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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]使非晶硅层结晶的方法、薄膜晶体管及其制造方法-CN201110041351.3有效
发明人：李东炫;李基龙;徐晋旭;郑珉在;孙榕德;苏炳洙;朴承圭;李吉远;郑胤谟;朴炳建;朴钟力;李卓泳;郑在琓 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2011-02-14 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种使非晶硅层结晶的方法、利用该方法来制造薄膜晶体管的方法以及利用该制造方法制造的薄膜晶体管，所述结晶方法包括以下步骤：形成非晶硅层；在非晶硅层上彼此分开地设置结晶催化剂颗粒；从非晶硅层的一部分选择性地去除结晶催化剂颗粒；通过热处理使非晶硅层结晶。
使非晶硅层结晶方法薄膜晶体管及其制造

[发明专利]一种低温高速沉积氢化非晶硅太阳能电池薄膜的方法-CN201010137326.0有效
发明人：于威;傅广生;孟令海;丁文革;苑静;李亚超 -专利权人：河北大学
申请日： 2010-04-01 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温高速沉积氢化非晶硅太阳能电池薄膜的方法，首先将清洗好的衬底放置到对靶磁控溅射装置的基片台上，然后对对靶磁控溅射装置的反应室抽真空，并用氩等离子体清对靶磁控溅射装置的基片台和反应室器壁，再加热基片台，向反应室通入反应气体并调节气压，开启溅射电源并开始非晶硅薄膜的沉积，至得到非晶硅薄膜样品，最后在氢气保护下降温至室温，取出样品，完成氢化非晶硅薄膜的沉积。本发明能够利用对靶磁控反应溅射沉积技术在低温下快速沉积氢化非晶硅薄膜。
一种低温高速沉积氢化非晶硅太阳能电池薄膜方法

[发明专利]一种用箱体式PECVD设备制备非晶硅锗薄膜电池的方法-CN201210136395.9无效
发明人：杨培志;庄春泉;褚君浩;杨雯;莫镜辉;刘黎明 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2012-05-05 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明解决了在制备非晶硅锗薄膜电池组件过程中因气体在基板上下端分解速度和分解量不同，而出现所制备的非晶硅锗薄膜中玻璃基板上锗组份含量不均匀、影响电池组件性能的问题，提供一种通过对产生等离子体场的部分电极的结构进行了设计改进，达到以气体补偿方式解决了玻璃基板上下位置处出现的锗的组份不均匀问题的非晶硅锗薄膜电池的设备及制备方法，实现低成本、易于实施的在箱体式PECVD设备上制备出大面积、组份均匀的非晶硅锗薄膜及非晶硅锗薄膜电池
一种箱体 pecvd 设备制备非晶硅锗薄膜电池方法

[发明专利]一种具有双层TCO导电膜的HJT太阳能电池结构-CN202311043013.2在审
发明人：郭文丰;刘俊;张勤辉 -专利权人：南通市乐能电力有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本申请涉及HJT太阳能电池领域，一种具有双层TCO导电膜的HJT太阳能电池结构，包括衬底以及依次层叠在衬底两侧的非晶硅薄膜、TCO薄膜以及电极，衬底采用n型硅衬底材料，其中衬底的正面和背面的非晶硅薄膜采用P型氧化非晶硅；TCO薄膜分别位于非晶硅薄膜的外侧，包括第一TCO导电膜和第二TCO导电膜，其中TCO薄膜采用双层结构，其中TCO薄膜的外侧设有若干电极。
一种具有双层 tco 导电 hjt 太阳能电池结构

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管-CN201410524654.4有效
发明人：葛泳;刘玉成;朱涛;顾维杰 -专利权人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司
申请日： 2014-10-08 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管，所述低温多晶硅薄膜的制备方法包括在基板的第一缓冲层上沉积第一非晶硅层，并对所述第一非晶硅层进行准分子激光退火，形成第一多晶硅膜层；在所述第一多晶硅膜层上沉积第二非晶硅层，并对所述第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成第二多晶硅膜层。上述低温多晶硅薄膜及其制备方法，能够使多晶硅表面凸起高度降低，多晶硅晶粒分布更均匀，且在整个制备过程中不引入其它物质。
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管

