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[发明专利]半导体元件-CN201910461963.4在审
发明人：胡振国;廖建舜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本揭露提供一种栅控金属‑绝缘体‑半导体隧道二极管元件，其具有可控制的负跨导行为。在一些实施例中，元件包含基材、位于基材的表面上的隧道二极管介电层以及位于基材表面并邻近于隧道二极管介电层的栅极介电层。隧道二极管电极配置于隧道二极管介电层上，栅极电极配置于栅极介电层上。基材电极配置于基材的表面，而隧道二极管电极位于栅极电极与基材电极之间。
半导体元件

[发明专利]具有集成监测光电二极管的发光器件发明背景-CN200580020841.8无效
发明人：詹姆斯·冈特 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：单片形成的激光器和光电二极管。所述单片形成的激光器和光电二极管包括包含第一PN结的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述第一PN结包括第一p层和第一n层。通过晶片制造工艺，隧道二极管物理地和电地连接到VCSEL。光电二极管连接到隧道二极管。所述光电二极管通过物理的和电的连接而连接到所述隧道二极管。所述隧道二极管和光电二极管可共用某些共同的层。所述隧道二极管包括第二PN结。所述单片形成的激光器和光电二极管允许具有二极管偏置灵活性的集成结构，包括使用单个电源以使所述激光器和光电二极管偏置。
具有集成监测光电二极管发光器件发明背景

[实用新型]隧道二极管检波器截止频率扩展电路-CN200920169181.5无效
发明人：廖阳;杨官洪;刘小东;吴建 -专利权人：成都川美新技术开发有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种隧道二极管检波器截止频率扩展电路，其特征在于：包括匹配电路、电感器、电容器、低通滤波器和2个隧道二极管；所述匹配电路一端与微波信号输入端相连接，另一端与检波电路相并联；所述检波电路中2个隧道二极管和电容器依次串联后再与电感器相并联；所述电容器与串连有低通滤波器的被检元件相并联；所述隧道二极管检波器的截止频率为：式中，L为隧道二极管的总引线电感，Cj为隧道二极管的结电容。该隧道二极管检波器截止频率扩展电路可将微波频段的检波器扩展到毫米波频段，从而满足毫米波通讯的功率检测；同时还具有电路简单、安全可靠等优点。
隧道二极管检波器截止频率扩展电路

[发明专利]纳米线隧道二极管及其制造方法-CN201080058846.0无效
发明人： M.博格斯特雷姆;M.赫尔林;S.费尔特 -专利权人：索尔伏打电流公司
申请日： 2010-10-22 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L29/885 文献下载
摘要：本发明提供一种隧道二极管及其制造方法。隧道二极管包括形成至少部分在纳米线（1）内的pn结（6）的p掺杂半导体区域（4）和n掺杂半导体区域（5）。优选地，纳米线（1）由形成同质结或者异质结隧道二极管的一种或者多种化合物半导体材料制成。异质结隧道二极管可以是类型I（跨骑间隙）、类型II（交错间隙）或者类型III（断裂间隙）。
纳米隧道二极管及其制造方法

[发明专利]用于太阳能电池中的隧道结的高掺杂层-CN201080009936.0有效
发明人： C·M·费策尔 -专利权人：波音公司
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明关于一种用于多结太阳能电池中的互连隧道结的高掺杂层。高掺杂层是被用来连接多结太阳能电池中的两个或更多个p在n上或n在p上的太阳能电池的隧道二极管结的一层或两层中的δ掺杂层。δ掺杂层通过以下步骤制造：中断隧道二极管的多层中的一层的外延生长，以明显比用在生长隧道二极管的层中的浓度大的浓度沉积δ掺杂剂，并且之后继续外延地生长剩余的隧道二极管。
用于太阳能电池中的隧道掺杂

