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[实用新型]一种基于CMOS的X光数字图像传感器-CN201721303859.5有效
发明人：段明浩 -专利权人：西安瀚维光电科技有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于CMOS的X光数字图像传感器，包括掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜和光学反射薄膜；掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体晶体薄膜直接蒸镀于CMOS图像传感器芯片的感光面上，光学反射膜蒸镀于闪烁体晶体膜上本实用新型通过在CMOS芯片的感光面上直接蒸镀微量掺杂碘化铊的碘化铯闪烁体薄膜，可以实现碘化铯闪烁体薄膜与CMOS感光面的紧密的光学耦合，提高了X光图像传感器的光电转换效率和图像光学分辨率，并且，光学耦合效率的一致性此外，由于对图像传感器模组整体进行了纳米级防护镀膜，从而大大提高了对碘化铯闪烁体晶体薄膜的防水或防湿气保护性能；实现在恶略环境下正常工作的目标。
一种基于 cmos 数字图像传感器

[发明专利]辐射检测器装置-CN200980112593.8有效
发明人： P·R·蒙格;B·培根 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2009-04-15 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：在此披露了一种辐射检测器装置并且它包括一个光传感器以及一个被连接到该光传感器上的闪烁装置。该闪烁装置包括被封闭在一个壳体内的一个闪烁体晶体。该闪烁体晶体被光学地连接至该壳体的一个末端处的一个窗口上。该闪烁装置包括在该壳体的至少部分内的一种介电气体。这种介电气体被适配为减少或防止在该闪烁装置内的静电放电。
辐射检测器装置

[发明专利]玻璃闪烁体及其制备方法、闪烁光纤、闪烁探测器-CN202310586020.0在审
发明人：钱森;任晶;隋泽萱;华哲浩;朱瑶;王慈 -专利权人：中国科学院高能物理研究所;哈尔滨工程大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C03C4/12 文献下载
摘要：本公开提供一种玻璃闪烁体及其制备方法、闪烁光纤、闪烁探测器，涉及辐射探测技术领域。该玻璃闪烁体包括玻璃和微晶，玻璃用于为多个微晶提供密封环境及结构支撑；微晶用于作为发光中心，其中，制备所述玻璃闪烁体时将所述微晶熔入所述玻璃中。本公开提供的玻璃闪烁体，在制备玻璃闪烁体时将微晶熔入玻璃中，能够控制玻璃中微晶的形状和大小，减少晶体的加工损耗并避免晶体潮解，进而突破基于晶体的核辐射探测器在制备工艺、探测器几何外形和使用环境的局限，设计低成本
玻璃闪烁及其制备方法光纤探测器

[发明专利]一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法-CN201710932518.2有效
发明人：祁阳;谭俊 -专利权人：东北大学
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开一种降低闪烁单晶制备过程中石英管破损率的方法，将石英管拉拔成上粗下细的异形石英管，并在内壁镀膜，外壁安装应变片，通过应变幅度的反馈控制单晶生长速度，预防石英管破损，待晶体形成后将异形石英管倒置，待冷却到室温后，取出闪烁晶体。本发明的优点：装入单晶原料前在异形石英管内壁镀膜，既可避免异形石英管和生成晶体之间的粘连，利于将生成晶体与异形石英管管体完全分离，又可避免石英管直接挤压晶体，有助于减少晶体微观缺陷，降低晶体自吸收概率，降低晶体开裂风险，显著改善了闪烁体内部性能，此外，晶体生长降温完成后，不需要敲碎石英管取出晶体，只需开口倒出晶体即可，石英管清洗后可以循环使用。
石英管异形单晶制备破损率闪烁镀膜取出石英管内壁单晶生长单晶原料反馈控制晶体生长晶体形成闪烁晶体上粗下细外壁安装完全分离微观缺陷应变幅度倒置碎石英体内部应变片自吸收粘连倒出拉拔石英装入冷却破损清洗挤压开口概率预防

[发明专利]包括共掺杂稀土硅酸盐的闪烁晶体、包括闪烁晶体的辐射检测仪器及其形成方法-CN202110190059.1在审
发明人： S·布拉胡塔;V·奥斯本斯基 -专利权人：圣戈班晶体及检测公司
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C09K11/79 文献下载
摘要：本申请涉及包括共掺杂稀土硅酸盐的闪烁晶体、包括闪烁晶体的辐射检测仪器及其形成方法。在一个实施例中，在晶体形成之前，第2族共掺杂剂浓度在晶体中可不超过200ppm原子，或在熔体中不超过0.25原子％。在另一个实施例中，闪烁晶体可具有不大于40ns的衰减时间，并且在另一个实施例中，具有与除了不含第2族共掺杂剂之外具有相同组成的另一种晶体相同或更高的光输出。闪烁晶体可用在辐射检测仪器中并且联接到光传感器。
包括掺杂稀土硅酸盐闪烁晶体辐射检测仪器及其形成方法

