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[发明专利]一种去除冶金级硅中硼的方法-CN201510282531.9有效
发明人：雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;李绍元;戴永年 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除冶金级硅中硼的方法，属于电磁冶金技术领域。首先将含硼多晶硅和铝混合均匀得到混合物料，然后添加锆物料，进行定向凝固，定向凝固过程中析出的硅晶体富集相被电磁力富集到铝硅熔体的顶部或底部，相对应的反向为共晶铝硅合金；将得到的硅晶体富集相与共晶铝硅合金沿分界面切割分离，将硅晶体富集相磨成细粉，用混酸浸出去除硼和锆后获得高纯硅；将得到的共晶铝硅合金在氩气气氛下、温度为873K~1500K下保持1~100h，切除合金底部1~40mm那部分，剩余部分重新返回作为原始物料。该方法通过添加少量的锆以达到深度去除硅中硼的目的。
一种去除冶金级硅中硼方法

[发明专利]一种表面渗氮或渗硼处理的硬质合金基体聚晶立方氮化硼复合片及其制备方法-CN202010502238.X在审
发明人：秦家千;李拥军;王福龙 -专利权人：河南领科材料有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C04B35/5835 文献下载
摘要：本发明提供一种表面渗氮或者渗硼处理的碳化钨硬质合金替代传统硬质合金作为基体制备一种聚晶立方氮化硼复合片。表面渗氮或者渗硼时钴在硬质合金表面同硼会形成钨‑碳‑钴‑氮或者钨‑碳‑钴‑硼系化合物层,从表层到硬质合金的硬度成梯度变化，逐渐变小。以表面渗氮或者渗硼的硬质合金作为聚晶立方氮化硼基体时，表层碳化物的硬度接近立方氮化硼层硬度，因此界面应力较小，改善聚晶立方氮化硼复合片脱层问题。同时，表面渗氮或者渗硼层在聚晶立方氮化硼复合片高温高压烧结过程中，能有效阻挡硬质合金中粘结相钴向立方氮化硼层扩散，降低立方氮化硼层金属含量，使得表面渗氮硬质合金基体聚晶立方氮化硼复合片提高复合片热稳定性
一种表面处理硬质合金基体立方氮化复合及其制备方法

[发明专利]薄膜太阳电池及其制造方法-CN201110183001.0有效
发明人：李贵君;王明华;牛新伟;周曦;丁建;杨立友 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明的制造方法包括：提供一衬底，在衬底上形成透明导电氧化物层；在该透明导电氧化物层上形成包括N型掺杂层，非晶硅本征吸收层和P型掺杂层的PiN结或NiP结；在PiN结或NiP结上形成背电极层；其特征在于：在所述PiN结或所述NiP结中的P型掺杂层和非晶硅本征吸收层之间，形成界面缓冲层，所述界面缓冲层包括与P型掺杂层接触的非晶硅碳层缓冲层和与非晶硅本征吸收层接触的Protocrystalline阻挡层；所述Protocrystalline阻挡层为处于非晶硅/微晶硅过渡区域的靠近非晶硅一侧的非晶硅薄膜。本发明解决了现有薄膜太阳电池缓冲层的缺陷，有效解决了碳元素和硼元素的扩散问题以及温度切换带来的问题，具有大规模应用的前景。
薄膜太阳电池及其制造方法

[发明专利]一种基于超重力凝固的铁基非晶纳米晶合金多孔催化剂及其制备方法和应用-CN201811335833.8在审
发明人：朱胜祥 -专利权人：嘉兴市秀洲区洪合镇中学
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基于超重力凝固的铁基非晶纳米晶合金多孔催化剂及其制备方法和应用，包括以下步骤：将铁、硼和硅表面清洗烘干后，加入真空熔炼炉中，抽真空，通入氩气，反复翻转加热熔炼，固化成型，得到铁硼硅系非晶合金材料；将铁硼硅系非晶合金材料加热至熔融状态，加入碳化硅多孔载体中，抽真空密封，进行超重力凝固，得到表面涂覆铁硼硅系非晶合金的多孔材料；将表面涂覆铁硼硅系非晶合金的多孔材料经热处理，得到基于超重力凝固的铁基非晶纳米晶合金多孔催化剂该方法利用超重力凝固技术将铁基非晶合金材料包覆多孔载体，再进行热处理，形成铁基非晶纳米晶合金多孔催化剂，制备方法简单，适用于大批量生产。
超重力铁基非晶纳米晶合金多孔催化剂硅系铁硼凝固制备方法和应用非晶合金材料热处理表面涂覆多孔材料多孔载体非晶合金加热铁基非晶合金材料抽真空密封真空熔炼炉氩气固化成型凝固技术清洗烘干熔融状态翻转熔炼抽真空硅表面碳化硅包覆制备生产

