“阻光层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果3416288个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]利用金属掀离工艺制成的半导体元件-CN202121911038.6有效
发明人：邹政兴;赵大翔;胡荣森 -专利权人：晶瑞光电股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种利用金属掀离工艺制成的半导体元件，通过光阻涂布、曝光、显影、再镀上金属层，并利用光阻去除液去除光阻层，在去除光阻层时会将光阻层顶部的金属剥离，可不需蚀刻工艺，即可完成半导体元件所需的电路布设；此外，通过工艺参数安排，使光阻层的轮廓呈现特定角度，使光阻层表面的金属可被完全剥离，达到节省成本，有效提升竞争优势的目的。
利用金属工艺制成半导体元件

[发明专利]双镶嵌制程-CN02106882.8有效
发明人：宇先捷;杨士宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2002-03-07 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种双镶嵌制程，是于内层绝缘层上依序形成抗反射层和第一光阻层，第一光阻层具有介层窗开口或导线沟槽的图案；将第一光阻层的图案转移至抗反射层和内层绝缘层中；移除第一光阻层；于抗反射层上形成第二光阻层，第二光阻层具有导线沟槽或介层窗开口的图案；将第二光阻层的图案转移至抗反射层中和内层绝缘层的上部；移除第二光阻层，内层绝缘层的上部具有一导线沟槽，且内层绝缘层的下部具有一介层窗开口。具有将同一抗反射层用于介层窗开口和沟槽图案的形成，此同一抗反射层亦被用作硬罩幕以进行双镶嵌制程的功效。
镶嵌

[发明专利]减少刻蚀过程中的线路末端缩短-CN200880002066.7有效
发明人：山口叶子;高尔·科塔;弗兰克·Y·琳;钟青华 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-01-08 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种在刻蚀层中刻蚀特征的方法。在该刻蚀层上提供图案化的光阻掩膜，该光阻掩膜具有至少一个光阻线路，该光阻线路具有一对终止于线路末端的侧壁。在该至少一个光阻线路上放置聚合物层，其中在该光阻线路的该线路末端的该聚合物层的厚度大于在该光阻线路的该侧壁上的该聚合物层的厚度。将特征透过该光阻掩膜刻蚀入该刻蚀层，其中线路末端缩短(LES)比率小于或等于1。
减少刻蚀过程中的线路末端缩短

[发明专利]显示组件及电子设备-CN202211632206.7在审
发明人：李立胜 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10K59/38 文献下载
摘要：本申请提供一种显示组件及电子设备，涉及通信技术领域，所述显示组件包括依次层叠设置的彩膜层、触控层及发光层：其中，所述发光层包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；所述彩膜层包括第一光阻块、第二光阻块和第三光阻块；其中，所述第一光阻块、第二光阻块和第三光阻块中任意相邻的两个光阻块之间设有黑色矩阵块，所述黑色矩阵块设置有第一开孔，所述第一开孔所在的位置设置有第四光阻块，所述第四光阻块为允许目标波长的光线透过的光阻块
显示组件电子设备

[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置-CN202111498959.9在审
发明人：邵源 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供了一种阵列基板的制作方法、阵列基板以及显示装置，所述制作方法包括：在衬底上形成图案化的第一金属层、半导体层和第二金属层；在第二金属层上形成绝缘层；在绝缘层上涂布第一光阻层，采用第一道光罩对第一光阻层进行曝光、显影处理，形成图案化的光阻，图案化的光阻的坡度角为直角或钝角；在绝缘层和沉积像素电极层，使得图案化的光阻的侧面显露于像素电极层；去除图案化的光阻，在绝缘层上形成图案化的像素电极。本申请通过将图案化的光阻的坡度角形成为直角或钝角，使沉积的在图案化的光阻上的像素电极层坡度角的边缘发生断裂，再将形成在光阻上的像素电极层剥离，以此有利于光阻及其上像素电极层的剥离，制作工艺简单。
阵列制作方法以及显示装置

