“非晶硅薄膜”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1242287个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多晶硅薄膜晶体管的制作方法-CN200510051939.1有效
发明人：林家兴;陈昱丞;陈麒麟 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-02-17 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，是在基板上形成非晶硅层之后，即对非晶硅层进行图案化，以形成硅岛图形，使提前定义出组件主动区域。接着，利用单发长脉冲激光束，照射硅岛图形，以诱发硅岛图形内产生超级横向长晶行为，而由非晶硅转变为多晶硅。最后，再依序进行后续薄膜晶体管制作流程，即完成多晶硅薄膜晶体管的制作。
多晶薄膜晶体管制作方法

[发明专利]薄膜太阳能电池-CN201210028190.9无效
发明人：彭振维;黄昭雄;曹耀中 -专利权人：联相光电股份有限公司
申请日： 2012-01-12 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜太阳能电池，其包含电极层及半导体层。半导体层包含P型层、I型层及N型层。P型层位于电极层上。I型层包含I型非晶硅层及I型短程有序非晶硅层，I型非晶硅层位于P型层上，I型短程有序非晶硅层位于I型非晶硅层上。N型层位于I型短程有序非晶硅层上。藉由I型短程有序非晶硅层产生结晶绕射现象，降低光裂化反应，以提升薄膜太阳能电池的转换效率。
薄膜太阳能电池

[实用新型]一种异质结太阳电池-CN201220061130.2有效
发明人：李正平;彭铮;李媛媛;沈文忠;华夏;彭德香;温超 -专利权人：上海中智光纤通讯有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：该电池包括以N型单晶硅材料制成的衬底，所述衬底正面侧依次沉积本征层、P型非晶硅薄膜层、透明导电氧化物薄膜层和正面金属电极；所述衬底背面侧依次沉积本征层、N型非晶硅薄膜层，透明导电氧化物薄膜层和背面金属电极；所述的本征层是本征非晶硅薄膜层或本征非晶硅氧薄膜层，厚度为3～20nm。
一种异质结太阳电池

[发明专利]一种基于金属诱导的多晶硅薄膜-CN201010111997.X无效
发明人：黄宇华;黄飚;彭俊华 -专利权人：广东中显科技有限公司
申请日： 2010-02-09 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅薄膜，包括：玻璃衬底、阻挡层和具有连续晶畴的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的厚度为10-500纳米，所述多晶硅层中的晶粒均匀分布；其中，所述多晶硅层是通过在非晶硅薄膜上的覆盖层光刻诱导口、在所述诱导口使金属诱导薄膜和所述非晶硅薄膜接触并经过两次退火晶化形成的多晶硅层。
一种基于金属诱导多晶薄膜

[实用新型]一种高转化效率的异质结电池-CN201922106571.4有效
发明人：黄金;李高非;王继磊;高勇;郑静;贾慧君;刘学飞;李文敏 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高转化效率的异质结电池，其特征在于，包括：基底，所述基底为晶体硅片；在所述基底正面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、P型非晶硅薄膜及多层正面TCO薄膜；在所述基底背面依次生长的i型本征非晶硅薄膜、N型非晶硅薄膜及一层背面TCO薄膜；及在所述多层正面TCO薄膜及背面TCO薄膜上设置的金属电极。
一种转化效率异质结电池

[发明专利]半导体器件的制作方法以及半导体器件-CN202111322931.X在审
发明人：朱文琪;颜元;张豪 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，该方法包括：提供存储阵列结构；在存储阵列结构的表面上形成非晶硅薄膜；在非晶硅薄膜的远离存储阵列结构的表面上形成覆盖层；对形成有覆盖层的存储阵列结构进行退火处理，使得非晶硅薄膜转换为多晶硅薄膜。该方法保证了得到的多晶硅薄膜的均匀性以及平整度都较好。
半导体器件制作方法以及

