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[发明专利]半导体装置及其制造方法和使用电脑设计其布局的方法-CN201611219689.2有效
发明人：吴於贝;魏圣轩;李莉渝;吴岱洋;陈殿豪;郑价言 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体装置，包括设置于基板上方的第一层间介电层，金属导线，设置于第一层间介电层和金属导线上方的第二层间介电层，第一空气间隙和第二空气间隙。金属导线内嵌于第一层间介电层中，金属导线之间以第一间隙或第二间隙配置，第二间隙的长度大于第一间隙的长度。第一空气间隙，利用第二层间介电层形成，第一空气间隙形成于第一区域中，且夹设于以第一间隙配置的相邻两条金属导线之间。第二空气间隙，利用第二层间介电层形成，第二空气间隙形成于第二区域中，且夹设于以大于第一间隙的一间隙配置的相邻两条金属导线之间。没有相邻两条金属导线以小于第一间隙的一间隙配置。
半导体装置及其制造方法使用电脑设计布局

[发明专利]具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法-CN201711146633.3有效
发明人：王家麟;江品宏;熊昌铂;吕佳纹;李年中;李文芳;王智充 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法。该具有双层间隙壁的晶体管，包含有一栅极、一第一双层间隙壁以及一第二内层间隙壁。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一栅极介电层以及一栅极电极，以及栅极介电层自栅极电极突出并覆盖基底。第一双层间隙壁设置于栅极侧边的栅极介电层上，其中第一双层间隙壁包含一第一内层间隙壁以及一第一外层间隙壁。第二内层间隙壁设置于第一双层间隙壁侧边的栅极介电层上，其中第二内层间隙壁具有一L型剖面结构。
具有双层间隙晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202211715003.4在审
发明人：庄晴凯 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该制备方法包括：在一基底上形成一位元线；在该位元线上形成一第一间隙子层并与之共形；在该第一间隙子层上形成一牺牲层并与之共形；在该牺牲层上形成一第二间隙子层并与之共形；形成覆盖该第二间隙子层一下部的一遮罩层；移除该第二间隙子层的一上部；移除该牺牲层；以及在该第一间隙子层和该第二间隙子层上形成一第三间隙子层，因此形成由该第二间隙子层该下部所包围的一第一气隙。
半导体结构制备方法

[实用新型]一种组合式膜蒸馏装置-CN202121296860.6有效
发明人：徐嘉铖;梁颖宗;罗向龙;陈健勇;杨智;陈颖 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C02F1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开一种组合式膜蒸馏装置,其包括疏水性微孔膜和冷凝板片，所述疏水性微孔膜的一侧形成热海水流道，所述疏水性微孔膜与冷凝板片之间为间隙层，所述冷凝板片相对于间隙层的另一侧形成冷海水流道；所述间隙层内设置两个隔板自上而下间隔为顶部间隙层、中部间隙层和底部间隙层，所述顶部间隙层与中部间隙层之间的隔板上设置顶部间隙层下排液孔相通。
一种组合式蒸馏装置

[发明专利]一种空气间隙的形成方法及半导体器件-CN201910305754.0在审
发明人：韩亮;王海英 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明公开了一种空气间隙的形成方法，包括：在衬底上形成存储区结构；然后在存储区结构之间沉积中间介质层，在中间介质层之间形成栅极间隙；最后在中间介质层及栅极间隙远离衬底的一侧沉积层间介电层，以形成空气间隙相比于现有技术中在存储区结构之间沉积薄膜层，移除薄膜层形成栅极间隙，然后沉积层间介电层以形成空气间隙的方法，现有技术形成的空气间隙的宽度为两个存储区结构之间的距离，本发明在存储区结构之间先沉积中间介质层，形成的空气间隙的宽度为中间介质层之间的距离，中间介质层减小了空气间隙的大小，使得空气间隙的大小可控。
一种空气间隙形成方法半导体器件

[发明专利]显示面板-CN201710924626.5有效
发明人：沈孟纬;叶永城 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：一种显示面板包括第一基板、主动元件层、像素电极层、辅助导电层、第一间隙物及第二间隙物。主动元件层配置于第一基板上。像素电极层配置于第一基板上且与主动元件层电性连接。辅助导电层配置于主动元件层上。第一间隙物配置于辅助导电层上。第一间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层重叠。第二间隙物配置于主动元件层上。第二间隙物在垂直投影方向上与辅助导电层不重叠。第一间隙物的顶点与第一基板的距离大于第二间隙物的顶点与第一基板的距离。
显示面板

