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[发明专利]碱金属阻挡层-CN201280026810.3无效
发明人： F·克拉博 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种玻璃板，包括玻璃基材，和位于玻璃基材至少一部分表面上的叠层，叠层中包括阻挡层，形成对所述基材内所包含离子迁移的阻挡，这些离子特别是碱金属Na+或K+，所述阻挡层在叠层之中，位于所述基材的表面和至少一个顶层之间所述阻挡层基本上由氧化硅或氮氧化硅组成，所述玻璃板的特征在于，所述氧化硅或氧氮化物还包括一种或多种选自由Al、Ga或B组成的组中的元素，并且特征还在于，在所述阻挡层中Si/X的原子比严格地低于92/8，
碱金属阻挡

[发明专利]发射辐射的光电子半导体组件及其制造方法-CN201580066159.6在审
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;斯特凡·伊莱克;迈克尔·齐茨尔斯佩格;布丽塔·格厄特茨 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提出一种发射辐射的光电子半导体组件，其具有辐射透射面(S)，在半导体组件运行中产生的光(R)穿过所述辐射透射面；第一阻挡层(1)，所述第一阻挡层设置在辐射透射面(S)的上侧上并且在那里至少局部地与辐射透射面(S)直接接触；转换元件(3)，所述转换元件设置在第一阻挡层(1)的背离辐射透射面(5)的上侧上；第二阻挡层(2)，所述第二阻挡层设置在转换元件(3)的背离第一阻挡层(1)的上侧上和设置在第一阻挡层(1)的上侧上，其中第一阻挡层(1)和第二阻挡层(2)共同地完全包围转换元件(3)，并且第一阻挡层(1)和第二阻挡层(2)局部地彼此直接接触。
发射辐射光电子半导体组件及其制造方法

[发明专利]用于发光器件中高效电子和空穴阻挡的应力ALGAINP层-CN201880063257.8在审
发明人： L.布萨尔;T.钟;P.德布 -专利权人：亮锐有限责任公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：该发光器件包括电子阻挡层，其中，该电子阻挡层的至少一部分被布置为具有拉伸应力，空穴阻挡层，其中，该空穴阻挡层的至少一部分被布置为具有压缩应力，以及设置在该空穴阻挡层和电子阻挡层之间的有源层。
用于发光器件高效电子空穴阻挡应力 algainp

[发明专利]一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET的制造方法-CN202310104840.1有效
发明人：张长沙;何佳;单体玮 -专利权人：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET的制造方法，在碳化硅衬底的漂移层上形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，形成基区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，离子注入，形成源区；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻、淀积金属，形成源极金属层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，氧化，形成栅隔离层；重新形成阻挡层，并对阻挡层蚀刻，淀积金属，形成栅极金属层；清除阻挡层，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，设有寄生肖特基二极管，其导通压降要低于一般VDMOSFET中的寄生PN结二极管，可以降低在器件未导通时的损耗；并且栅极金属层和源极金属层相互交叉，可以增加器件的栅控能力。
一种交叉平面碳化硅 vdmosfet 制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201711037435.3有效
发明人：邓银屏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极凹槽；在所述栅极凹槽的底部和侧壁上形成功函数层；在所述功函数层上形成富金属的扩散阻挡层；在所述富金属的扩散阻挡层上形成富氮的扩散阻挡层；在所述富氮的扩散阻挡层上形成填充所述栅极凹槽的金属栅电极。本发明提供的半导体器件及其制造方法，在功函数层上依次形成了富金属的扩散阻挡层和富氮的扩散阻挡层，所述富金属的扩散阻挡层能够避免功函数层中的金属扩散到扩散阻挡层中，所述富氮的扩散阻挡层提高了扩散阻挡层整体的扩散阻挡能力
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310561637.3在审
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;黄辉 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次包括：阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，所述阴极层上还设有阻挡层，所述阻挡层由交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层组成；其中：所述有机阻挡层的材质为膜层氢化碳氮化合物；所述无机阻挡层的材质为由氮化物、硅化物和碳化物组成的混合物。本发明交替重叠的有机阻挡层和无机阻挡层，致密性高，防水氧能力强。而且本发明有机阻挡层和无机阻挡层的制备方法具有原料廉价、工艺简单以及易于大面积制备等特点。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310121393.7无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层以及混合阻挡层；所述混合阻挡层由第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第一无机阻挡层、第三有机阻挡层、第四有机阻挡层和第二无机阻挡层依次层叠组成，并且一层所述第一有机阻挡层与所述阴极层直接接触。上述有机电致发光器件的混合阻挡层具有很好的柔韧性和很高的致密性，能够防止水汽和氧气进入有机电致发光器件。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件具有较长的使用寿命。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置-CN202010408842.6有效
发明人：胡小波 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：所述制备方法包括步骤：提供一衬底基板；在所述衬底基板上制备第一阻挡层；在所述第一阻挡层上制备导电层；在所述导电层上制备第二阻挡层；在所述第二阻挡层上形成光阻图案；对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第一次湿刻蚀，其中，所述第二阻挡层端部形成第一凸起；对所述光阻图案进行等离子体处理，所述光阻图案与所述第二阻挡层之间形成第一间隙；对所述第一阻挡层、所述导电层、以及所述第二阻挡层进行第二次湿刻蚀。本发明实施例有效去除顶部阻挡层产生的帽檐，避免后续制备介电层时发生破裂、断膜现象，提高产品良率。
一种显示面板制备方法显示装置

