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[发明专利]一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410438469.3有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种跨骑型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法，该器件包括隧穿源区，沟道区，漏区和位于沟道上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为跨骑型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处，隧穿源区导带底位于沟道区导带底的上方，隧穿源区价带顶位于沟道区价带顶下方；若为P型器件则隧穿源区导带底位于沟道区导带底的下方，隧穿源区价带顶位于沟道区价带顶上方本发明可显著提高隧穿场效应晶体管的开态电流，同时保持较陡直的亚阈值斜率。其制备工艺简单有效，极大降低生产成本。
一种跨骑型异质结共振场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)-CN202011048141.2有效
发明人：黄朝兴;金宇中;戴文长 -专利权人：全新光电科技股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种具有穿隧接面层的垂直腔面激光发射器(VCSEL)，在VCSEL中设置高掺杂浓度的穿隧接面层，其中通过使穿隧接面层的N型穿隧接面层相对于基板具有应力以及掺杂至少一元素，而使穿隧接面层不仅具有高掺杂浓度，且在后续的氧化处理时，外延层不但能被氧化且氧化速率较稳定；或者，N型穿隧接面层掺杂至少两种元素。借此，VCSEL不但能稳定进行氧化制程，且高掺杂浓度的穿隧接面层的电阻小，适合设置在VCSEL的两主动层之间或P型半导体层与N型半导体层之间；N型穿隧接面层也适合作为欧姆接触层。
具有穿隧接面层垂直激光发射器 vcsel

[发明专利]一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法-CN202111076064.6在审
发明人：张毅;张骏;岳金顺 -专利权人：苏州紫灿科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法，该具有隧穿结构的深紫外LED由下至上依次设置有蓝宝石衬底、AlN缓冲层、AlN本征层、n型AlGaN电子注入层、量子阱有源层、p型AlGaN电子阻挡层、GaN隧穿层以及n型AlGaN接触层，p型AlGaN电子阻挡层、GaN隧穿层以及n型AlGaN接触层构成复合隧穿结构。本发明提供了一种具有隧穿结构的深紫外LED及其制备方法，通过P‑AlGaN/i‑GaN/n‑AlGaN复合隧穿结构来提高注入到量子阱中的载流子浓度，进而提高深紫外LED的量子效率。
一种具有结构深紫 led 及其制备方法

[发明专利]一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管-CN201910023720.2有效
发明人：谢倩;李杰;黄安鹏;王政 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件领域，提供一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管，用以提升无结型隧穿场效应晶体管开态电流；本发明隧穿场效应晶体管通过源区金属与漏区金属的功函数与沟道区半导体电子亲和势的差值，在未掺杂或轻掺杂的沟道中通过电学掺杂形成P型掺杂特性源区与N型掺杂特性漏区；改变了传统无结型双栅隧穿晶体管上下对称的双栅结构，使顶层金属栅与底层金属栅具备长度差、即非对称双栅结构，在无结型双栅隧穿场效应晶体管的中引入载流子线隧穿，并以线隧穿为主；同时，可通过增加顶层金属栅的延伸长度，缩短底层金属栅长度来增加顶层金属栅与底层金属栅长度差值，增大晶体管的线隧穿面积，提升载流子隧穿几率，有效提升了器件的开态电流。
一种无结型双栅线隧穿场效应晶体管

[发明专利]抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201410167991.2有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-04-24 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种抑制输出非线性开启的隧穿场效应晶体管，包括隧穿源区，沟道区，漏区以及位于沟道上方的控制栅，隧穿源区为III-V族化合物半导体混合晶体，该混合晶体的混晶比沿垂直器件表面方向连续变化，隧穿源区与沟道交界面处的异质隧穿结的能带结构沿垂直器件表面方向是渐变的；在器件表面处为交错型异质结隧穿源区，该处隧穿结为交错型异质结；在距器件表面一定距离处为错层型异质结隧穿源区，该处隧穿结为错层型异质结，这两个隧穿源区掺杂类型相同。所述的隧穿场效应晶体管制备工艺简单，制备方法完全基于标准的CMOS IC工艺，能有效地在CMOS集成电路中集成TFET器件，还可以利用标准工艺制备由TFET组成的低功耗集成电路，极大地降低了生产成本，简化了工艺流程
抑制输出非线性开启场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN201410438228.9有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种反错层型异质结共振隧穿场效应晶体管及其制备方法。该器件包括隧穿源区、沟道区、漏区和位于沟道区上方的控制栅，其中，隧穿源区与沟道区的异质隧穿结的能带结构为反错层型异质结。若为N型器件则在隧穿源区与沟道区的异质隧穿结交界面处，隧穿源区的导带底位于沟道区的价带顶以下；若为P型器件则隧穿源区的价带顶位于沟道区的导带底以上。本发明可显著提高隧穿场效应晶体管的开态电流，同时有效抑制器件关态电流，保持较陡直的亚阈值斜率。其制备方法有效地利用标准工艺制备由TFET组成的低功耗集成电路，极大地降低生产成本，工艺简单。
一种反错层型异质结共振场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法-CN202310501452.7在审
发明人：王伟 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿层钝化接触处理电池、电池组件及制备方法，应用于光电技术领域，该电池包括：硼扩散掺杂层、N型衬底、隧穿层和分层设置的掺杂钝化层，硼扩散掺杂层设置在N型衬底的一侧，隧穿层设置在N型衬底背向硼扩散掺杂层的一侧，掺杂钝化层设置在隧穿层背向N型衬底的一侧，分层设置的掺杂钝化层中，多层子掺杂钝化层的掺杂浓度沿背向隧穿层的方向逐层增加。本发明通过将设置在隧穿层背向N型衬底一侧的掺杂钝化层，设置为掺杂浓度沿背向隧穿层的方向逐层增加的多层结构，使靠近隧穿层一侧的子掺杂钝化层掺杂浓度低，降低复合，保证电子迁移率的同时，使远离隧穿层一侧的子掺杂钝化层掺杂浓度高
一种隧穿层钝化接触处理电池组件制备方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器芯片-CN202111121571.7在审
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本发明通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益
垂直发射激光器芯片