[发明专利]隧道二极管和具有这种隧道二极管的存储元件-CN94113094.0无效
发明人：Ｒ·Ｍ·沃尔夫;Ｐ·Ｗ·Ｍ·布罗姆;Ｍ·Ｐ·Ｃ·Ｍ·克里恩 -专利权人：皇家菲利浦电子有限公司
申请日： 1994-12-09 - 公布日： 1998-12-23 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明涉及一种隧道二极管，它有二个金属导电电极（１，２）电极间有绝缘介质（３），对电子构成一定的势垒高度，势垒的厚度使电子能穿过势垒从一电极到另一电极。在许多应用中希望隧道二极管保持一定的开关状态。本发明的隧道二极管的特征是介质（３）包括一层铁电体材料，此材料在室温下具有影响势垒高度的剩余极化。因而此隧道二极管有与介质（３）的剩余极化有关的许多开关状态。此开关状态一直保持到介质（３）的极化改变。
隧道二极管具有这种存储元件

[发明专利]一种用于条纹相机的同步扫描电路-CN201611029974.8在审
发明人：孙敬泽 -专利权人：孙敬泽
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： G01C11/02 文献下载
摘要：电路由隧道二极管单稳态电路、隧道二极管单稳态触发电路、单稳态同步扫描电路、隧道二极管双稳态电路组成。
同步扫描电路隧道二极管条纹相机单稳态触发电路单稳态电路反应速度快双稳态电路存储容量电路结构工作稳定检测领域控制模块扫描电路单稳态功耗电路

[发明专利]多结太阳能电池-CN201480037825.9有效
发明人：马蒂厄·鲍德瑞特;托马斯·西格纳玛谢克斯 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2014-06-16 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，包括至少两个子电池(23，25)的堆叠，隧道二极管(27)包括以相反的导电类型高度掺杂的叠加的第一层和第二层(29，31)，所述隧道二极管被放置在两个相邻的子电池之间；第一电极(35)和第二电极(39)，分别与所述堆叠两侧处的表面中的面(28)和另一面(22)接触；以及对于至少一个隧道二极管(27)，第三电极(41)和第四电极(43)分别与所述隧道二极管的第一层(31)和第二层
太阳能电池

[发明专利]二极管电路控制器构建方法、电路控制方法、装置和设备-CN202210712603.9在审
发明人：齐文海;张灿;宗广灯;曹佃国;孙海滨;杨东 -专利权人：曲阜师范大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管电路控制器构建方法、电路控制方法、装置、设备，属于自动控制技术领域。控制器构建方法包括：建立二极管电路的转移概率部分未知模糊马尔科夫切换奇异摄动模型；建立采集二极管电路的电压和电流的事件触发机制；选取二极管电路在符合奇异摄动以及事件触发机制情况下的模糊控制律；基于模糊控制律以及转移概率部分未知模糊马尔科夫切换奇异摄动模型建立二极管电路的反馈控制系统本发明实施一例公开的技术方案可以有效地降低奇异摄动参数与通信负担对多模态隧道二极管电路系统的影响，解决了多模态隧道二极管电路系统的模糊控制问题，提高多模态隧道二极管电路系统的性能。
二极管电路控制器构建方法控制装置设备

[发明专利]具有集成的保护二极管的太阳能电池-CN200580014852.5有效
发明人： G·斯特罗布尔 -专利权人： RWE太空太阳能有限责任公司
申请日： 2005-05-10 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池，其具有在前和后接触之间延伸的光敏半导体层和集成的保护二极管(旁路二极管)，所述保护二极管具有与太阳能电池相反朝向的极性和在前侧延伸的p型导电的半导体层，其中保护二极管与前接触连接为保证保护二极管高的稳定性，尤其为抑制金属原子的迁移，建议隧道二极管(38)在保护二极管(32)的p型导电的半导体层(36)上延伸，所述隧道二极管可通过n⁺型层与前接触(14)连接
具有集成保护二极管太阳能电池

