图像处理，得到降噪图像，将目标图像和降噪图像相减，得到噪声图像，对目标图像进行边缘检测，得到边缘检测图像，将目标图像、噪声图像和边缘检测图像输入晶圆缺陷检测模型，输出目标图像对应的晶圆缺陷检测结果，以参考图像作为标签图像，通过颜色域转换避免降噪卷积层学习到恒等映射，提高噪声图像预测的准确率，进而提高了晶圆缺陷检测的准确率。
半导体硅晶圆检测方法装置计算机设备介质

[发明专利]采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置和存储介质-CN202010188765.8有效
发明人：杨尊;任德营;顾立勋;夏余平;高翔 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供了一种采用化学试剂对晶圆处理的方法、装置、存储介质和处理器。该方法包括：第一容器的第一清洗步骤，在第一容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第一容器中的化学试剂对晶圆进行处理；第二容器的准备步骤，控制向存在处于预定状态的化学试剂的第二容器中通入化学试剂的原料；第二容器的清洗步骤，在第一容器中的化学试剂中的体积小于或者等于预定体积且第二容器中的化学试剂达到预定状态的情况下，控制采用第二容器中的化学试剂对晶圆进行处理。该方案缩短了混酸的时间，减少了暂停等待处理的时间，使得采用化学试剂对晶圆的处理时间大大缩短，从而提高了化学试剂对晶圆的处理效率，提高了WPH较低。
采用化学试剂处理方法装置存储介质

[发明专利]一种多芯片封装结构及工艺-CN201711433719.4有效
发明人：邹波;沈更新;程安儒 -专利权人：深迪半导体（绍兴）有限公司;南茂科技股份有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明还提供了一种多芯片封装工艺，包括晶圆片和第二芯片，所述晶圆片的正面设置有多个第一芯片，还包括：将所述第二芯片设置于所述晶圆片的正面，并与所述第一芯片电连接；由所述晶圆片的背面开设通孔至所述第一芯片的外接点；在所述晶圆片的背面设置导电凸块，透过所述通孔电连接至所述第一芯片的外接点。
一种芯片封装结构工艺

[发明专利]一种头孢氨苄连续结晶方法-CN202010814839.4有效
发明人：侯宝红;尚泽仁;张军立;李鸣晨;龚俊波;段志钢;吴送姑;胡卫国;李中华;王新辉;臧飞;张玮 -专利权人：天津大学;华北制药股份有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C07D501/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种头孢氨苄连续结晶方法，适用于结晶釜级数为2或3级的分别称为初级、中间级、末级结晶釜的串联操作，至少包括初级和末级结晶釜，实现连续结晶工艺过程；二级连续结晶操作时，包括初级结晶、末级结晶，晶浆从初级结晶釜连续排出，进入末级结晶釜；三级连续结晶操作时，包括初级结晶、中间级结晶、末级结晶，晶浆从初级结晶釜连续排出，进入中间级结晶釜，晶浆再从中间级结晶釜连续排出，进入末级结晶釜。末级结晶釜排出的部分晶浆返回进入初级结晶釜，实现了结晶体系高悬浮密度、低过饱和度运行，加上细晶消除等手段，改善头孢氨苄产品长径比等晶体形态学特性，提高流动性和堆密度，产品质量稳定且一致性好，制备效率高。
一种头孢连续结晶方法

[发明专利]离子注入角度的监测方法及校正方法-CN202110407565.1有效
发明人：冯木材;朱上进 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种离子注入角度的监测方法及校正方法，其中，所述离子注入角度的监测方法包括：选取至少两片测试晶圆；以第一角度对至少一片所述测试晶圆执行离子注入，以第二角度对至少一片所述测试晶圆执行离子注入；测量每片所述测试晶圆的特征值由此可见，本发明能够实现利用两片测试晶圆即可完成高精度的离子注入偏差角度的监测。相较于“五点法”，本发明的监测成本低，且操作简单。相较于“单点法”，本发明的监测精度高，可靠性强。
离子注入角度监测方法校正

[发明专利]一种钙钛矿CsPbX3-CN202010599615.6有效
发明人：朱浩淼;陈德建 -专利权人：厦门稀土材料研究所
申请日： 2020-06-28 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：本发明公开一种钙钛矿CsPbX3纳米晶及其制备方法和应用。Sub>3前驱体溶液，其中A为H和/或DMA离子，X为一种或多种卤素，加入铯前驱体溶液到混合溶液中，进行反应并迅速冷却，得到CsPbX3纳米晶。采用易制备、易保存的APbX3化合物作为铅和卤素源，合成的CsPbX3纳米晶缺陷少，避免了卤素缺陷导致钙钛矿结构受光、热、氧和水的影响而降解，展现了优异的物化稳定性，并且进一步提高纳米晶的发光效率。该方法原料便宜易得、制备简单，得到的纳米晶更稳定、实验重现性好，适合工业化推广制备。
一种钙钛矿 cspbx base sub

[发明专利]一种二极管封装用点胶、取晶固晶自动化设备-CN202210692342.9有效
发明人：刘吉海 -专利权人：先之科半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体封装领域，具体是涉及一种二极管封装用点胶、取晶固晶自动化设备，包括工作平台，工作平台上水平设置安装台和布晶盘，安装台和布晶盘上均设置有等间距分布的网格，龙门架横跨安装台和布晶盘上方，龙门架上固定安装第一直线驱动装置和第二直线驱动装置
一种二极管封装用点胶取晶固晶自动化设备