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201510697688.8在审
发明人：田雪雁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-10-23 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以实现同时满足显示区和周边电路区对低温多晶硅薄膜晶体管的要求。阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上制作薄膜晶体管的步骤，其中，制作薄膜晶体管的步骤包括制作多晶硅层，具体包括：在衬底基板上形成一层非晶硅层，采用构图工艺形成位于显示区的第一非晶硅层和位于周边电路区的第二非晶硅层，使得第一非晶硅层的厚度小于第二非晶硅层的厚度；同时对第一非晶硅层和第二非晶硅层进行准分子激光退火，形成位于显示区的第一多晶硅层和位于周边电路区的第二多晶硅层，第一多晶硅层的晶粒尺寸小于第二多晶硅层的晶粒尺寸
一种阵列及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法-CN201610232242.2有效
发明人：陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 -专利权人：信利（惠州）智能显示有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：在基板上形成第一非晶硅层；在第一非晶硅层上在与待形成的源极掺杂层及漏极掺杂层对应的区域形成掺杂层；对形成有第一非晶硅层及掺杂层的基板进行激光照射，以将第一非晶硅层转化为第一多晶硅层；在第一多晶硅层及掺杂层上形成第二非晶硅层；对形成有第二非晶硅层的基板进行激光照射，以形成第二多晶硅层、源极掺杂层及漏极掺杂层。上述低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，第一多晶硅层还可作为第二非晶硅薄膜转化为多晶硅层的晶粒结构诱导层，能有效地降低低温多晶硅薄膜制备中对准分子激光器脉冲能量稳定性和光束能量密度均匀性的要求，能有效地解决激光退火处理中造成显示不均匀问题
低温多晶薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种非晶硅栅极驱动电路-CN201210576745.3有效
发明人：梁艳峰 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅栅极驱动ASG电路，所述ASG电路包括M个非晶硅薄膜晶体管以及P个电容，其中，所述M个非晶硅薄膜晶体管与所述P个电容形成多条线路，所述M、P为正整数，还包括：多个分别设置于存在线路电交叉的非晶硅薄膜晶体管或电容位置处的用于将所述非晶硅薄膜晶体管或电容位置处的静电导入参考电压线的静电保护单元，其中，若多个非晶硅薄膜晶体管和/或多个电容存在相同的电连接节点，则所述多个非晶硅薄膜晶体管和/或所述多个电容共用同一静电保护单元。
一种非晶硅栅极驱动电路

[实用新型]一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构-CN201820743252.7有效
发明人：邓晓帆;姚宇;李中天 -专利权人：嘉兴尚羿新能源有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构，包括上下设置的顶电池层和底电池层，顶电池层和底电池层之间设置有隧穿层，顶电池层包括从正面到背面依次设置的上透明导电薄膜、电子或空穴传输层、混合阳离子混合卤素钙钛矿层和空穴或电子传输层，底电池层包括从正面到背面依次设置的n或p型非晶硅薄膜和上本征非晶硅薄膜、单晶硅层、下本征非晶硅薄膜、p型或n型非晶硅薄膜和下透明导电薄膜。本实用新型的一种钙钛矿/硅异质结太阳能叠层电池结构,在制备底电池非晶硅薄膜后无需使用高温工艺，也无需使用单独的钙钛矿保护层。在缩减了工艺流程，避免了额外成本的同时提升了电池稳定性。
钙钛矿叠层电池结构底电池层顶电池层硅异质结本征非晶硅薄膜太阳能透明导电薄膜本实用新型依次设置背面空穴电池稳定性电子传输层非晶硅薄膜混合阳离子空穴传输层单晶硅层额外成本钙钛矿层高温工艺混合卤素上下设置工艺流程保护层底电池隧穿层制备