[发明专利]触控显示面板、彩色滤光基板及其制作方法-CN200810091459.1有效
发明人：蔡蔚珍;王世育 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2008-04-17 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：接着，于第一像素区形成第一滤光层，且部分第一像素区具有主间隙物预定区。之后，于主间隙物预定区与第二像素区形成第二滤光层，并于第三像素区形成第三滤光层，上述三层滤光层构成彩色滤光层。之后，于部分彩色滤光层上形成感测间隙物，并形成电极层覆盖彩色滤光层与感测间隙物。之后，于主间隙物预定区的电极层上形成主间隙物，且主间隙物与感测间隙物上方的电极层之间形成高度断差而构成感测间隙。
显示面板彩色滤光及其制作方法

[发明专利]一种基于等应变原则的钢丝缠绕液压胶管及其制造方法-CN201811638252.1在审
发明人：姜辉;王子兴;阎科;陈成;张富宣;李娜;刘惠林;吴振亭 -专利权人：河南亿博科技股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： F16L11/08 文献下载
摘要：一种基于等应变原则的钢丝缠绕液压胶管，包括内层管和外层管，内层管与外层管之间缠绕有至少两层钢丝骨架层，每层钢丝骨架层的内侧均包裹有中胶层，所述钢丝骨架层由钢丝缠绕而成，每层钢丝骨架层的钢丝直径不同，缠绕角度、缠绕半径和缠绕行程均不相同，钢丝之间的间隙包括径向间隙和轴向间隙，所述液压胶管轴向方向上位于同一层的钢丝之间的间隙为轴向间隙，径向方向上，钢丝与其相邻层的钢丝之间的间隙为径向间隙，轴向和径向方向上的钢丝间隙均由中胶层填充本发明基于等应变原则克服了传统胶管结构中第一层钢丝应力大，第四层应力小，材料受力不均勺的缺陷。
钢丝钢丝骨架层缠绕钢丝缠绕液压胶管径向间隙轴向间隙内层管外层管中胶层轴向和径向方向传统胶管钢丝间隙受力不均轴向方向第一层同一层相邻层两层填充制造

[发明专利]一种显示面板及其制备方法-CN202010142851.5在审
发明人：王俊媛 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括阵列基板；间隙子层，间隔地设于所述阵列基板上；OLED器件层，设于所述阵列基板未设置所述间隙子层的部分上；阴极层，设于所述间隙子层和所述OLED器件层上；薄膜封装层，设于所述阴极层上，所述间隙子层包括若干间隙子，所述间隙子一个方向上的纵向截面为倒梯形。制备呈倒梯形的间隙子，倒梯形可增大蒸镀过程中与精密金属掩膜版的接触面积，有效支撑精密金属掩膜版，降低混色与错位的风险；另一方面，采用无机材料制备间隙子，使得间隙子具有较大的杨氏模量，能够避免蒸镀过程中精密金属掩膜版刮伤间隙子
一种显示面板及其制备方法

[发明专利]用于流动式CVD间隙填充的富含氧化物的衬垫层-CN201180037215.5无效
发明人： D·李;J·梁;N·K·英格尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在此描述空洞体积比例降低的间隙填充氧化硅层的形成。该沉积涉及在缺少氧较可流动的间隙填充层之前形成富含氧较不可流动的衬垫层。然而，该衬垫层在与间隙填充层相同的腔室内沉积。衬垫层与间隙填充层二者可通过使自由基成份与未激发的含硅前体（即不直接通过施加等离子体功率而被激发）组合而形成。衬垫层比间隙填充层具更多的氧含量并且更加共形地沉积。间隙填充层的沉积速率可藉由衬垫层的存在而增加。间隙填充层可含有硅、氧与氮，并且该间隙填充层在高温下转化以含有更多氧与更少氮。间隙填充衬垫的存在提供了间隙填充层下方的氧源，以增大在转化期间引入的气相氧。
用于流动 cvd 间隙填充富含氧化物衬垫

