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[发明专利]一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法-CN201510759999.2在审
发明人：夏申江;彭寿;屠友明;王芸 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司;蚌埠兴科玻璃有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种控制铜铟镓硒高温共沉积过程中背电极钼和硒反应的方法，其特征在于：在以铜铟镓硒高温共沉积方法来制备铜铟镓硒光吸收层的过程中，先在背电极钼薄膜表面磁控溅射沉积一阻挡层，然后在所述阻挡层表面磁控溅射沉积一硒化反应层，最后在该硒化反应层表面铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层；在该最后铜铟镓硒高温共沉积生成铜铟镓硒光吸收层的同时，所述阻挡层阻挡硒进入所述背电极钼薄膜层，所述硒化反应层同硒发生化学反应生成硒化物背接触层
一种控制铜铟镓硒高温沉积过程电极反应方法

[发明专利]铟镓锌氧化物及其制法与应用-CN201210108898.5有效
发明人：张育纶;林弘巾;林婉华;苏百樱;王圣棻 -专利权人：光洋应用材料科技股份有限公司
申请日： 2012-04-13 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明提供一种铟镓锌氧化物的制作方法，其是先混合含铟、镓及锌的原料，经过干燥、煅烧等步骤，制作出均匀且高纯度的铟镓锌氧化物。此外，本发明另提供一种用以制作铟镓锌氧化物靶材的组成物，其为含有多元金属氧化物的混合物，尤其包含所述制作方法所制得的铟镓锌氧化物。再者，本发明还提供一种使用所述铟镓锌氧化物制作铟镓锌氧化物靶材的方法及其成品，其靶材中主要是以InGaZnO4为主，而实质上不具有ZnGa2O4。
铟镓锌氧化物及其制法应用

[发明专利]优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性的方法-CN202211211974.5有效
发明人：王春兰;刘晓红;宋勇乐;赵明;段楠 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，室温下，在磁控溅射系统通过射频溅射方法，使铟镓锌氧靶材，在衬底上沉积一层非晶铟镓锌氧有源层薄膜；步骤2，在步骤1得到非晶铟镓锌氧有源层薄膜后，室温下继续向磁控溅射系统通入氮气，对非晶铟镓锌氧有源层薄膜及进行处理；步骤3，室温下，通过直流溅射方法，采用铜靶材在步骤2处理后的非晶铟镓锌氧有源层薄膜上沉积金属铜的源电极和漏电极本发明方法解决现有铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性差且需要高温制备的问题。
优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性方法

[发明专利]非真空铜铟镓硒薄膜密实方法-CN200910180729.0无效
发明人：陈文仁 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： B05D3/12 文献下载
摘要：一种非真空铜铟镓硒薄膜密实方法，在非真空下，针对经软烤后包含有铜铟镓硒吸收层的基板，利用至少一气压缸提供气压产生动力以推动连结在气压缸上的连动支架，用连动支架上的滚轮施加压力而下压在铜铟镓硒吸收层上，并来回移动基板而让滚轮对铜铟镓硒吸收层进行均匀滚压以薄膜密实化铟镓硒吸收层，且滚轮的压力及直径需在适当范围内，以达到最佳的均匀滚压效果，滚轮外部需涂布刚性材料层以保护滚轮的轮面，因而经薄膜密实化的铜铟镓硒吸收层具有较高的转换效率，解决铜铟镓硒吸收层因具有较多晶界所引起的低转换效率问题
真空铜铟镓硒薄膜密实方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法-CN201010111478.3无效
发明人：林群福;陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关于一种非真空制作铜铟镓硒浆料的调配方法，其主要是在调配铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)浆料时，使用含IB、IIIA族的二元或三元硒化物薄片状材料，其中以不超过50％的薄片状材料，再搭配溶剂或相关添加剂搅拌均匀，以配成含铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)的浆料，并在快速退火热处理(Rapid thermal annealing，RTA)过程中添加VIA族粉末，使该粉末在高温下挥发，帮助补充铜铟镓硒或铜铟镓硒(硫)前驱层高温下的硫或硒挥发的损失
真空制作铜铟镓硒浆料调配方法

