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[发明专利]SiGe HBT晶体管及其制造方法-CN201010278649.1有效
发明人：孙涛 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-09-10 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：根据本发明的SiGe HBT晶体管制造方法，其中对集电极区域进行掺杂的步骤包括：第一离子注入步骤，用于形成具有第一掺杂浓度的第一集电极区域；以及第二离子注入步骤，用于形成具有第二掺杂浓度的第二集电极区域；其中，第一集电极区域和第二集电极区域重叠布置以构成集电极区域，并且第二集电极区域形成在第一集电极区域之上，并且第二掺杂浓度大于第一掺杂浓度。通过两步离子注入来将集电极区域分成具有不同掺杂浓度的第一集电极区域和第二集电极区域，于是在获得高击穿电压的器件的同时，损失较少的特征频率，从而使得器件品质的因子大大提高。
sige hbt 晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910126300.3无效
发明人：村山启一;田村彰良;宫本裕孝;宫岛贤一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-11 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明的半导体器件为Bi-HFET，HBT具有被依次层叠的辅助集电极层、GaAs集电极层、GaAs基极层以及InGaP(磷化镓铟)发射极层，辅助集电极层具有GaAs外部辅助集电极区域、以及位于GaAs外部辅助集电极区域上的GaAs内部辅助集电极区域，在GaAs外部辅助集电极区域上具有被隔离形成的台面状的集电极部和集电极电极，HFET具有由GaAs外部辅助集电极区域的一部分构成的GaAs覆盖层、以及在GaAs覆盖层上形成的源极电极和漏极电极
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双极晶体管及其制造方法-CN200680014319.3无效
发明人：约斯特·梅拉伊;维贾亚哈万·马达卡塞拉 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明提供了一种由于减小的集电极串联电阻和减小的集电极到基片电容而具有改进性能的双极晶体管。该双极晶体管包括其尺寸可以被减小到由平版印刷技术不能够实现的尺寸的突起(5)。该突起(5)包括集电极区域(21)和基极区域(22)，其中，该集电极区域(21)覆盖并且电连接到第一集电极连接区域(3)的第一部分。第二集电极连接区域(13)覆盖第一集电极连接区域(3)的第二部分并且被覆盖该突起(5)的侧壁的绝缘层(10，11)与该突起(5)分离。对基极区域(22)的接触由基极连接区域(15)提供，该基极连接区域(15)与该突起(5)相邻并且被绝缘层(14)与第二集电极连接区域(13)分离。集电极触头(31)和基极触头(32)同时形成在第二集电极连接区域(13)的暴露部分上和没有被去除的基极连接区域(15)的部分上。
双极晶体管及其制造方法

[发明专利]光检测装置和光传感器的驱动方法-CN202180033470.6在审
发明人：间瀬光人;中野优;平光纯;岛田明洋;石井博明;伊藤聪典;田中祐马 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光传感器具有电荷产生区域、电荷蓄积区域、电荷传送区域、配置在电荷蓄积区域上的电荷收集电极和配置在电荷蓄积区域与电荷传送区域之间的区域上的传送栅极电极。控制部以在第1期间以电荷收集电极的正下方的区域的电势成为第1电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势高于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，在第1期间之后的第2期间以使电荷收集电极的正下方的区域的电势成为高于第1电平的第2电平，且传送栅极电极的正下方的区域的电势低于电荷收集电极的正下方的区域的电势的方式，控制电荷收集电极和传送栅极电极的电位。
检测装置传感器驱动方法

[发明专利]带有高击穿电压的双极晶体管-CN201310285429.5无效
发明人：林欣;D·J·布隆伯格;左将凯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：较高击穿电压晶体管有分开的发射极、基极接触和集电极接触。位于所述发射极和所述基极接触之下的分别是第一导电类型的第一基极部分和第二基极部分。位于所述集电极接触之下并且耦合于所述集电极接触的是第二、相反导电类型的集电极区域，其有中心部分朝着、在之下、或越过所述基极接触横向延伸并且通过所述第二基极部分与其分开。与所述集电极区域有相同导电类型的浮动集电极区域位于所述发射极之下并通过所述第一基极部分与所述发射极分开。所述集电极和浮动集电极区域被所述基极形成于其中的所述半导体（SC）区域的一部分分开。所述基极形成于其中的所述SC区域的更深部分横向限定或围绕所述集电极区域。
带有击穿电压双极晶体管

[发明专利]半导体装置-CN201280069809.9有效
发明人：辻内幹夫;新田哲也 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-02-16 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在重视电流的IGBT中，集电极用导电层(PR1)针对集电极区域(CR)中包含的1个集电极用活性区域(CRa)通过多个接触进行连接。针对1个集电极用活性区域(CRa)的集电极用导电层(PR1)的接触部的个数多于针对基极区域(BR、BCR)中包含的1个基极用活性区域(BCR)的发射极用导电层(PR2)的接触部的个数。
半导体装置

[实用新型]集成电路-CN201920215739.2有效
发明人： A·高蒂尔;J·博雷尔 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征基极区域接触，并且包括带有隔离侧壁的开口。晶体管的集电极区域被设置在隔离侧壁之间。
电极区域隔离侧壁集成电路绝缘层开口非本征基极区域双极结型晶体管覆盖绝缘层集电极区域半导体层本征基极钝化区域区域接触晶体管衬底与非半导体掩埋