[发明专利]制备非晶氢硅薄膜的方法及装置-CN200710069121.1无效
发明人：张溪文;李敏伟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-06-05 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： C03C17/22 文献下载
摘要：本发明公开了制备非晶氢硅薄膜的方法及装置，将清冼后的基板置于反应室两块上下平行的电极间，反应室抽真空，以纯氮气为载气，通入氢气稀释的硅烷反应气体，基板在室温或加热至50～100℃，开启高压脉冲电源，气体放电沉积薄膜本发明实现了非晶氢硅薄膜在多种传统基板或低熔点基板上于常温或50～100℃低温快速沉积，非晶氢硅薄膜的最大沉积速率可达20nm/min，比常规的PECVD非晶硅薄膜沉积速率提高约两倍。所制备的非晶氢硅薄膜的禁带宽度1.92～2.18eV，光、暗电导比大于两个数量级，有望在太阳能电池、建筑节能玻璃等领域获得应用。
制备非晶氢硅薄膜方法装置

[发明专利]异质结太阳能电池片及其制备方法-CN202211309186.X在审
发明人：左国军;舒欣 -专利权人：常州捷佳创精密机械有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池片及其制备方法，其中，异质结太阳能电池片包括：单晶硅衬底；在所述单晶硅衬底正面和背面分别制备本征非晶硅薄膜层；N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层，设置在所述单晶硅衬底正面的本征非晶硅薄膜层顶面；P型微晶硅掺杂层，位于所述单晶硅衬底背面的本征非晶硅薄膜层底面；透光导电层，分别设置在所述N型非晶硅掺杂层或N型微晶硅掺杂层的顶面和所述P型微晶硅掺杂层的底面；电极，设置在所述透光导电层的表面上。其中，P型微晶硅掺杂层为至少由硅烷掺杂三甲基硼的混合气体沉积而成的层状结构，减少硼原子对Si‑H键的破坏，提高微晶硅的晶化率，从而提高了电池转化效率。
异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法-CN201410581435.X有效
发明人：张丽平;孟凡英;刘正新 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜、异质结晶体硅太阳能电池及制备方法，所述用于钝化晶体硅表面的掺氧非晶硅锗薄膜的制备方法包括步骤：提供一晶体硅衬底，采用化学气相沉积工艺于所述晶体硅衬底表面沉积掺氧非晶硅锗薄膜本发明通过调节反应气体流量中氧和锗浓度可以得到带隙连续可调的致密掺氧非晶硅锗薄膜材料，该材料利用氧、锗元素可以抑制界面外延和调节材料带隙的作用，实现空穴载流子的有效收集，从而有效提高异质结晶体硅太阳电池的效率
掺氧非晶硅锗薄膜结晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]制造薄膜太阳能电池的硅基薄膜沉积方法-CN200910226603.2有效
发明人：李廷凯;李晴风;钟真;陈建国 -专利权人：湖南共创光伏科技有限公司
申请日： 2009-12-14 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提出了硅基薄膜沉积方法，用于制备高效率，大面积均匀分布的硅基薄膜太阳能电池。它可在不高于400℃的低温下在大面积的玻璃基片或不锈钢基片、高分子基片上均匀地沉积高质量和具有不同能隙宽度的硅基薄膜；这些薄膜包括n型、i型、p型非晶硅和微晶硅，n型、i型、p型非晶锗化硅和微晶锗化硅，n型、i型、p型非晶碳化硅和微晶碳化硅，以及富硅二氧化硅薄膜。这些薄膜采用感应耦合等离子增强化学气相沉积方法制备。
制造薄膜太阳能电池沉积方法

[发明专利]具有多晶硅层的薄膜晶体管、制造方法及平板显示器-CN200510076239.8无效
发明人：张根浩;金玄圭;李洪鲁 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2005-11-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于制造具有更均匀阈值电压的薄膜晶体管的方法，以及包括该薄膜晶体管的平板显示器件。该方法包括在衬底上形成非晶硅膜，从非晶硅膜的表面去除氧化硅层，在非晶硅膜的表面上形成氧化硅层，和通过结晶化非晶硅膜形成多晶Si层。
具有多晶薄膜晶体管制造方法平板显示器