[发明专利]可调电压源-CN201610829033.6有效
发明人： D·富尔曼;W·古特;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2016-09-18 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：一种可调电压源，其具有：数量为N的相互串联连接的部分电压源，部分电压源构造为半导体二极管，部分电压源中的每一个具有一个半导体二极管，半导体二极管具有p‑n结，每个半导体二极管具有p掺杂的吸收层，p吸收层被p掺杂的钝化层钝化，p掺杂的钝化层具有比p吸收层的带隙更大的带隙，半导体二极管具有n吸收层，n吸收层被n掺杂的钝化层钝化，n掺杂的钝化层具有比n吸收层的带隙更大的带隙；在每两个彼此相继的部分电压源之间构造有一个隧道二极管，隧道二极管具有多个半导体层，多个半导体层具有比p/n吸收层的带隙更高的带隙；部分电压源和隧道二极管单片地集成在一起且共同构成具有上侧和下侧的第一堆叠，且部分电压源的数量N大于等于2。
可调电压

[发明专利]一种隧道二极管电路系统的性能跟踪控制器设计方法-CN202310644488.0在审
发明人：宋晓娜;张俊杰;宋帅;吴承霖;李阁强;张雷鸣;孙鹏;冯博洋 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧道二极管电路系统的性能跟踪控制器设计方法，具体步骤为：基于隧道二极管电路系统的数学模型，采用指令滤波反步法，结合均方实际有限时间稳定理论、预设性能控制技术和事件触发控制机制，设计有限时间预设性能跟踪控制器本发明可使隧道二极管电路系统的输出信号在有限时间内跟踪期望信号，也可使闭环系统的所有信号为有限时间有界，同时解决了“复杂性爆炸”问题，消除了滤波器误差，还可使跟踪性能在任意设定时间内满足预设的需求，并结合了事件触发机制
一种隧道二极管电路系统性能跟踪控制器设计方法

[发明专利]堆叠状半导体结构-CN201711147759.2在审
发明人： D·富尔曼;W·古特;V·科伦科 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/102 文献下载
摘要：一种堆叠状半导体结构具有：N个相互串联连接的半导体二极管，每个半导体二极管具有一个p‑n结，在各两个彼此相继的半导体二极管之间构造隧道二极管，半导体二极管和隧道二极管一起单片式地集成并且共同形成具有上侧和下侧的堆叠，半导体二极管的数目N大于等于2，在以光照射堆叠的情况下堆叠在300K的情况下具有大于2V的源电压，以及在从第一堆叠的上侧朝堆叠的下侧，半导体二极管的p型和n型吸收层的总厚度从最上面的二极管朝最下面的二极管增加，半导体二极管具有相同的带隙，堆叠构造在衬底上，在堆叠的下侧附近构造有环绕的、凸肩状的主级，主级具有出口面，堆叠借助下侧布置在衬底上，衬底包括半导体材料。
半导体二极管堆叠二极管衬底半导体结构堆叠状主级半导体材料隧道二极管堆叠构造构造隧道出口面单片式光照射吸收层源电压带隙凸肩环绕

[发明专利]n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法-CN201010117449.8有效
发明人：李红东;桑丹丹;吕宪义 -专利权人：吉林大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极，p-型金刚石(1)作为导电阳极。本发明的具有负阻特性的隧道二极管不需要采用以往的多层复杂结构，具有较大电流峰谷比；其制备方法具有简单、可控性强、晶体质量高、制造廉价等优点。
氧化锌金刚石异质结隧道二极管及其制作方法

[发明专利]堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池-CN201911281644.1有效
发明人： D·富尔曼;R·范莱斯特;M·莫伊泽尔 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠状的单片的正置变质的多结太阳能电池，其具有：至少一个第一子电池，第一子电池具有第一带隙、第一晶格常数，并且超过50％由锗组成；布置在第一子电池上方的第二子电池，第二子电池具有第二带隙和第二晶格常数；布置在第一子电池和第二子电池之间的变质缓冲部，变质缓冲部包括至少三个层的序列，三个层具有在第二子电池的方向上逐层增大的晶格常数；布置在变质缓冲部和第二子单元之间的第一隧道二极管，第一隧道二极管具有n+层和p+层，其中，第二带隙大于第一带隙，第一隧道二极管的n+层包括InAlP，第一隧道二极管的p+层包括含As的III‑V族材料，在n+层和p+层之间布置有中间层
堆叠单片变质太阳能电池

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