[发明专利]一种用于建筑物屋顶的太阳能电池组件-CN201710961731.6在审
发明人：邱云兵 -专利权人：江阴艾能赛瑞能源科技有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于建筑物屋顶的太阳能电池组件，包括玻璃衬底、前电极板、非晶硅吸收层、银薄膜和黏合剂，所述玻璃衬底下方设置有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜下方通过黏合剂粘连设置有TiO2薄膜，所述TiO2薄膜下方通过黏合剂粘连设置有SnO2前电极膜，所述SnO2前电极膜下方设置有前电极板，所前电极板设置在非晶硅吸收层上方，且非晶硅吸收层下方通过黏合剂粘连设置有设置有TCO膜层，所述TCO膜层下方通过黏合剂粘连设置有设置有银薄膜。本发明是一种高性能的半透明的非晶硅薄膜太阳能电池并且最大程度的提升非晶硅薄膜的吸收能力，且有效的提高了半透明非晶硅太阳能电池组件的减反增透的性能和太阳光的利用率。
一种用于建筑物屋顶太阳能电池组件

[发明专利]一种MEMS桥梁柱结构及其制作方法-CN202010253123.1有效
发明人：刘善善;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：其中，方法包括：提供衬底；在衬底上沉积含钛薄膜层；刻蚀含钛薄膜层，形成隔离槽和连接槽，隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面；在未被刻蚀的含钛薄膜层上，与，隔离槽和连接槽中沉积非晶硅层；刻蚀非晶硅层，去除位于隔离槽中的非晶硅层；在非晶硅层上与的隔离槽中沉积二氧化硅层。结构包括衬底；含钛薄膜层沉积在衬底上，且含钛薄膜层上开设有隔离槽和连接槽；隔离槽和连接槽从含钛薄膜层的上表面向下延伸至衬底的刻蚀停止面；非晶硅层沉积在剩余的含钛薄膜层上，并填充在连接槽中；二氧化硅层沉积在非晶硅层上
一种 mems 桥梁结构及其制作方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置-CN201310722877.7有效
发明人：张慧娟 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温多晶硅薄膜及其制备方法、薄膜晶体管和显示装置，用于解决采用现有的ELC技术制备的多晶硅薄膜均匀性较差的问题。本发明提供的制备方法包括在基板上形成缓冲层；通过构图工艺，在基板的缓冲层上形成非晶硅层，该非晶硅层包括多个凸起结构以及位于该多个凸起结构四周的部分被刻蚀掉的刻蚀区域；以及对非晶硅层进行准分子激光晶化，得到低温多晶硅薄膜本发明实施例中，由于形成的非晶硅层中包括多个凸起结构，该些凸起结构在后续晶化过程中作为形核中心，能够均匀形核，从而保证了多晶硅晶粒的均匀分布，增大了晶粒的尺寸。
低温多晶薄膜及其制备方法薄膜晶体管显示装置

[实用新型]一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池-CN201120210239.3有效
发明人：褚君浩;窦亚楠;何悦;王永谦;马晓光 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-06-21 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本专利公开了一种带有本征层的异质结结构的晶体硅太阳电池，该晶体硅太阳电池包括晶体硅基底和上下非晶氧化铝钝化介质层，上表面非晶氧化铝钝化介质层之上为p型掺杂非晶硅碳薄膜和TCO层，下表面非晶氧化铝钝化介质层之下为n型掺杂非晶硅或微晶硅薄膜和TCO层，上下表面TCO层均与金属栅电极连接。本专利采用在用酸处理的晶体硅基底后同时制备极薄的非晶氧化铝钝化介质层，然后分别制备p型非晶硅碳和n型非晶硅或微晶硅及TCO形成异质结电池。本专利具有工艺简单，晶体硅表面钝化性能好，抗UV辐射性能好，充分利用太阳光等优点。
一种带有异质结结构晶体太阳电池

[发明专利]一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法-CN201710006430.8有效
发明人：黄仕华 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法，通过调控纳米晶硅薄膜的制备工艺参数，改变纳米晶硅薄膜带隙宽度，以带隙宽度逐渐变化的纳米晶硅薄膜为本征层，改善电池的光吸收，一微晶氧化硅为窗口层，减少电池的非激活层的光吸收损失，最大限度地提高电池的光电转换效率，在玻璃衬底上制备了结构为银电极/p型微晶氧化硅/带隙渐变的纳米晶硅/n型纳米硅/ITO导电玻璃的硅基薄膜电池，光电转换效率为9.05%，相比于非晶硅薄膜电池而言，电池的稳定性得到了大幅地提高
一种纳米薄膜太阳能电池制备方法

