“键合结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10164677个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]键合结构-CN202080009049.7在审
发明人： B·哈巴;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;J·A·德拉克鲁斯 -专利权人：伊文萨思粘合技术公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：键合结构可以包括第一重构元件，第一重构元件包括第一元件并且具有包括第一键合表面的第一侧以及与第一侧相对的第二侧。第一重构元件可以包括围绕第一元件的第一侧壁表面设置的第一保护材料。键合结构可以包括第二重构元件，第二重构元件包括第二元件并且具有包括第二键合表面的第一侧以及与第一侧相对的第二侧。第一重构元件可以包括围绕第二元件的第二侧壁表面设置的第二保护材料。第二重构元件的第一侧的第二键合表面在没有沿着键合界面的中间粘合剂的情况下可以被直接键合到第一重构元件的第一侧的第一键合表面。
结构

[实用新型]键合结构-CN201320878777.9有效
发明人：张贺丰;邹杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种键合结构，包括金属层以及金属层上的键合焊垫，其特征在于，所述键合焊垫和金属层在其接触面上分别形成有凹凸相间的粘结图案，所述键合焊垫的粘结图案和金属层的粘结图案相互互补。这样的设计，可以增加金属层与键合焊垫的粘结力，从而减少缺陷的产生，提高器件良率和可靠性。
结构

[发明专利]键合方法和键合结构-CN201910844589.6在审
发明人：丁刘胜;王诗男 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种键合方法和键合结构，该键合方法包括：在第二基片的表面形成由导电材料形成的导电连接柱；在第一基片的表面形成由键合胶形成的键合胶图形，所述键合胶图形具有凹陷部，所述第一基片的部分表面从所述凹陷部露出，所述凹陷部的位置与所述导电连接柱对应，所述凹陷部的横向尺寸大于所述导电连接柱的横向尺寸，所述键合胶图形的厚度大于所述导电连接柱的厚度；以及将所述导电连接柱与所述凹陷部对准，在预定的温度条件下，对所述第一基片和所述第二基片施加预定的压力，使所述第一基片与所述第二基片通过所述键合胶图形键合为一体，并且，所述导电连接柱与所述第一基片的从所述凹陷部露出的所述部分表面接触。
方法结构

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202310774100.9在审
发明人：庄凌艺;季宏凯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本公开涉及一种键合方法及键合结构。所述键合方法包括如下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一介质层、以及暴露于第一介质层的表面的第一导电层，第二晶圆包括第二介质层、以及暴露于第二介质层的表面的第二导电层；对第一晶圆和第二晶圆进行表面处理，形成覆盖第一介质层的第一键合层、以及覆盖第一导电层的第一处理层，并形成覆盖第二介质层的第二键合层、以及覆盖第二导电层的第二处理层；去除第一处理层和第二处理层，并键合连接第一键合层与第二键合层，以及键合连接第一导电层和第二导电层本公开增强了键合结构的键合强度。
方法结构

[发明专利]键合方法以及键合结构-CN201510047292.9有效
发明人：王之奇;王文斌;杨莹;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种键合方法以及键合结构，其中键合方法包括：提供待键合的第一基板以及第二基板，所述第一基板以及第二基板分别具有应力；所述第一基板以及第二基板分别包括键合面以及相对于所述键合面的非键合面；在所述第一基板和/或第二基板的非键合面形成带有应力的材料层，并使所述材料层的应力与其对应的第一基板或第二基板的应力类型相反；在形成所述材料层之后，将所述第一基板和第二基板各自的键合面相对地设置，以将所述第一基板和第二基板相互键合本发明的有益效果在于，改善第一基板和第二基板之间的键合效果，减少基板因翘曲而报废的几率，以及基板因翘曲而在键合过程中被压坏的几率。
方法以及结构

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202011080239.6有效
发明人：王丽娟;胡陈诚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种键合方法及键合结构。其中，所述键合结构包括第一介质层；贯穿第一介质层的第一沟槽；位于第一沟槽侧壁的第一阻挡层；位于沟槽中的第一导电触点；位于第一导电触点底面的第二阻挡层；第二介质层；贯穿第二介质层的第二沟槽；位于第二沟槽侧壁的第三阻挡层；位于沟槽中的第二导电触点；位于第二导电触点顶面的第四阻挡层；位于所述第一介质层和所述第二介质层之间的键合结合层；其中，所述第一导电触点和所述第二导电触点通过所述第二阻挡层和所述第四阻挡层的接触导电连接
方法结构

[发明专利]键合方法及键合结构-CN202310642479.8有效
发明人：张越;刘天建;田应超 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种键合方法及键合结构。该键合方法包括：提供第一基底、第二基底；在所述第一基底上沉积第一键合层，并在所述第二基底上沉积第二键合层；采用激光扫描的方式激活所述第一键合层，并通过所述第一键合层、所述第二键合层将所述第一基底与所述第二基底键合本发明可以在对键合区域进行界面激活的同时，无需激活键合区域外的界面，极大的提高了键合的效率。
方法结构