[实用新型]一种用于太阳电池的铜铟镓柔性薄膜的装置-CN201420067395.2有效
发明人：徐伟伟;杨楚罗;刘战合;李秋影;张克杰 -专利权人：江苏亚宝绝缘材料股份有限公司
申请日： 2014-02-17 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于太阳电池的铜铟镓柔性薄膜的装置，该用于太阳电池的铜铟镓柔性薄膜的装置包括：保护层、固定底板、粘合层、铜铟镓混合层、氧化层、过渡连接层、平缓层、密封挡块。本实用新型通过设置保护层和密封挡板，保证了用于太阳能电池的铜铟镓柔性薄膜的使用安全性，可以减少外界物质对铜铟镓混合层的侵蚀，节约了维修成本；设置粘合层，提高了固定底板与铜铟镓混合层的紧密性，增强了发电功能本实用新型的结构简单，操作方便，较好的解决了传统的太阳能电池的铜铟镓柔性薄膜具有维修成本高、发电效率低的问题。
一种用于太阳电池铜铟镓柔性薄膜装置

[发明专利]铜铟镓硒合金的制备方法-CN201710287772.1在审
发明人：易鉴荣;唐臻;林荔珊 -专利权人：柳州豪祥特科技有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒合金的制备方法，步骤包括按重量份数比选取铜、铟、镓原料并破碎成粗粉并混合均匀；进行气流磨制；将气流磨制后的混合粉末装入反应釜中，抽真空后向反应釜内充入氩气；将所述反应釜升温至300～400℃；将所述反应釜升温至600～800℃；将所述反应釜升温至900～1100℃；冷却所述反应釜至80～100℃，得到铜铟镓合金；将所述铜铟镓合金与硒粉分别装入石英管的两端，并对石英管进行抽真空操作；采用管式炉对装有铜铟镓合金一端加热至1050～1100℃，并保持这个温度；管式炉加热装有铜铟镓合金一端的同时加热装有硒粉一端；使铜铟镓与硒在800℃下反应20～30h；关闭管式炉，停止加热，冷却至室温，得到铜铟镓硒合金。
铜铟镓硒合金制备方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池硫化镉层的制备方法、太阳能电池及铜铟镓硒层上生长硫化镉层的方法-CN201910138995.0在审
发明人：左悦;孙合成 -专利权人：华夏易能（南京）新能源有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒太阳能电池的硫化镉层制备方法、太阳能电池及铜铟镓硒层上生长硫化镉层的方法，所述铜铟镓硒太阳能电池的硫化镉层制备方法包括：预设有铜铟镓硒层的衬底置于酒石酸钾溶液中浸泡，使得酒石酸钾溶液中的至少部分钾离子扩散进铜铟镓硒层中；向酒石酸钾溶液中加入镉盐和碱，充分混合得到混合溶液，混合溶液中含有酒石酸与镉的络合物；加热混合溶液，使得络合物中的镉离子扩散进铜铟镓硒层中，并且使铜铟镓硒层的表面含有至少部分镉离子；以及向混合溶液中加入硫脲，充分反应，在铜铟镓硒层上生长出硫化镉层。
铜铟镓硒太阳能电池硫化制备方法铜铟镓硒层上生长

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法-CN201010120009.8无效
发明人：陈文仁;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，包括以下步骤：首先，依据配方比例，混合含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒(硫)的原始混合粉末；其次，在该混合粉末中添加额外的VIA族元素粉末，使形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的最后混合粉末；再添加溶剂、界面活性剂和接着剂至该最后混合粉末中并进行搅拌形成铜铟镓硒浆料；接着，将该铜铟镓硒浆料涂布在钼层上，软烤使溶剂挥发形成光吸收前驱层；以及最后，再将含该光吸收前驱层的基板置于含VIA族元素粉末的RTA炉中，高温形成VIA族蒸气气氛下退火长晶，以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的的光吸收层。
真空制作铜铟镓硒吸收方法

[发明专利]非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法-CN201010111127.2无效
发明人：陈文仁;林群福;杨益郎 -专利权人：昆山正富机械工业有限公司
申请日： 2010-02-10 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明是有关一种非真空制作铜铟镓硒光吸收层的方法，用以在非真空下一钼层上形成均匀光吸收层，该方法包括以下步骤：首先，依据配方比例，调配含IB、IIIA及VIA族元素的二成份、三成份或四成份粉末以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的混合粉末；其次，该混合粉末加入溶剂、NaI和界面活性剂搅拌形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的浆料；接着，将该浆料以非真空涂布法涂布在钼层上，再经过软烤去除溶剂以形成含铜铟镓硒或含铜铟镓硒硫的光吸收前驱层；接着，利用多道独立气压缸控制的滚轮，来回滚压该光吸收前驱层；以及最后，将滚压后的光吸收前驱层，置于含VIA族元素粉末的高温RTA炉中长晶，完成铜铟镓硒光吸收层的制作。
真空制作铜铟镓硒光吸收方法