[发明专利]一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器及其制作方法-CN201610057643.9有效
发明人：苏晓 -专利权人：泉州市金太阳电子科技有限公司
申请日： 2016-01-27 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器，所述闪烁体探测器包括一导电硅基底，所述导电硅基底背表面设有栅电极，正表面设有栅绝缘层，所述栅绝缘层上设有单层二硫化钼，所述单层二硫化钼两端设有源电极和漏电极，所述源电极和漏电极连接栅绝缘层；所述单层二硫化钼上设有闪烁体，所述闪烁体位于源电极和漏电极之间，所述闪烁体外包覆有保护层。本发明所述的基于二硫化钼晶体管的闪烁体探测器为光电晶体管并作为闪烁体探测器的光电转换器件，在单层二硫化钼上直接沉积闪烁体作为高能粒子接收体，具有灵敏度高，响度速度快，结构简单，成本低的特性。
一种基于二硫化钼晶体管闪烁探测器及其制作方法

[发明专利]一种闪烁晶体测试装置-CN201811373914.7有效
发明人：赵安江;范信鑫;谢庆国 -专利权人：苏州瑞派宁科技有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种闪烁晶体测试装置，包括机械模块、探测模块和数据模块，机械模块包括晶体装载单元、旋转单元和耦合单元，多个晶体装载单元间隔设置于旋转单元上，耦合单元包括可移动的载物台；探测模块具有光电转换器件和数据传输单元，光电转换器件设置于载物台上，光电转换器件依序与安装于晶体装载单元中的闪烁晶体耦合，光电转换器件与数据传输单元通信连接；数据模块与所述数据传输单元通信连接。本发明具有自动化测试的能力，可进行大批量、高效率的晶体测试，还可扩展闪烁晶体性能参数，能够提供更稳定的测试结果。
一种闪烁晶体测试装置

[发明专利]一种溴化镧闪烁晶体的生长方法及所得晶体-CN201710494746.6有效
发明人：王海丽;陈建荣;黄存新;杨春和;韩加红 -专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种溴化镧闪烁晶体的生长方法，包括以下操作：将原料装入坩埚内，放置于下降炉中进行加热熔化，然后坩埚不动，炉体缓慢移动，从而使坩埚通过温度梯度区，使原料在坩埚底部结晶，随着炉体的连续移动，晶体沿着与炉体运动相同的方向逐渐长大利用本发明提出的生长方法，坩埚不动，靠炉体的移动实现晶体生长，可有效避免传统LaBr₃:Ce闪烁晶体生长方法中因引下装置的微小振动对晶体生长干扰而引入的包裹体、气泡等杂质，可显著提高晶体的光学质量，特别适合大尺寸、高光学质量LaBr₃:Ce闪烁晶体的生长。
一种溴化镧闪烁晶体生长方法所得

[发明专利]一种晶体测试装置-CN201610450241.5在审
发明人：彭志豪;陈远帆;吴承;陈冠廷 -专利权人：苏州晶特晶体科技有限公司
申请日： 2016-06-21 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体测试装置，包括：光源、升降装置、隔光板、检测电路板和硅油槽，所述升降装置设置在硅油槽一侧，所述隔光板位于硅油槽的上方，所述光源位于隔光板的上方，所述升降装置的输出端设置有与隔光板相连接的支撑杆，所述隔光板上设置有数个晶体固定孔，闪烁晶体条分别设置在晶体固定孔下部，所述检测电路板上设置有分别位于晶体固定孔下方的SiPM硅探测器。通过上述方式，本发明所述的晶体测试装置，把多个闪烁晶体条分别放置在隔光板内进行同时测试，工作效率高，SiPM硅探测器顶面与闪烁晶体条底面的间隙中填充有硅油，减少了误差，提升了测试的精度，操作灵活。
一种晶体测试装置

[发明专利]高光产额钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体的生长方法-CN201510569092.X有效
发明人：张志军;冯鹤;徐展;王红;胡关钦;赵景泰 -专利权人：上海大学
申请日： 2015-09-09 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高光产额的钨酸铅闪烁晶体的生长方法。利用该方法制备的高光产额钨酸铅闪烁晶体，在X‑射线激发下，其光产额可达到下降法生长的钨酸铅晶体的20倍，其发光峰位为465‑495 nm，较下降法得到生长的钨酸铅晶体略有红移。在紫外线激发下，其光致发光强度可达到下降法生长的钨酸铅晶体的100倍。该高光产额钨酸铅闪烁晶体大大拓宽了钨酸铅晶体的应用领域，解决了现有技术中存在的钨酸铅晶体因光产额低而不能得到广泛应用，及掺杂改性和工艺优化仍不能实现高光产额输出的难题。
高光产额钨酸铅 pbwo sub 闪烁晶体生长方法

