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[发明专利]一种降低Ⅲ族氮化物发光二极管光衰的方法-CN200910273378.8无效
发明人：董彬忠;魏世祯;刘榕 -专利权人：武汉华灿光电有限公司
申请日： 2009-12-25 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开一种降低III族氮化物发光二极管光衰的方法，该III族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、P型氮化镓层、P型接触层，在III族氮化物发光二极管外延结构中增加一层P型氮化铟镓层。P型氮化镓层后的含有铟镓氮外延层的结构中铟组份含量比多量子阱层中的铟组份要低，这样，这层含有铟镓氮外延层的结构不会吸收多量子阱层中发出的光。而另一方面，在多量子阱中未复合的电子越过电子阻挡层后将在其后的铟镓氮层中复合掉，由于铟镓氮材料的禁带宽度比氮化镓要低，在铟镓氮层中复合将发出波长较长的可见光，从而减小甚至消除了LED芯片中紫外光辐射的产生
一种降低氮化物发光二极管方法

[发明专利]全湿法提取火法冶炼坩埚渣中铟、锗的方法-CN201010169155.X有效
发明人：叶志清 -专利权人：云南天浩稀贵金属股份有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C22B3/08 文献下载
摘要：本发明涉及有色金属冶炼综合回收技术，特别是采用全湿法从火法冶炼坩埚渣中提取铟、锗的方法，属于有色金属冶炼技术领域。本发明的步骤为，将坩埚渣研磨，过筛，用浓度0.5～1.0M的稀硫酸按5～3∶1的质量液固比浸出铟；在稀硫酸浸出渣中加入其质量0.8～1.5倍的MnO2，用浓度2～3M的硫酸按5～3∶1的液固比氧化浸出锗；氧化浸出渣采用4～8wt％浓度的Cl-1溶液氯化浸出剩余的铟、锗，液固比5∶1，同时用硫酸控制酸度控制在60～80g/L；各段浸出的铟采用萃取法法回收，浸出的锗采用单宁酸沉淀，煅烧得锗精矿。本发明对环境污染小，大部分锗、铟可以分别以浸出进行回收，既能回收铟，又能回收锗，还能保持较高的回收率。
湿法提取火法冶炼坩埚渣中铟方法

[发明专利]利用钛白粉厂的废酸提取锗、铟的工艺-CN201010521295.9无效
发明人：邓少彬;徐略晟;徐硕劭 -专利权人：攀枝花市硕盛工贸有限公司
申请日： 2010-10-27 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明为富集并提取锗、铟的生产方法，包括下述步骤：①以废酸浸出氧化类物料的浸出液为原料，加入石灰乳调节pH值，使浸出液中的锗、铟水解，生成沉淀物从浸出液中分离。②一次溶解和沉淀，加入稀硫酸，控制pH值，沉淀渣中的锗和铟溶解并过滤，与硫酸钙渣分离，硫酸钙可制取石膏粉，滤液用石灰乳将锗和铟沉淀。③二次溶解和沉淀(与：一次溶解和沉淀相同)。④三次溶解并沉锗，加入稀硫酸，控制pH值，加入氧化剂，溶液中的二价铁氧化为三价，生成沉淀并滤出。过滤后加入石灰乳调整pH值且搅拌后过滤，滤渣烘干，得到锗精粉。⑤沉锗后的溶液加热至90℃，调整pH值。加入金属锌片，使溶液中的铟置换到金属锌片上，即海绵铟。
利用钛白粉提取工艺