[发明专利]基于温度补偿的栅极驱动电路及显示器-CN201811473244.6有效
发明人：邵伟 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本申请实施例提供的基于温度补偿的栅极驱动电路，应用于液晶面板中，包括：直流电压源、分压单元、非晶硅薄膜晶体管、电源管理模组以及栅极驱动模组；直流电压源的一端与非晶硅薄膜晶体管的漏极连接，非晶硅薄膜晶体管的漏极与非晶硅薄膜晶体管的栅极连接，非晶硅薄膜晶体管的源极与分压单元的一端连接，分压单元的另一端与直流电压源的另一端连接，电源管理模组与分压单元以及非晶硅薄膜晶体管的公共节点连接，电源管理模组与栅极驱动模组连接，电源管理模组根据公共节点的电压变化调整输出给栅极驱动模组的电压值
基于温度补偿栅极驱动电路显示器

[发明专利]一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池-CN201410352589.1有效
发明人：王飞;王吉宁;苑慧萍;刘晓鹏;蒋利军;王树茂 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-07-23 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双层界面带隙缓冲层的非晶硅锗薄膜太阳能电池，包括依次制备在基底上的电极一、n型掺杂的非晶硅薄膜、n‑i缓冲层、带隙连续变化的本征(i型)非晶硅锗薄膜、i‑p双层带隙缓冲层、p型掺杂的非晶硅薄膜和电极二本发明通过电脑控制数字流量计，制备出带隙连续变化的非晶硅锗薄膜，有效增加了空穴的传输；采用双层带隙缓冲层结构，减小了p型窗口层与非晶硅锗薄膜的能带失配，进而减小了载流子在界面缺陷态上的复合；另外，本发明提供一种在背反射电极上制备微纳结构的方法
一种具有双层界面缓冲非晶硅锗薄膜太阳能电池

[发明专利]太阳能电池的制造方法及其结构-CN201210476755.X无效
发明人：郁操;牛新伟;陈晨 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了的太阳能电池的制造方法，所述方法采用C-O共掺的方法制备非晶硅单结薄膜电池、非晶硅/非晶硅锗或非晶硅/微晶硅等硅基薄膜太阳电池中非晶硅顶电池的非晶P型掺杂层。本发明的方法以及太阳能电池结构可以有效解决目前硅氧制备的非晶P型掺杂层中存在的光学带隙和导电特性之间的矛盾，提高太阳能电池的稳定性及其光电转换效率。
太阳能电池制造方法及其结构

[发明专利]利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法-CN03141245.9有效
发明人：林昆志 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2003-06-04 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种利用准分子激光再结晶工艺来制作多晶硅薄膜的方法。该方法包括下列步骤：首先提供一衬底，且该衬底表面已定义有一第一区域及一第二区域，接着在该衬底上形成一非晶硅薄膜，再在该非晶硅薄膜上方形成一掩模层，随即移除该第一区域内的该掩模层，再形成一热含覆盖层且覆盖于该掩模层及该非晶硅薄膜上，最后进行一准分子激光再结晶工艺，使该第一区域内的该非晶硅薄膜再结晶成一多晶硅薄膜。从而增加所形成多晶硅薄膜的晶粒尺寸，提高元件的电性能。
利用准分子激光再结晶工艺制作多晶薄膜方法

[发明专利]微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用-CN201210236837.7无效
发明人：邱承彬;王晓煜;刘琳 -专利权人：上海奕瑞影像科技有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种微晶硅薄膜探测器的制备方法及其应用，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，刻蚀以形成TFT栅极；沉积第一绝缘层；依次继续沉积本征微晶硅薄膜和n掺杂微晶硅薄膜，然后刻蚀以形成TFT有源区；继续沉积第二金属层，刻蚀以形成TFT源极和TFT漏极；继续沉积第二绝缘层，刻蚀以形成覆盖TFT的第二绝缘层；继续依次在TFT漏极上沉积n掺杂非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、p掺杂非晶硅薄膜以及透明导电层ITO薄膜；然后刻蚀以形成光电二极管本发明将微晶硅薄膜应用于薄膜探测器，利用微晶硅薄膜较高的载流子迁移率，提高开口率和成像速度。
微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用

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