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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]隔离衬垫-CN201280013318.2无效
  • 吉江里美;高比良等 - 日东电工株式会社
  • 2012-03-07 - 2013-12-04 - B32B27/36
  • 本发明可得到即使在使用属于生物质塑料的聚乳酸作为构成基材的材料、且使用紫外线固化型有机硅系剥离剂作为剥离剂的情况下也可形成有机硅固化性优异、基材密合性高的剥离性固化皮膜的隔离衬垫。本发明的隔离衬垫的特征在于，在聚乳酸基材的至少一个面上隔着底涂层设置有剥离处理层。底涂层的涂布量以固体成分换算计为例如0.1～5g/m2。聚乳酸基材可以含有改性剂。
  • 隔离衬垫
  • [发明专利]汽车座椅和用于制造设有衬垫的汽车座椅部分的方法-CN201210553205.3有效
  • 罗兰·于贝拉克;格拉尔德·赫布斯特 - 格拉默股份公司
  • 2012-12-18 - 2013-06-26 - B60N2/62
  • 本发明公开了汽车座椅和用于制造设有衬垫的汽车座椅部分的方法。该汽车座椅（1），其包括一座椅部分（2；2A）、一靠背部分（3）和一用于装饰该座椅部分（2）的衬垫部分（4），其中该衬垫部分（4）包括一衬垫部分罩元件（10）、一用于支撑该衬垫罩元件（10）的承载层元件（11）、一衬垫芯件（12）、一主衬垫元件（13）和一隔离层（14），其中该主衬垫元件（13）通过该隔离层（14）与该承载层元件（11）、该衬垫芯件（12）和该衬垫部分罩元件（10）间隔开，该隔离层（14）具有一无缝式的隔离层元件（15），该隔离层元件（15）以一带状产品的形式直接地连续地设置在该主衬垫元件（13）上。
  • 汽车座椅用于制造设有衬垫部分方法
  • [发明专利]集成电路装置的形成方法-CN201910870889.1在审
  • 蔡宗裔;李宗霖;陈燕铭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2019-09-16 - 2020-04-03 - H01L21/8234
  • 公开了包括不同型态的鳍状场效晶体管所用的隔离衬垫层的集成电路装置与相关的制作方法。形成氧化物衬垫层于第一区中的第一鳍状物与第二区中的第二鳍状物上。形成氮化物衬垫层于第一区与第二区中的氧化物衬垫层上。在自第一区移除氮化物衬垫层之后，形成隔离材料于氧化物衬垫层与氮化物衬垫层上，以填入第一沟槽与第二沟槽中。使隔离材料、氧化物衬垫层、与氮化物衬垫层凹陷，以形成第一隔离结构(隔离材料与氧化物衬垫层)与第二隔离结构(隔离材料、氮化物衬垫层、与氧化物衬垫层)。
  • 集成电路装置形成方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法-CN201710867399.7在审
  • 周颖;吴宗祐;林宗贤 - 德淮半导体有限公司
  • 2017-09-22 - 2018-02-16 - H01L21/02
  • 本发明提供一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及其制备方法，所述浅沟槽隔离结构的制备方法包括如下步骤1）提供半导体衬底；2）于所述半导体衬底内形成沟槽；3）于所述沟槽内形成覆盖所述沟槽侧壁及底部的浅沟槽隔离衬垫，所述浅沟槽隔离衬垫包括覆盖所述沟槽侧壁及底部的第一氧化硅层及覆盖所述第一氧化硅层表面的氮掺杂氧化硅层；4）于所述浅沟槽隔离衬垫表面填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，所述隔离材料填满所述沟槽。本发明通过形成包括氮掺杂氧化硅层的浅沟槽隔离衬垫，相较于现有技术，在形成相同厚度的浅沟槽隔离衬垫的前提下，对有源区的消耗比较小，从而减小对器件性能的不良影响。
  • 沟槽隔离结构半导体及其制备方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法-CN201210134249.2有效
  • 宋化龙 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2012-04-28 - 2013-10-30 - H01L21/762
  • 一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，其中所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底表面依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；去除部分硬掩膜层和衬垫氧化层并暴露出半导体衬底表面，以剩余的硬掩膜层和衬垫氧化层为掩膜，在半导体衬底内形成若干开口；在开口侧壁和底部形成衬垫层且衬垫层的材料为掺杂碳的硅、掺杂锗的硅或掺杂碳和锗的硅；在衬垫层表面形成与硬掩膜层表面齐平的绝缘层；去除硬掩膜层、衬垫氧化层以及高于半导体衬底表面的绝缘层本发明所述浅沟槽隔离结构的形成方法提高了浅沟槽隔离结构的隔离效果，且由所述浅沟槽隔离结构所隔离的半导体衬底表面形成半导体器件时，所述半导体器件的工作性能稳定。
  • 沟槽隔离结构及其形成方法
  • [发明专利]形成半导体器件的隔离膜的方法-CN200310120669.6无效
  • 李圣勋 - 海力士半导体有限公司
  • 2003-12-18 - 2004-07-14 - H01L21/76