[发明专利]制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台-CN201110330194.8有效
发明人：刘光泽;陈庆育;游江津;邱奕昇 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种制作图案化氧化物导电层的方法及蚀刻机台，方法包含下列步骤：于基板上形成氧化物导电层与图案化光阻层，其中该图案化光阻层部分暴露出该氧化物导电层。之后再利用蚀刻液蚀刻该图案化光阻层暴露出的该氧化物导电层，以及利用化学药剂除去该氧化物导电层上的该图案化光阻层，其中蚀刻该氧化物导电层的步骤与利用化学药剂除去图案化光阻层的步骤之间不包括对该基板进行水洗步骤蚀刻机台包含蚀刻单元与去光阻单元。蚀刻单元用以蚀刻基板上的图案化光阻层暴露出的氧化物导电层；去光阻单元用以除去氧化物导电层上的图案化光阻层，其中蚀刻单元与去光阻单元之间不包括水洗单元。
制作图案氧化物导电方法蚀刻机台

[发明专利]显示面板及其制作方法-CN201810532487.6有效
发明人：冯校亮 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-05-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制作方法，该制作方法包括：在基板上形成器件层；在器件层上定义光阻图案，其中，光阻图案包括光阻部分以及裸露部分，裸露部分未被光阻覆盖；依据光阻图案进行镀膜，使得裸露部分以及光阻部分均覆盖有相应的膜层；剥离光阻部分以及覆盖在光阻部分上的膜层，进而形成相应的目标膜层。该制作方法依据黄光、镀膜、剥离的顺序进行膜层的制作，由于不会用到蚀刻工艺，所有作为基底的工艺层均不会遭到蚀刻的破坏，可以确保良好的界面接触。
显示面板及其制作方法

[发明专利]显示面板及其制造方法-CN201911184199.7在审
发明人：朱超;马伟杰;蔡伟民;范文志;董正逵;朱翩;周梦怡;吴敏 -专利权人：合肥维信诺科技有限公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明涉及显示面板技术领域，特别是涉及显示面板及其制造方法，显示面板包括发光显示层、触控层和光阻层，所述发光显示层包括用于发出不同颜色的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；所述触控层设置于所述发光显示层上；所述光阻层包括第一子光阻层、第二子光阻层和第三子光阻层，用于分别覆盖所述第一发光单元、第二发光单元和所述第三发光单元，其中所述第一子光阻层、第二子光阻层和第三子光阻层中的至少两个彼此层叠地覆盖于所述触控层远离所述发光显示层一侧本发明的显示面板可以降低对外界环境光的反射率，减少制作步骤，提升产能，显示面板厚度较小，易弯折，易用于柔性显示。
显示面板及其制造方法

[发明专利]一种针对倒扣曲面屏及其喷涂曝光工艺方法-CN202010332804.7有效
发明人：易奎;王颖;耿伟策;李键省 -专利权人：河北叁迪光学科技有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本发明属于电子设备领域，具体公开了一种针对倒扣曲面屏及其喷涂曝光工艺方法，倒扣曲面屏包括倒扣曲面屏面板；倒扣曲面屏面板的外表面边缘设置有光阻层；光阻层包括第一光阻层和第二光阻层，第一光阻层设置在倒扣曲面屏面板上，第二光阻层设置在第一光阻层上。本发明的喷涂曝光工艺通过旋转角度喷涂机的高精密喷枪把负性光阻剂均匀涂布在显示区的玻璃面板上，并用等离子清洁，增加光阻剂和玻璃面板之间的附着牢固程度，再用曝光机进行曝光，在光阻层形成图案；整个过程，采用了两次喷涂曝光
一种针对倒扣曲面及其喷涂曝光工艺方法

[发明专利]一种针对U型环绕曲面屏及其喷涂曝光方法-CN202010332830.X有效
发明人：易奎;王颖;常滕蛟;耿伟策 -专利权人：河北叁迪光学科技有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：本发明属于电子设备领域，具体公开了一种针对U型环绕曲面屏及其喷涂曝光方法，包括U型环绕曲面屏面板；U型环绕曲面屏面板边缘设置有光阻层；光阻层包括第一光阻层和第二光阻层，第一光阻层设置在U型环绕曲面屏面板上，第一光阻层上设置有第二光阻层。本发明的喷涂曝光工艺通过旋转角度喷涂机、高精密的喷枪把光阻剂均匀涂布在显示区的玻璃面板上，并用等离子清洁，增加光阻剂和玻璃面板之间的附着牢固程度，再用曝光机进行曝光，在光阻层形成图案；整个过程，采用了两次喷涂曝光
一种针对环绕曲面及其喷涂曝光方法