[发明专利]一种钝化接触结构制备方法和具有钝化接触结构的晶体硅-CN202110130675.8有效
发明人：杜哲仁;赵影文;杨俊楠;张志郢;季根华 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种钝化接触结构制备方法，在晶体硅上形成SiOx/AlOx/p‑poly的三层式钝化接触结构，包括：S1:对晶体硅片进行预处理；S2:在预处理后的晶体硅片表面制备AlOx薄膜；S3:在制备完AlOx薄膜的晶体硅片表面再制备非晶硅薄膜，非晶硅薄膜为本征非晶硅薄膜或掺硼非晶硅薄膜；S4:对本征非晶硅薄膜进行硼掺杂处理，本征非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助硼掺杂处理中的退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；或对掺硼非晶硅薄膜进行退火处理，掺硼非晶硅薄膜形成p‑poly层，借助退火过程，通入过量氧气，在AlOx薄膜下方的晶体硅上形成一层致密SiOx层；S5:清洗BSG。本发明可省去单独制备SiOx层的工序，且带负电荷AlOx薄膜的存在可增强p‑poly硅的载流子选择性，从而增强钝化效果。
一种钝化接触结构制备方法具有晶体

[发明专利]一种结合剂、聚晶立方氮化硼烧结体及其制备方法-CN201710946385.4在审
发明人：王丽娜;周青 -专利权人：河南海纳德新材料有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： C04B35/5831 文献下载
摘要：本发明提供一种结合剂、聚晶立方氮化硼烧结体及其制备方法，该结合剂包括金属铝、二氧化硅、碳氮化锆、二硼化钛和氮化钛，其中，金属铝和二氧化硅在烧结过程中发生反应形成氧化铝和硅单质，氧化铝的熔点远高于金属铝，硅单质又具有良好的导热性，如此，该结合剂可以有效克服金属结合剂和陶瓷结合剂的缺点，用于制备聚晶立方氮化硼烧结体过程中，可以有效提高刀具的硬度、韧性及导热性能，具有广阔的适应性。
结合剂聚晶立方氮化硼金属铝烧结体制备二氧化硅硅单质氧化铝导热性熔点金属结合剂陶瓷结合剂导热性能二硼化钛烧结过程碳氮化锆氮化钛刀具

[发明专利]一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法-CN201910147275.0有效
发明人：殷红;李宇婧;高伟 -专利权人：吉林大学
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜材料领域，提供了一种调控硼碳氮薄膜中氮化硼晶体生长的方法，包括以下步骤：(1)提供分布有金刚石籽晶的基底；(2)在基底的金刚石籽晶表面进行磁控溅射，得到含有氮化硼晶体的硼碳氮薄膜；所述步骤(2)中磁控溅射的靶材为含碳的氮化硼靶。本发明在金刚石籽晶预处理过的基底上生长硼碳氮薄膜，促进了薄膜中氮化硼纳米晶的生长，提高了硼碳氮薄膜的结晶度和薄膜中氮化硼的成分，为硼碳氮薄膜的生长提供了重要的实验依据，为硼碳氮薄膜在工业领域内的应用提供了新的方法
硼碳氮薄膜氮化硼晶体金刚石籽晶生长基底磁控溅射氮化硼薄膜预处理氮化硼纳米薄膜材料工业领域应用提供结晶度靶材调控

[发明专利]一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201710566633.2在审
发明人：姜礼华;谭新玉;肖婷;向鹏 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶碳薄膜/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法，该方法包括以下步骤清洗P型单晶硅片；以氢气稀释的硅烷为反应气体，P型单晶硅上表面沉积一层非晶硅薄膜；再以高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，在非晶硅薄膜表面沉积一层掺氮非晶碳薄膜；再在非晶碳薄膜表面制备一层掺铝氧化锌透明导电薄膜；进一步在掺铝氧化锌透明导电薄膜表面制备银电极；然后在P型单晶硅下表面制备含有银铝复合电极的铝背表面场，获得电池；最后将获得的电池置于充满氩气的石英炉中进行热处理由该方法所制备的电池工艺简单且与当前硅异质结太阳能电池工艺相兼容，电池开路电压高、成本低，光电转换效率高。
一种非晶碳薄膜单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一组新型环保高摩擦耐超高温、耐超高温隔热材料-CN202210604066.6在审
发明人：孙瑞宵;孙启江 -专利权人：山东崯基新材料科技发展有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： F16L59/02 文献下载
摘要：本发明涉及新型环保高摩擦耐超高温、耐超高温隔热材料，其包括第一材料层和第二材料层，所述第一材料层包括如下材料组分：碳化钽、碳化铪、碳化钼、碳化钒、碳化钛、碳化锆、碳化硼、碳化钨、碳氮化钛、碳化铬、碳化硅、氮、硅、铌、铁、钙、铝、钾、钠、总碳、游离碳、硫、镁、锰、铜、磷、铅、钴、镍和氧。
一组新型环保摩擦超高温隔热材料