[发明专利]一种掺铈卤化镧闪烁晶体的封装方法-CN201210477803.7在审
发明人：邹本飞;张春生;桂强;杭利军;张明荣 -专利权人：北京一轻研究院
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铈卤化镧闪烁晶体的封装方法，其特征在于：闪烁晶体在低氧干燥环境中依次进行打磨（去除腐蚀层）、抛光和表面粗化；晶体的反光面与反射材料构成漫反射面，出光面与高折射率光耦合胶构成出光口，晶体出光面的最佳状态为锯齿状光学微观结构；设计一种耐震荡，耐温度冲击、防潮的闪烁晶体封装结构：三层复合保护结构（刚性套管+发泡隔热缓冲层+外壳）；晶体前端的光耦合剂和后端的弹性垫片是软弹性材料；后盖与刚性垫片之间有空隙，改善隔热效果；采用双道复合密封胶粘结外壳接缝处
一种卤化闪烁晶体封装方法

[发明专利]用于闪烁晶体探测器增益自动控制的镶嵌源装置-CN201510780786.8有效
发明人：梁珺成;李正伟;刘聪展;阎博;刘皓然 -专利权人：中国计量科学研究院;中国科学院高能物理研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G01T1/203 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于闪烁晶体探测器增益自动控制的镶嵌源装置。包括：塑料闪烁体圆桶，在所述塑料闪烁体圆桶底部附着有241Am放射源；塑料闪烁体圆柱，插接在所述塑料闪烁体圆桶中，并抵顶所述241Am放射源，从而形成塑料闪烁体；所述塑料闪烁体外侧具有反射涂层；环氧树脂层，封接在所述塑料闪烁体圆柱顶部，用于将所述241Am放射源密封在所述塑料闪烁体内。本发明用于闪烁晶体探测器增益自动控制的镶嵌源装置，241Am镶嵌源的制作过程简单，容易实现；光收集效率高，有效的提升了信噪比，并将α粒子的探测效率进行了极大的提升。
用于闪烁晶体探测器增益自动控制镶嵌装置

[发明专利]闪烁体晶体以及形成方法-CN200880112517.2有效
发明人： V·塔塔特切科;S·A·扎内拉;J·W·罗契;C·D·琼斯;D·鲍威尔斯 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：在此提供了一种闪烁体晶体以及用于生长闪烁体晶体的一种方法，该晶体包括一种生成态的限边送膜生长(EFG)的单晶体。该生成态EFG单晶体具有一个本体，该本体具有厚度、宽度、和长度使得厚度＜宽度＜长度，并且该本体具有的垂直于该长度的截面积为不小于约16mm2。
闪烁晶体以及形成方法

[实用新型]一种缩短LYSO晶体闪烁衰减时间的实验装置-CN201921853630.8有效
发明人：张小丁;江孝国;丁栋舟;侯伟;李一丁;龙全红;魏涛;杨国君 -专利权人：中国工程物理研究院流体物理研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种缩短LYSO晶体闪烁衰减时间的实验装置，包括竖直设置的保温套筒，所述保温套筒包括竖直设置的样品放置筒，所述样品放置筒的内部区域为加热腔，所述样品放置筒采用导热绝缘材料制成，所述样品放置筒内表面中部设有晶体固定机构本实用新型通过在样品放置筒的正上方设置光电探测器对加热后的样品晶体的闪烁衰减时间进行检测，发现其闪烁衰减时间从原来的36‑42ns变成了8‑12ns；克服了本领域技术人员认为LYSO晶体闪烁不能用于高重频实验的技术偏见
一种缩短 lyso 晶体闪烁衰减时间实验装置

[发明专利]氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法-CN200310109408.4无效
发明人：赵广军;徐军;介明印;庞辉勇;曾雄辉;周圣明;周国清 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：一种氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法，其特征是充分利用PbF₂低熔点易挥发升华的特性，采用气相传输平衡技术，在高温、富氟的气氛中，通过调节混合料组分配比、温度和时间，控制F^－离子的扩散，制备出分布均匀的F离子掺杂的钨酸铅(PWO)闪烁晶体。本发明可以提高F离子掺杂PWO晶体发光的均匀性，适于大批量生产。本发明的制备方法获得的F离子掺杂的PWO晶体具有较高的光输出，可以满足高能物理以及核医学成像(PET)对闪烁晶体的需求。
离子掺杂钨酸铅闪烁晶体制备方法