[发明专利]一种铟镓砷红外探测器及其制备方法-CN201410685466.X无效
发明人：胡双元;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于衬底剥离工艺的倒装台面型铟镓砷（InGaAs）红外探测器及其制备方法，所述探测器外延结构包括磷化铟单晶衬底上依次生长赝晶砷化铝牺牲层、磷化铟缓冲层、铟镓砷腐蚀阻挡层、磷化铟帽层、铟镓砷本征吸收层、磷化铟欧姆接触层。所述工艺步骤包括：在磷化铟欧姆接触层表面制备光学减反膜；通过衬底剥离工艺，实现外延功能层与磷化铟衬底分离；选择性腐蚀去除磷化铟缓冲层及铟镓砷腐蚀阻挡层，在磷化铟帽层上进行台面刻蚀，钝化，电极制备工艺；通过倒焊工艺将芯片与读出电路封装在一起剥离后的磷化铟单晶衬底经过简单处理后，可以重复用于外延生长，重复次数在20次以上，可大大降低铟镓砷探测器的生产成本。
一种铟镓砷红外探测器及其制备方法

[发明专利]半导体模式转换器的制作方法-CN00124757.3无效
发明人：刘国利;王圩;朱洪亮;董杰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2000-09-13 - 公布日： 2002-04-03 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种半导体模式转换器的制作方法,1、在磷化铟衬底上生长下波导层;2、在波导上生长磷化铟间隔层、铟镓砷磷有源层和磷化铟盖层;3、在磷化铟盖层上淀积一层介质膜;4、沿模式转换器的出光方向在介质膜上刻出图形;5、采用选择腐蚀磷化铟;6、采用选择腐蚀铟镓砷磷;7、腐蚀去掉介质膜后,重新长上磷化铟盖层,包在磷化铟中的一段厚度渐变薄、长度较短的铟镓砷磷有源区与铟镓砷磷下波导层一起构成了一个自对准方式的模式转换器。
半导体模式转换器制作方法

[发明专利]一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法-CN201910305472.0有效
发明人：林时胜;孙利杰;沈闰江;周大勇;陆阳华 -专利权人：浙江大学;上海空间电源研究所
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，自底而上依次是背电极层、多结半导体衬底层、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层、量子点层，此外还设置有正面电极；所述的多结半导体衬底层包括多结电池，并在多结电池顶部设置有隧穿层，镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上，量子点层设置于二硫化钼上。本发明的多结异质太阳能电池利用二硫化钼和半导体镓铟氮或铝镓砷形成异质结可以在无需外加电源的情况下完成光电转化，同时镓铟氮、铝镓砷等半导体禁带宽度大，可以吸收更短的太阳光波长，进一步提升多结太阳能电池效率本发明的二硫化钼/镓铟氮(铝镓砷)多结异质太阳能电池的转化效率高，工艺较简单，有广阔的应用前景。
一种二硫化钼镓铟氮铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种铜铟镓基光电探测器-CN201710948681.8有效
发明人：黄晓敏 -专利权人：宝应电工厂
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种新颖的基于铜铟镓硒和铜铟镓硫的光电探测器，形成一层复合功能层，所述复合功能层包括铜铟镓硒和铜铟镓硫相接触的部分转变为铜铟镓硒硫，并且成分在横向方向上渐变，对功能层进行了改性，并调整其电学性能
一种铜铟镓基光电探测器

[发明专利]一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法-CN201010111479.8无效
发明人：杨益郎;陈文仁;林群福 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物的薄片状材料，其中薄片状材料不超过50％，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，用以涂布在一钼层上，其中涂布完后的前驱层的孔隙率可以小于25％。
一种真空制作铜铟镓硒浆料方法

[发明专利]使用电沉积的铟和/或镓的焊接方法、以及包含具有铟和/或镓的中间层的制品-CN201080046923.0无效
发明人：肯尼思·西顿;吉撒·斯里尼瓦森;安东尼·威尔逊 -专利权人：阿斯特恩先进材料有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明涉及使用包含铟或镓的中间层制造并接合金属基材的低温方法，其中所述铟或镓层通过由包含铟或镓盐的离子液体进行电沉积而形成。
使用沉积焊接方法以及包含具有中间层制品