[发明专利]一种含硼不烧铝碳锆滑动水口砖-CN200810230950.8无效
发明人：徐林富;徐跃庆;李宏宇;徐跃刚;宋桂兰;梁保青;张树才 -专利权人：卫辉熔金高温材料有限责任公司
申请日： 2008-11-10 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：一种含硼不烧铝碳锆滑动水口砖，涉及一种耐火材料，本发明的目的是提供一种抗热冲击和抗磨性能好使用寿命长的含硼不烧铝碳锆滑动水口砖。本发明的技术方案是，一种含硼不烧铝碳锆滑动水口砖，包含有铝、碳、锆和刚玉及结合剂，所述硼为不定性单质硼，硼∶刚玉∶铝∶碳∶锆∶硅的重量比为0.2-3∶60-80∶0.5-3∶0.2-6∶0.5-20∶1
一种含硼不烧铝碳锆滑动水口

[发明专利]一种陶瓷基复合材料及其制备方法和应用-CN202110917016.9在审
发明人：李爱军;康治伟;李志伟;魏子涵;茅思佳;刘瑶瑶;贾林涛;彭雨晴 -专利权人：上海大学绍兴研究院;上海大学
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明提供了一种陶瓷基复合材料，包括纤维增强硅硼碳氮基体和沉积在所述纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层。本发明提供的陶瓷基复合材料包含沉积在纤维增强硅硼碳氮基体表面的碳化硅保护层，所述碳化硅保护层中的硅在高温有氧环境下生成较厚的二氧化硅以隔绝外部氧气，保护内部的纤维增强硅硼碳氮基体，从而提高陶瓷基复合材料在高温
一种陶瓷复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种利用铁水的高碳铁基非晶合金及其制备方法-CN201180040386.3有效
发明人：金尚远;卞甲植;孙荣根;朴彦柄;尹相勋;河相旭;权五俊;崔承德;李承勋 -专利权人：浦项产业科学研究院;POSCO公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： C22C45/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用铁水的高碳铁基非晶合金及其制备方法。本发明提供一种高碳铁基非晶合金，所述高碳铁基非晶合金由通式FeαCβSiγBxPyCrz表示，所述α、β、γ、x、y及z分别为铁（Fe）、碳（C）、硅（Si）、硼（B）、磷（P）及铬（Cr）的原子%，所述
一种利用铁水高碳铁基非晶合金及其制备方法

[发明专利]一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用-CN202110988456.3在审
发明人：胡党平;赵文祥;赵迎财;廖晖;马玉超;王义福;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：浙江正泰太阳能科技有限公司;海宁正泰新能源科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及N型晶硅电池技术领域，公开了一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。本发明的选择性扩散方法采用非晶硅层作为掩膜，能防止形成的掺杂层中硼浓度不可控，有利于提高N型晶硅电池的开路电压、短路电流和填充因子。
一种用于制备选择性发射极电池扩散方法及其应用

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN202111482475.5在审
发明人：张达奇;陈曦;吴坚 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅基，依次位于所述硅基的第一侧的第一本征非晶硅层、磷掺杂非晶硅层、第一ITO层、第一金属电极，依次位于所述硅基的第二侧的第二本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、第二ITO层、第二金属电极，所述硼掺杂非晶硅层的厚度介于4nm～6nm。本发明通过优化设计所述硼掺杂非晶硅层的厚度，提高了该层的稳定性，进而提高了太阳能电池的稳定性。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法-CN202111012964.4在审
发明人：王振刚;马擎天;宋楠;郁寅珑;俞超 -专利权人：环晟光伏（江苏）有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳电池硼扩散选择性发射极及制备方法，包括：N型晶体硅基体以及在所述N型晶体硅基体表面依次生长的P+掺杂层、以及掺杂硼的非晶硅层；对所述N型晶体硅基体的正表面做制绒处理，再进行硼扩散处理，形成所述P+掺杂层和硼硅玻璃层；根据金属化部分对所述硼硅玻璃层进行开槽；再沉积一掺有硼的非晶硅层，在掺有硼的非晶硅层上生长一层掩膜；去掉非金属化部分的掩膜，接着去除非金属化部分的掺有硼的非晶硅层；最后去除剩余的掩膜和残留的硼硅玻璃层
一种太阳电池扩散选择性发射极制备方法