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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202111260667.1在审
发明人： 熊昌铂;杨庆忠 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包括一基底，一主动区位于该基底上、一凹陷区域位于该主动区中、一栅极介电层位于该凹陷区域上，其中该栅极介电层的一边缘部分具有一圆化轮廓、一栅极结构位于该栅极介电层上，以及一源/漏区位于该栅极结构一侧的该主动区中，并且与该栅极介电层的该边缘部分直接接触。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN202011616068.4在审
发明人： 熊昌铂;杨庆忠;黄善禧;李文芳 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括基底，设置在基底中的第一导电型的第一阱区及第二导电型的第二阱区，其中第一导电型和第二导电型为互补。多个第一虚设结构设置在第一阱区中并沿着第一阱区及第二阱区之间的接面区排列。第一虚设结构分别包括第一导电区以及第一掺杂区，且第一掺杂区位于第一导电区及第一阱区之间。
半导体结构

[发明专利]高压半导体装置以及其制作方法-CN202011601728.1在审
发明人：杨宗祐;李信宏;李年中;熊昌铂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种高压半导体装置以及其制作方法，其中该高压半导体装置包括半导体基底、隔离结构、栅极氧化物层与栅极结构。半导体基底包括通道区，隔离结构的至少一部分设置于半导体基底中且围绕通道区。栅极氧化物层设置于半导体基底上，且栅极氧化物层包括第一部分与第二部分。第二部分设置于第一部分在水平方向上的两相对侧，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。栅极结构设置于栅极氧化物层以及隔离结构上。
高压半导体装置及其制作方法

[发明专利]具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法-CN201711146633.3有效
发明人：王家麟;江品宏;熊昌铂;吕佳纹;李年中;李文芳;王智充 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种具有双层间隙壁的晶体管及其形成方法。该具有双层间隙壁的晶体管，包含有一栅极、一第一双层间隙壁以及一第二内层间隙壁。栅极设置于一基底上，其中栅极包含一栅极介电层以及一栅极电极，以及栅极介电层自栅极电极突出并覆盖基底。第一双层间隙壁设置于栅极侧边的栅极介电层上，其中第一双层间隙壁包含一第一内层间隙壁以及一第一外层间隙壁。第二内层间隙壁设置于第一双层间隙壁侧边的栅极介电层上，其中第二内层间隙壁具有一L型剖面结构。
具有双层间隙晶体管及其形成方法

[发明专利]高电压晶体管及其制造方法-CN201810239017.0有效
发明人：李信宏;熊昌铂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-03-22 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种高电压晶体管及其制造方法，该高电压晶体管包括基板，基板具有凹陷区域。掺杂区域设置在所述基板中位于所述凹陷区域的两侧。浅沟槽隔离结构设置在所述基板的所述掺杂区域中，位于所述凹陷区域的周围区域，其中所述浅沟槽隔离结构的底部在所述凹陷区域内的一部分，有往所述基板凸出的凸出部。栅极绝缘层设置在所述基板上，位于在所述凹陷区域内所述浅沟槽隔离结构以外的中心区域，其中所述栅极绝缘层有凸出部分。栅极结构设置在所述栅极绝缘层上以及在所述凹陷区域内的所述浅沟槽隔离结构上，覆盖所述栅极绝缘层的所述凸出部分。
电压晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN202010965229.4在审
发明人： 熊昌铂;杨庆忠;黄善禧;李信宏;李年中;李文芳;李秋德;许智凯;邱淳雅;陈金宏;许嘉榕;傅思逸;林毓翔 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法，其中该半导体装置包括半导体基底、凹陷、第一栅极氧化物层以及栅极结构。半导体基底第一区以及与第一区相邻的第二区。凹陷设置于半导体基底的第一区中，且凹陷的一边缘位于第一区与第二区之间的交界处。第一栅极氧化物层至少部分设置于凹陷中。第一栅极氧化物层包括一隆起部与凹陷的边缘相邻设置，且隆起部的高度小于凹陷的深度。栅极结构设置于半导体基底的第一区与第二区上，且栅极结构于垂直方向上与第一栅极氧化物层的隆起部重叠。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制法-CN202010558380.6在审
发明人： 熊昌铂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管及其制法，其中该埋入式栅极通道的金属氧化物半导体场效晶体管，包含一介电层、一栅极以及一埋入式栅极通道区。介电层位于一基底上，其中介电层具有一凹槽。栅极设置于凹槽中，其中栅极包含一第一金属功函数层，其中第一金属功函数层具有一「一」字型剖面结构，且第一金属功函数层的各侧壁与凹槽的最接近的侧壁的一最小距离大于零。埋入式栅极通道区位于栅极正下方的基底中。
埋入栅极通道金属氧化物半导体晶体管及其制法

[发明专利]半导体晶体管及其制作方法-CN201911188611.2在审
发明人： 熊昌铂;李信宏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体晶体管及其制作方法，其中该半导体晶体管包含一第一轻掺杂漏极区，设于半导体基底的漏极区内；一第一重掺杂区，设于第一轻掺杂漏极区内；一栅极，位于通道区上；一栅极氧化层，位于栅极和通道区之间；以及一第一绝缘结构，设于通道区和第一重掺杂区之间的第一轻掺杂漏极区内。其中栅极和第一绝缘结构重叠，且第一绝缘结构的厚度大于栅极氧化层的厚度。
半导体晶体管及其制作方法

[发明专利]半导体结构-CN201510352792.3有效
发明人：萧世楹;熊昌铂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构。该半导体结构适用于在高压环境下进行操作。根据本发明的一方面，此种半导体结构包括基板、栅极、源极区、漏极区以及场调整结构。栅极设置在基板上。源极区和漏极区设置在基板中，并分别位于栅极的相对侧。场调整结构设置在基板上，并位于源极区和漏极区的其中一者的外侧。场调整结构包括一第一部分和一第二部分。第二部分设置在第一部分的外侧。第一部分连接至栅极。第二部分连接至所述源极区和漏极区的其中一者。
半导体结构

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