[发明专利]一种晶体管的栅极结构及其制造方法-CN201810580617.3在审
发明人：王世铭;胡展源;黄志森 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：上述晶体管的栅极结构，位于衬底上，上述栅极结构与上述衬底之间通过栅极绝缘层隔离，上述栅极结构包括功函数层以及位于上述功函数层与上述栅极绝缘层之间的多组复合阻挡层，每组上述复合阻挡层包括层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，上述第一阻挡层的材质不同于上述第二阻挡层的材质。通过形成多个交替层叠的第一阻挡层与第二阻挡层，能够起到更优的阻挡作用，并改善器件的电特性稳定度。
阻挡层栅极结构晶体管复合阻挡层栅极绝缘层功函数层衬底交替层叠电特性稳定度制造隔离阻挡

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310121392.2无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张娟娟 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极层以及混合阻挡层；所述混合阻挡层由第一有机阻挡层、第二有机阻挡层、第一无机阻挡层、第三有机阻挡层、第四有机阻挡层和第二无机阻挡层依次层叠组成，并且所述第一有机阻挡层与所述阴极层直接接触。上述有机电致发光器件的混合阻挡层具有很好的柔韧性和很高的致密性，能够防止水汽和氧气进入有机电致发光器件。相对于传统的有机电致发光器件，这种有机电致发光器件具有较长的使用寿命。
有机电致发光器件及其制备方法

[实用新型]一种LED芯片-CN202023217520.8有效
发明人：蔡琳榕;张晶晶;林大铨;杨力勋;廖生地;林晓芸 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本实用新型提供一种LED芯片，所述LED芯片包括基板、外延层、第一电极结构、第二电极结构、反射层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层以及第一电极焊盘，其特征在于在反射层上依次形成第一扩散阻挡层和第二扩散阻挡层，且第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率。一方面，在反射层上依次形成两层扩散阻挡层，有效地阻挡了反射层中的Ag向相邻层中迁移；另一方面，第二扩散阻挡层的反射率小于第一扩散阻挡层的反射率，第一扩散阻挡层的反射率小于反射层的反射率，进一步提高了LED
一种 led 芯片

[发明专利]光伏装置-CN201180049398.2无效
发明人：本雅明·布勒;道格拉斯·道森;李青浩;斯科特·密尔斯;戴尔·罗伯茨;邵锐;赵志波;基思·J·伯劳斯;安妮特·克里斯科 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2011-08-15 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：描述了一种多层结构和形成该多层结构的方法，所述多层结构包括：第一阻挡层（101a），相邻于基底（100）；阻挡双层，相邻于第一阻挡层，阻挡双层包括第二阻挡层（101b）和第三阻挡层（101c）；透明导电氧化物层（112），相邻于阻挡双层；以及缓冲层（114），相邻于透明导电氧化物层。阻挡层结构具有多个阻挡层，所述多个阻挡层是低折射率材料和高折射率材料的交替层。所述多层结构可以用作光伏装置的前接触件。
装置

[发明专利]驱动基板及显示面板-CN202210193607.0在审
发明人：刘伟 -专利权人：广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动基板及显示面板，驱动基板包括衬底、第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、钝化层、源极和漏极。其中，第一栅极设置在衬底上。有源层设置在衬底上。第一栅绝缘层设置在有源层和第一栅极之间。第一栅绝缘层包括依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，第一阻挡层和第二阻挡层间的附着力和/或第二阻挡层和第三阻挡层间的附着力大于第一阻挡层和第三阻挡层之间的附着力。钝化层设置在衬底上。源极和漏极设置在钝化层上，并分别与有源层电性连接。
驱动显示面板

[发明专利]非连续复合阻挡层、其形成方法及包含其的封装结构-CN201210410391.5有效
发明人：陈俊廷;赖丰文;林昆蔚;王登彦 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-10-24 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：发明提出一种非连续复合阻挡层及其形成方法。非连续复合阻挡层包括：一第一阻挡层，位于一基板上；以及一第二阻挡层，位于第一阻挡层上，其中第一、第二阻挡层皆包括间隔设置的多个无机材料区及多个有机硅化合物(organo-silicon material)区，且第一、第二阻挡层的无机材料区与有机硅化合物区上下交替堆叠。本发明还提供包含上述非连续复合阻挡层的封装结构。
连续复合阻挡形成方法包含封装结构

[发明专利]自对准阻挡层形成方法-CN201010584316.1有效
发明人：周俊;陈薇宇;李绍彬;李赟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种自对准阻挡层形成方法。本发明的自对准阻挡层形成过程中，在执行快速热退火工艺前沉积第一自对准阻挡层，在快速热退火工艺后沉积第二自对准阻挡层，从而，使得形成的第一自对准阻挡层和第二自对准阻挡层总自对准阻挡层相较于现有工艺变得疏松了由此，后续进行刻蚀工艺时能将侧墙的自对准阻挡层完全刻蚀去除，提高MOS晶体管产品的可靠性。
对准阻挡形成方法