[发明专利]异质结双极晶体管结构、其制造方法及其设计结构-CN201310022558.5有效
发明人： R·卡米洛-卡斯蒂罗;何忠祥;J·B·约翰逊;刘奇志;刘学锋 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-01-22 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：所述HBT包括其中具有子集电极区域的半导体衬底。所述HBT结构还包括覆盖所述子集电极区域的一部分的集电极区域。所述HBT结构还包括覆盖所述集电极区域的至少一部分的内部基极层。所述HBT结构还包括在所述外部基极层与所述子集电极区域之间垂直延伸的隔离区域。所述HBT结构还包括覆盖所述内部基极层的一部分的发射极。所述HBT结构还包括电连接到所述子集电极区域的集电极接触。所述集电极接触有利地延伸穿过所述外部基极层的至少一部分。
异质结双极晶体管结构制造方法及其设计

[发明专利]异质结双极型晶体管和利用它构成的半导体集成电路器件-CN02129843.2有效
发明人：丹羽隆树;岛胁秀德;东晃司;黑泽直人 -专利权人： NEC化合物半导体器件株式会社
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：集电极区域包括半导体第一、第二集电极层。第一集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，与副集电极区域接触。第二集电极层是由掺杂或未掺杂的半导体制成的，具有比第一集电极层窄的带隙，与基极区域接触。第三集电极层具有比第二集电极层高的掺杂浓度，被第一集电极层和第二集电极层夹在当中。
异质结双极型晶体管利用构成半导体集成电路器件

[发明专利]双极晶体管设备和对应的制造方法-CN201910127913.2在审
发明人： A·高蒂尔;J·博雷尔 -专利权人：意法半导体（克洛尔2）公司
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：双极结型晶体管包括被掩埋在半导体衬底中在本征集电极区域下方的非本征集电极区域。设置含碳钝化区域来划定所述本征集电极区域。本征集电极区域上的绝缘层包括设置有非本征基极区域的开口。半导体层覆盖绝缘层，与非本征基极区域接触，并且包括带有隔离侧壁的开口。晶体管的集电极区域被设置在隔离侧壁之间。
电极区域双极晶体管隔离侧壁绝缘层开口非本征基极区域双极结型晶体管覆盖绝缘层集电极区域半导体层本征基极钝化区域区域接触晶体管衬底与非半导体制造掩埋

[发明专利]绝缘栅双极晶体管-CN200910179034.0无效
发明人：伊藤将之 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：IGBT包括：n型半导体层(3)；以及集电极部，该集电极部形成在n型半导体层(3)的表面部分中。集电极部包括：n型缓冲区域(14)；以及p+型集电极区域(15)和n+型接触区域(18)，该p+型集电极区域(15)和n+型接触区域(18)被形成在n型缓冲区域(14)中。
绝缘双极晶体管

[发明专利]具有叉指背接触的太阳能电池-CN201580035784.4有效
发明人： J·B·亨格;谢志刚;徐征 -专利权人：光城公司
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池可以包括晶体硅基极层和在基极层的背侧上的电子集电极区域。电子集电极区域可以包括电耦合到基极层的第一导电氧化物材料。太阳能电池还可以包括在基极层的背侧上的空穴集电极区域。空穴集电极区域可以包括电耦合到基极层的第二导电氧化物材料。电子集电极区域和空穴集电极区域可以形成叉指图案。此外，第一导电氧化物材料和第二导电氧化物材料具有不同的功函数。
具有叉指背接触太阳能电池

[发明专利]横向绝缘栅双极晶体管-CN201110274680.2有效
发明人：户仓规仁;高桥茂树;芦田洋一;中川明夫 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/47 文献下载
摘要：一种N沟道横向绝缘栅双极晶体管，包括半导体衬底(1、30、40)、漂移层(2)、集电极区域(4)、沟道层(6)、发射极区域(7)、栅极绝缘膜(10)、栅电极(11)、集电极电极(12)、发射极电极(13集电极区域(4)包括具有高杂质浓度的高杂质浓度区域(4a)和杂质浓度比高杂质浓度区域(4a)低的低杂质浓度区域(4b)。集电极电极(12)与高杂质浓度区域(4a)欧姆接触并且与低杂质浓度区域(4b)肖特基接触。
横向绝缘双极晶体管

[发明专利]半导体装置以及放大器模块-CN202010195743.4在审
发明人：佐佐木健次;近藤将夫;小屋茂树;高桥新之助;梅本康成;大部功;筒井孝幸 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制与多个晶体管单元连接的集电极布线的寄生电感的增加的半导体装置以及放大器模块。设置有两个单元列，由相互平行地排列的多个晶体管单元构成，每个晶体管单元包括设置在基板上的集电极区域、基极区域以及发射极区域。多个集电极引出布线分别与多个晶体管单元的集电极区域连接，并在与多个晶体管单元的排列方向交叉的方向上引出。集电极汇总布线使多个集电极引出布线相互连接。在俯视时配置在两个单元列之间的集电极中间汇总布线使从属于两个单元列中的一个单元列的多个晶体管单元分别引出的多个集电极引出布线相互连接。
半导体装置以及放大器模块

[发明专利]电力用半导体装置-CN201480074589.8有效
发明人：中村胜光 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：半导体衬底(SB)包含漂移区域(1)及集电极区域(3)。漂移区域(1)跨越有源区域(AR1)、界面区域(AR2)、以及边缘端接区域(AR3)而设置。集电极区域(3)仅设置于有源区域(AR1)，局部地形成第2面(S2)。发射极电极(13a)设置于有源区域(AR1)，与半导体衬底(SB)的第1面(S1)相接触。集电极电极(4)设置于半导体衬底(SB)的第2面(S2)，与集电极区域(3)相接触。
电力半导体装置

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