[发明专利]一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法-CN201210550143.0有效
发明人：万磊;徐进章;邹鹏;孟明明;王仁宝;毛小丽;牛海红 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其中铜铟镓硒层采用物理气相沉积工艺制备，用红外热辐射加热并控制衬底温度，提高了成膜均匀性，同时控制蒸发工艺，使铜铟镓硒表层生成富铟相；另外本发明还采用硫化的方法在铜铟镓硒表层引入少量硫元素，即用光源辐照铜铟镓硒层表面对铜铟镓硒层加热，同时通入硫化氢气体对其硫化。本发明制备方法不仅避免了传统接触式加热方式衬底温度分布不均的问题，也优化了铜铟镓硒的表面物相结构，减少了空间电荷区的载流子复合，有利于提高电池效率。
一种太阳能电池光吸收薄膜制备方法

[发明专利]一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法-CN201310327079.4无效
发明人：杨波;邓洪海;朱龙源;邵秀梅;李雪;李淘;唐恒敬;魏鹏;王云姬;龚海梅 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2013-07-30 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种延伸波长的平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法。对于传统的PIN型铟镓砷红外探测器，由于磷化铟帽层或者衬底的吸收，限制了铟镓砷探测器在可见光波段的量子效率。本发明使用加入阻挡层的铟镓砷外延材料制备器件，在探测器阵列器件制备后与读出电路耦合，采用湿法和干法相结合的技术减薄衬底，提高器件在可见光波段的量子效率。另外，采用这种新工艺制备的平面型铟镓砷红外探测器芯片，在实现波长延伸的同时，在常规波段也能保持和传统的铟镓砷探测器相当的量子效率和暗电流。
一种延伸波长平面型铟镓砷红外探测器芯片制备方法

[发明专利]一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法-CN201310099414.X有效
发明人：徐从康 -专利权人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用铜铟镓硒合金溅射靶材生产铜铟镓硒薄膜的方法，包括以下步骤：以铜铟镓硒合金作为靶材在基底上溅射形成第一贫铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在第一贫铜层上溅射形成富铜层；以铜铟镓硒合金作为靶材在富铜层上溅射形成第二贫铜层该生产方法将共蒸镀三步工艺法和非真空内部吸收层连结结构法结合，不仅能够显著的提升原材料利用率、成本低，而且溅射工艺过程中沉积速率快，同时还将在铜铟镓硒吸收层中形成优化的镓梯度结构和纳米畴p-n结内吸收层连结结构IAJ，生产出的铜铟镓硒薄膜效率高、面积大、均匀度高。
一种利用铜铟镓硒合金溅射生产薄膜方法

[发明专利]金属化合物的浓缩方法-CN201380045023.8有效
发明人：明石孝也 -专利权人：学校法人法政大学
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C22B58/00 文献下载
摘要：对来自从矿山中挖掘的矿石或使用过的电子部件中的镓等金属进行浓缩并抑制废液的产生量是困难的。还原以第一金属含有率含有选自镓、铟、锗、碲及铯中的金属的第一固体金属化合物的混合物中的所述第一固体金属化合物，形成气体金属化合物，氧化所述气体金属化合物形成第二固体金属化合物，以比所述第一金属含有率高的第二金属含有率对该第二固体金属化合物进行捕集
金属化合物浓缩方法

[发明专利]一种高效回收锗的方法-CN201410839448.2在审
发明人：侯建琼;郭远贵;廖谨鹏;李桥;谌新彪 -专利权人：郴州丰越环保科技有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： C22B7/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效回收锗的方法，具体是从一种含镓、锗、锌、铜等有价金属的锗渣中高效回收锗，还可以对物料中的镓、铜、锌也能够进行综合回收。本发明是对锗渣首先通过利用锌电解废液两次酸浸，将铜、锌、镓及部分锗浸出，并分别回收其中的铜、镓、锗，溶液返回锌系统；二次酸浸渣再用两次碱浸，将剩余大部分锗浸出，利用硫酸镁将碱浸液中的锗沉淀为锗酸镁，蒸馏生产二氧化锗本发明回收率高，锗的浸出率达到98%以上，综合回收率95%以上；不需使用昂贵的栲胶，降低了锗的生产成本；酸浸渣中的锗用碱浸出，无需烟化回收酸浸渣中的锗，简化了锗的生产工艺；利用锌电解废液浸出，置换渣中的锌直接回锌系统
一种高效回收方法