[发明专利]一种从冶炼铅锌工艺中产生的含锗物料中回收锗及铟的方法-CN201210306079.1有效
发明人：何静;王小能;杨声海;唐朝波;杨建广;罗超;王涛;唐谟堂;陈永明;郭瑞;蓝明艳 -专利权人：中南大学
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：从一种含锗物料中回收锗及铟的方法，包括以下步骤：1、中性浸出部分锌；2、预氧化处理；3、氧化浸出锗、铟。本发明采用中性浸出部分锌，预氧化处理，氧化浸出锗及铟，实现锗-锌和锗-砷分离回收含锗物料中的锗。本发明锗回收率高、工艺流程短、操作简单安全、锗浸出率高、环境友好，适于工业化应用，可替代现有氯气氧化浸出锗工艺，使含锗真空炉渣中的锗得到有效的回收。该工艺方法实现了锗-锌和锗-砷分离回收含锗物料中的锗，且回收率高、工艺流程短、工艺方法简单、环境友好，适于工业化应用，可替代现有氯气氧化浸出锗工艺，使含锗真空炉渣中的锗得到有效的回收，适于工业化应用。
一种冶炼工艺产生物料回收方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202110049775.8在审
发明人：罗晓菊;王颖慧;特洛伊·乔纳森·贝克 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底；于衬底上形成铟层或含铟氧化物层；于铟层或含铟氧化物层上形成氮化镓层。上述实施例中的半导体结构的制备方法中，通过先在衬底上形成铟层或含铟氧化物层，在后续在铟层或含铟氧化物层上形成氮化镓层时，生长初期由于低温和铟的迁移作用，可以使得初生长的氮化镓层为疏松结构，在需要进行剥离时便于氮化镓层与衬底的剥离；同时，上述实施例中的制备方法不需要使用工艺繁琐的掩膜技术即可以实现氮化镓层的剥离，使得工艺更加简单。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]一种用于薄膜太阳能电池的铜铟镓旋转靶材制备方法-CN201310172489.6有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铟镓旋转靶材的制备方法，包括包含镍铝或镍铬合金层的不锈钢圆筒基体的制备、包含铜铟或铜镓合金层的不锈钢圆筒基体的制备、包含铜铟或铜镓合金层的不锈钢圆筒基体的制备等步骤。该方法采用低压等离子热喷涂方法逐层将镍铝合金、铜铟或铜镓合金、铜铟镓依次固化于不锈钢圆筒基体上形成铜铟镓旋转靶材，克服了现有方法中的绑定工序的缺陷，工艺简单、操作方便、成本低廉，生产出的靶材密度高、孔隙度低
一种用于薄膜太阳能电池铜铟镓旋转制备方法

[发明专利]铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法-CN201310162904.X有效
发明人：徐东;徐永清;叶帅 -专利权人：深圳市亚太兴实业有限公司
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法，方法包括：配制步骤，配制包含不同Ga/(In+Ga)比例的铜铟镓硒前驱溶胶；涂覆步骤，非真空条件下，按照在从衬底到远离衬底的方向上Ga/(In+Ga)比例为先递减后递增的方式，将所述铜铟镓硒前驱溶胶逐层涂覆到衬底上，得到铜铟镓硒前驱薄膜；生成步骤，对所述涂覆步骤最终得到的铜铟镓硒前驱薄膜进行热处理，冷却后即制成铜铟镓硒多层薄膜。
铜铟镓硒多层薄膜及其制备方法

[发明专利]太阳能电池吸收层的非真空涂布方法-CN200910223957.1无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池吸收层的非真空涂布方法，用以在非真空的常压环境下，于玻璃基板的钼薄层上形成铜铟镓硒层，包括利用超音波振动混料机对铜铟镓硒与混料液进行混合以形成均匀混合的铜铟镓硒涂料，并藉多个超音波喷头，将铜铟镓硒涂料涂布在以输送装置带动的钼薄层上，接着以红外线加热灯管进行烘干处理，以去除铜铟镓硒涂料中的混料液，而形成供太阳能电池用的铜铟镓硒吸收层，藉以吸收光能并转换成电能。
太阳能电池吸收真空方法

[发明专利]控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法-CN200810102198.9无效
发明人：梁凌燕;叶小玲;金鹏;陈涌海;徐波;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-03-19 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
控制组织铟镓砷量子成核生长方法