  • 本发明公开了一种形成半导体器件的隔离膜的方法。该方法包括步骤：在硅衬底上顺序形成衬垫氧化膜和衬垫氮化膜；在衬垫氮化膜上形成透过其开放隔离区域的光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模蚀刻衬垫氮化膜和衬垫氧化膜，由此暴露隔离区域的硅衬底；实施电化学蚀刻工艺以在暴露的隔离区域的硅衬底中形成多孔硅；移除光致抗蚀剂图案；以及，实施热氧化工艺以氧化多孔硅，藉此在隔离区域形成氧化膜。
  • 形成半导体器件隔离方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构及其形成方法-CN201010552499.9无效
  • 宋化龙;何永根 - 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
  • 2010-11-19 - 2012-05-23 - H01L21/762
  • 一种浅沟槽隔离结构形成方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成浅沟槽；在所述浅沟槽表面形成第一衬垫介质层；在所述第一衬垫介质层表面形成第二衬垫介质层；部分氧化所述第二衬垫介质层，形成第三衬垫介质层；形成填充满所述浅沟槽的隔离介质层本发明中在浅沟槽表面所形成的第一衬垫介质层可以修复刻蚀衬底形成浅沟槽的过程中对浅沟槽表面造成的破坏，并且减小后续形成的第二衬垫介质层与浅沟槽表面的应力；本发明中所形成的第二衬垫介质层可以防止蒸汽退火过程中，水分子和氧原子扩散到有源区，并与硅发生氧化反应；本发明中所形成的形成第三衬垫介质层可以降低后续隔离介质层的沉积速率，提高浅沟槽隔离结构的性能。
  • 沟槽隔离结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711241953.7有效
  • 周飞 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
  • 2017-11-30 - 2021-11-12 - H01L29/78
  • 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底和凸出于衬底的鳍部，鳍部包括位于衬底表面的鳍部第一部分和位于鳍部第一部分顶部的鳍部第二部分；在鳍部第一部分侧壁上形成第一衬垫层；在第一衬垫层表面、鳍部第二部分顶部及侧壁上形成第二衬垫层；在衬底上形成覆盖第二衬垫层的隔离膜，隔离膜顶部高于鳍部顶部或与鳍部顶部齐平；去除高于鳍部第一部分顶部的第二衬垫层及隔离膜，剩余隔离膜形成隔离层；在隔离层露出的鳍部顶部及侧壁表面形成栅氧化层。本发明中，第一衬垫层及第二衬垫层能够有效减弱隔离层对鳍部侧壁施加的应力大小，从而避免鳍部发生弯曲，并且形成隔离层的工艺窗口大，有助于提高隔离层的形成质量。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN201210556439.3在审
  • 王硕;许忠义 - 上海宏力半导体制造有限公司
  • 2012-12-19 - 2013-04-17 - H01L21/762
  • 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成若干隔离沟槽；在750℃~900℃温度条件下，通过热氧化工艺在所述隔离沟槽的底部和侧壁以及隔离沟槽两侧的半导体衬底上形成衬垫氧化层；在所述衬垫氧化层上形成氧化层，所述氧化层填满底部和侧壁形成有衬垫氧化层的隔离沟槽；平坦化所述氧化层和衬垫氧化层，至暴露出所述半导体衬底，形成浅沟槽隔离结构。本发明所形成的浅沟槽隔离结构中不包含空洞，隔离效果好，包含浅沟槽隔离结构的半导体器件的稳定性好。
  • 沟槽隔离结构形成方法
  • [发明专利]浅沟槽隔离区的制作方法-CN200910195861.9无效
  • 李敏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-09-17 - 2011-04-20 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种浅沟槽隔离区的制作方法，该方法包括：在形成浅沟槽隔离区之前，通过低压化学淀积形成衬垫氮化物，所形成的衬垫氮化物的厚度大于制作浅沟槽隔离区所需的衬垫氮化物的厚度；利用干法刻蚀去除晶圆正面衬垫氮化物大于制作浅沟槽隔离区所需的衬垫氮化物厚度的部分；在刻蚀后的晶圆正面形成浅沟槽隔离区。采用本发明的方法，在晶圆背面形成一层衬垫氮化物，不仅能够提高晶圆背面的抗腐蚀性，而且不会对晶圆正面制作的芯片产生不良影响，解决了由于晶圆背面被腐蚀而引起的芯片质量不佳的问题。
  • 沟槽隔离制作方法
  • [实用新型]一种自粘型丁腈橡胶传力衬垫-CN201920739576.8有效
  • 张春宝;张超 - 衡水明光工程橡胶有限公司
  • 2019-05-17 - 2020-06-19 - E21D11/08
  • 本实用新型属于盾构管片丁腈橡胶传力衬垫技术领域，特别涉及一种自粘型丁腈橡胶传力衬垫，包括橡胶传力衬垫本体、热熔胶层以及可揭开的隔离膜层，所述橡胶传力衬垫本体的上下面分别覆盖热熔胶层，所述热熔胶层上覆盖隔离膜层，在橡胶传力衬垫本体的上下面分别覆盖热熔胶层，所述热熔胶层上覆盖隔离膜层，使用时，将管片连接处处理干净，揭下隔离膜层，就可以直接将盾构管片丁腈橡胶传力衬垫粘合在管片的连接处，简化了施工工序，大大提高了施工效率
  • 一种丁腈橡胶衬垫
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