[实用新型]垂直腔面发射激光器芯片-CN202122317451.6有效
发明人：佟存柱;王延靖;汪丽杰;王立军 -专利权人：吉光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种垂直腔面发射激光器芯片，包括衬底和从下至上依次制备在衬底上的缓冲层、N型DBR层、第一SCH层、第二SCH层、量子阱结构层、第三SCH层、氧化结构层、P型DBR层、P型接触层，在第一SCH层与量子阱结构层之间制备有隧穿层，隧穿层的禁带宽度大于量子阱结构层的禁带宽度，载流子依次经N型DBR层、第一SCH层传输到隧穿层，再以隧穿方式穿过隧穿层注入量子阱结构层中以隧穿方式传输。本实用新型通过在SCH层与量子阱结构层之间增加隧穿层，并且优化量子阱结构层中势垒层的厚度，使得载流子以隧穿的方式注入量子阱结构层并且在量子阱层与势垒层之间隧穿传输，从而改善载流子传输效应与热载流子效应并提高微分增益
垂直发射激光器芯片

[发明专利]一种隧穿型忆阻器及其制备方法和应用-CN202211115756.1在审
发明人：葛军;马泽霖;陈莞君;曹栩诚;刁山青;林浩;刘志宇;潘书生 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明属于电子器件领域，公开了一种隧穿型忆阻器及其应用，该隧穿型忆阻器自上至下依次由顶电极、渗流层、隧穿层和底电极组成，其中，所述渗流层为活性金属掺杂的氧化硅层。本发明采用活性金属掺杂的氧化硅层提供的活化能低、迁移速度快、不存在退极化问题的活性金属团簇充当调节隧穿层势垒的媒介，有效解决传统隧穿型忆阻器中氧空位迁移速度慢、容易退极化的问题，在保持了传统隧穿型忆阻器循环稳定性高、连续电导调节能力强的优势外，还赋予了器件开关速度快、数据保持时间长等导电细丝型忆阻器才具备的优点。
一种隧穿型忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种互补隧穿晶体管结构及其制备方法-CN200910200625.1无效
发明人：王鹏飞;孙清清;丁士进;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2009-12-24 - 公布日： 2010-07-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种源极为窄禁带宽度的互补隧穿晶体管(CTFET)结构及其制备方法。该互补隧穿晶体管由源极为窄禁带宽度的U形N型隧穿晶体管(NTFET)和U形P型隧穿晶体管(PTFET)组成。对于N型隧穿晶体管，使用SiGe、Ge等材料，对于P型隧穿晶体管，使用AsGa、InAsGa等材料。
一种互补晶体管结构及其制备方法

[实用新型]一种TOPcon电池-CN202120404153.8有效
发明人：于琨;刘长明;张昕宇;金浩;高贝贝 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPcon电池，包括P型硅基底，所述P型硅基底的正面依次包括层叠隧穿层、多晶硅层和氮化硅层；所述层叠隧穿层包括层叠设置的下述膜层中的一种或几种：氧化铝层、氧化铪层、氧化硅层、碳化硅层或氮化硅层、氮氧化硅；所述层叠隧穿层的总厚度为1.2～1.8nm，所述层叠隧穿层中靠近所述P型硅基底的膜层的厚度为0.4～1.2nm。本实用新型所提供的技术方案，通过在P型TOPcon电池的正面设置由特定的复合膜层组成的层叠隧穿层，并优化层叠隧穿层的总厚度以及层叠隧穿层中靠近P型硅基底的膜层的厚度，从而减小电池填充和开压波动，提高电池效率集中度
一种 topcon 电池

[发明专利]三结叠层GaAs激光光伏电池及其制备方法-CN201210154998.1无效
发明人：赵春雨;董建荣;赵勇明;孙玉润;李奎龙;于淑珍;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明提供一种三结叠层GaAs激光光伏电池，包括GaAs的衬底，以及在所述衬底上依次设置的N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层以及GaAs接触层。本发明还提供一种如上述的三结叠层GaAs激光光伏电池制备方法，包括步骤：（1）提供GaAs衬底；（2）在衬底上依次生长N型GaAs导电层、第一隧穿结、底电池、第二隧穿结、中电池、第三隧穿结、顶电池、窗口层与
三结叠层 gaas 激光电池及其制备方法

[发明专利]一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结-CN202110180402.4在审
发明人：谭海仁;吴金龙;肖科 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，具体的说是一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结；所述隧穿结包括有致密的n型或p型半导体材料、隧穿复合层和p型或n型的半导体材料，且n型和p型半导体材料均分别具有电子和空穴传输能力；所述隧穿复合层为基于透明导电金属氧化物纳米晶的钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池隧穿复合层；通过本发明的一种钙钛矿/钙钛矿两端叠层太阳能电池的隧穿结，通过采用导电性较好的金属氧化物纳米晶作为钙钛矿/钙钛矿叠层太阳能电池中的隧穿复合层
一种钙钛矿两端太阳能电池隧穿结

[发明专利]多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法-CN201510071527.8有效
发明人：王明华;王伟;樊晓华;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。本发明适用于CMOS超大规模集成电路器件，可以实现隧穿场效应晶体管的低亚阈值斜率、低关态电流和低操作电压等特性，同时克服普通隧穿场效应晶体管开态电流低、驱动能力差的缺陷。
多层隧穿结三维场效应晶体管制备方法

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