[发明专利]存储器装置及其制造方法-CN201910785856.7有效
发明人：蔡易宗;林志豪;李健志;吴佳纬 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器装置及其制造方法，此方法包含在基底上方形成多个栅极结构，在栅极结构的两侧形成第一间隙壁，在两相邻的第一间隙壁之间填充介电层，在栅极结构上方形成金属硅化物层，在金属硅化物层、第一间隙壁和介电层上方顺应性形成间隙壁材料层，以及对间隙壁材料层进行回刻蚀，以在金属硅化物层的两侧形成第二间隙壁。通过在金属硅化物层上形成间隙壁材料层，接着通过回刻蚀工艺移除间隙壁材料层的水平部分和金属硅化物层的残留物，以在金属硅化物层的两侧形成间隙壁，可避免相邻的金属硅化物层发生短路的问题，进而改善存储器装置的良品率
存储器装置及其制造方法

[发明专利]三维存储器结构及其制备方法-CN201910966859.0有效
发明人：左明光;张坤;熊少游;周烽;宋锐;曾海;詹侃 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，制备方法包括如下步骤：提供半导体衬底，形成叠层结构，并于叠层结构中形成沟道孔，形成功能侧壁层，形成沟道层，形成栅极间隙，去除所述牺牲层形成牺牲间隙；于牺牲间隙内形成栅极层；以及于形成有栅极层的叠层结构上制备绝缘盖层，且绝缘盖层与栅极间隙形成间隙腔。通过上述方案，本发明在栅极间隙中制备间隙腔，进一步在间隙腔内壁制备包覆栅极层的漏电材料抑制层，从而可以有利于栅极漏电流的减小，并减小材料制备所带来的应力，进而减小整个器件结构的应力，采用背面刻蚀等工艺制备背面连接引出区
三维存储器结构及其制备方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011348197.X在审
发明人：金吉松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、栅极结构、位于栅极结构侧壁的侧墙、源漏掺杂区、底部介质层以及源漏接触层；去除侧墙形成间隙；形成保形覆盖于间隙的底部和侧壁的保护层；在底部介质层上形成顶部介质层，顶部介质层密封间隙形成空气隙。本发明实施例在提供基底后，去除侧墙形成间隙，并在间隙的底部和侧壁上保形覆盖保护层，再形成密封间隙的顶部介质层，以形成空气隙，保护层相应为一体型结构，有利于提高保护层对间隙底部和侧壁的保护效果，降低了位于间隙底部和侧壁的膜层结构(例如：栅极结构、基底)受损的几率，相应提高了位于间隙底部和侧壁的膜层结构的完整性，进而提升了半导体结构的可靠性以及生产良率。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]移除间隙壁的方法、金氧半导体晶体管元件及其制造方法-CN200610138918.8有效
发明人：周珮玉;邹世芳;廖俊雄 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明揭示一种移除间隙壁的方法、制造金属氧化物半导体晶体管元件的方法、及金属氧化物半导体晶体管元件，其中，于移除间隙壁之前，先于源极/漏极区域与栅极上的物质层(例如自对准金属硅化物层)及间隙壁上沉积一保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度小于在物质层上的厚度，再部分移除保护层，使得保护层在间隙壁上的厚度大致上为零，而在物质层上仍有残余。因此，在移除间隙壁时，物质层可受有保护层的保护。
间隙方法半导体晶体管元件及其制造

[发明专利]使用原子层沉积填充间隙的方法和设备-CN202110191386.9在审
发明人：赵恩亨;H.李;李成熙;李政烨;C.T.阮 -专利权人：三星电子株式会社;仁川大学教产学协力团
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：提供了使用原子层沉积填充间隙的方法和设备。该方法包括通过将反应抑制剂吸附到间隙的侧壁上而形成第一反应抑制层、通过将第一反应物吸附到间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上而形成第一前体层、以及在间隙的底部和间隙的在间隙的底部周围的侧壁上形成第一原子层第一反应抑制层具有其中反应抑制剂的密度朝向间隙的底部减小的密度梯度。形成第一原子层包括将第二反应物吸附到第一前体层上。
使用原子沉积填充间隙方法设备