[实用新型]一种含有阻光色母的鸡精镀铝包装-CN202221891784.8有效
发明人：苗自婷;苗集海;邬帅帆;陆君 -专利权人：上海太太乐食品有限公司
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：本实用新型提出一种含有阻光色母的鸡精镀铝包装，包括印刷层、阻光镀铝层和热封层；阻光镀铝层包括铝层和白色母基材膜；铝层附着于白色母基材膜表面；印刷层与铝层相粘附，热封层与白色母基材膜相粘附；本实用新型的包装层状结构简单，适合批量化生产以及应用，同时，阻光镀铝层添加有阻光色母，可以提高包装材料的阻光性能，达到透光率0.1％的性能；阻光镀铝层位于中间层，结合镀铝层隔离了空气和水分，提高了阻光性能的耐候性。
一种含有阻光色母镀铝包装

[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法-CN201310253860.1有效
发明人：安生健二 -专利权人：业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司
申请日： 2013-06-25 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管基板的制造方法，其包括：提供一基板；在该基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、蚀刻阻挡层、透明导电层及金属层；提供一光阻层，该光阻层覆盖在该金属层上，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，以形成图案化光阻层，该图案化光阻层邻近半导体层的部分较厚，远离半导体层的部分较薄，再对金属层进行蚀刻，直到暴露出部分蚀刻阻挡层；去除剩余的较薄部分的光阻层，以暴露出部分金属层；对暴露在外的金属层进行蚀刻，以暴露出部分该透明导电层；以及去除该光阻层。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]利用高温去光阻以形成高品质的多重厚度氧化物层的方法-CN01806877.4无效
发明人： A·T·会;小仓寿典 -专利权人：先进微装置公司;富士通株式会社
申请日： 2001-03-20 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示一种藉由消除去光阻所导致的缺陷，以形成高品质的具有不同厚度的氧化物层的方法。该方法包含形成一个氧化物层(2)，以一层光阻层(8)将该氧化物层遮蔽，并将该光阻层加以显影以使该氧化物层的至少一部分(10)外露。然后将基板加热并去光阻以移除导自光阻的显影的任何残渣。此外，亦可于将该基板加热并且去光阻之前先将该光阻层(8)熟化。然后将该氧化物层(2)加以蚀刻，并将残余的光阻(8)剥除，之后再于该基板上生长另一层的氧化物(14)。
利用高温去光阻形成品质多重厚度氧化物方法

[发明专利]LDMOS及其形成方法-CN201210592622.9有效
发明人：邓永平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-31 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在具有第一区域和第二区域的衬底上形成第一光阻层，所述第一光阻层包括光阻阵列，所述第一光阻层的光阻阵列覆盖所示第一区域并靠近所述第二区域，对所述衬底进行P阱离子注入；之后形成第二光阻层，所述第二光阻层包括光阻阵列，所述第二光阻层的光阻阵列覆盖所述第二区域并靠近所述第一区域，对所述衬底进行N阱离子注入。
ldmos 及其形成方法

[发明专利]微影方法-CN201710758207.9在审
发明人：刘朕与;张雅晴;吴承翰;张庆裕;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-29 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供一种微影图案化的方法，包括：形成光阻层于基板上，以及对光阻层进行曝光制程。光阻层包含聚合物主链、键结至聚合物主链的酸活性基团、键结至聚合物主链的敏化剂、光酸产生剂、与热碱产生剂。上述方法亦包括在第一温度下烘烤光阻层，接着在第二温度下烘烤光阻层。第二温度高于第一温度。上述方法亦包括在显影剂中显影光阻层，以形成图案化的光阻层。
光阻层聚合物主链烘烤键结光酸产生剂热碱产生剂微影图案化曝光制程敏化剂酸活性图案化显影剂基板微影显影阻层

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top