[发明专利]晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构-CN202010762646.9有效
发明人：叶国梁;易洪昇 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合结构、晶圆键合方法及芯片键合结构，第一晶圆包括非金属层区域和分布有所述第一金属层的金属层区域；位于非金属层区域的第一调整层低于位于金属层区域的所述第一调整层；第二调整层覆盖第一调整层化学机械研磨所述第二调整层和所述第一调整层，研磨液对第一调整层和第二调整层的研磨速率不同，使在非金属层区域剩余的第二调整层高于或低于在金属层区域剩余的第一调整层，在非金属层区域形成第一凸起部或第一凹陷部，以匹配与其键合的有凹陷或凸起的晶圆或芯片减少键合间隙，提高工艺质量以及产品良率。消除或减少由于化学机械研磨工艺带来的局部位置凹陷，修正上下晶圆的键合空隙，提高键合强度以及质量。
晶圆键合结构方法芯片

[发明专利]键合线、键合结构、键合方法及半导体器件-CN202210819321.9在审
发明人：王令;李春艳;廖勇波;马颖江 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合线、键合结构、键合方法及半导体器件，涉及半导体封装领域，该键合线包括线芯与包裹在所述线芯外的外覆层，所述外覆层材料的熔点低于所述线芯材料的熔点，所述线芯用于与目标器件键合连接，所述外覆层用于在熔化后包裹所述线芯与目标器件之间的键合连接点基于本发明的技术方案，实现键合线与目标器件的双重连接，增加键合线与焊点之间的连接力，进而可以在满足工艺要求的前提下降低对于线芯键合工艺参数的要求，从而可以避免器件表面因键合工艺参数较大而导致弹坑并有效降低虚焊的风险
键合线结构方法半导体器件

[发明专利]键合用晶圆、键合结构以及键合方法-CN202111581105.7在审
发明人：曹语盟;陈凡;袁琨;卢基存;周华 -专利权人：光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种键合用晶圆、键合结构以及键合方法。所述键合方法包括如下步骤：提供键合用的第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆和第二晶圆上形成对准标记，对准标记包括晶圆表面图形或者晶圆通孔。至少有一个晶圆具有通孔，透过该晶圆通孔可以观察到另外一个晶圆的对准标记；以第一晶圆和第二晶圆上的对准标记为基准，将第一晶圆和第二晶圆键合。本发明由于采用晶圆通孔实现可见光同时观察两个晶圆对准标记的直接对准键合，不需要透过硅晶圆的红外辅助装置或者对两个晶圆分别预先定位的机械对准过程，并且对晶圆的透光性无特别要求。
合用结构以及方法

[发明专利]键合结构、键合方法及包含该键合结构的封装盒体-CN201910669800.5在审
发明人：梁福田;邓辉;龚明;吴玉林;彭承志;朱晓波;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：一种键合结构、键合方法及包含该键合结构的封装盒体，键合结构，包括：量子芯片；PCB板，用于与该量子芯片进行键合，该PCB板上设置有开孔，该开孔的长、宽尺寸或者直径尺寸小于量子芯片的对应尺寸；其中，所述量子芯片位于所述开孔的尺寸小于量子芯片的尺寸，使得量子芯片可以从PCB板背面与PCB板进行额外的接触，二者接触的区域可以用于接地或者信号连接，有效节省了PCB板正面的布线面积，同时提高了整体键合强度，并且避免了现有的从
芯片量子键合结构开孔键合封装盒体上表面底座开孔边缘信号连接接地热接触样品盒布线放入遮挡暴露

[发明专利]键合结构、键合方法及包含该键合结构的封装盒体-CN201910670181.1在审
发明人：梁福田;邓辉;龚明;吴玉林;彭承志;朱晓波;潘建伟 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-07-23 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H05K3/32 文献下载
摘要：一种键合结构、键合方法及包含该键合结构的封装盒体，键合结构包括：量子芯片；PCB板，用于与该量子芯片进行键合，该PCB板上设置有开孔，该开孔的尺寸大于所述量子芯片的尺寸以容纳所述量子芯片；其中，所述量子芯片位于所述通过设置开孔，将量子芯片放置于开孔中，且开孔的尺寸略大于量子芯片的尺寸，从而缩短了引线长度，减小了微波信号在键合处产生的阻抗不匹配，提高了信号质量，另外采用背面安装的方式，将量子芯片从PCB板背面平稳地推送至开孔中进行键合，通过背面紧固的方式提高了键合强度，避免了现有的从PCB板正面放入芯片，安装时容易出现芯片与样品盒底座结合不牢固以及和底座热接触不良的问题。
量子芯片开孔键合结构键合封装盒体底座背面安装电性连接微波信号芯片放置键合处热接触样品盒放入减小紧固推送阻抗背面匹配容纳

[发明专利]晶圆键合结构及键合方法-CN202011478699.4在审
发明人：张栖瑜;王学毅 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆键合结构及键合方法，通过分别在第一晶圆及第二晶圆上制备对应设置的第一沟槽及第二沟槽，以及进行表面亲水性处理后，可通过在分立的晶粒上添加液体，以进行对应晶粒的贴合处理，从而依靠晶粒实现第一晶圆与第二晶圆的自对准键合；由于晶圆的自对准键合是基于晶粒进行的，从而本发明可适用于不同尺寸的晶圆间的自对准键合，适用范围较广；操作便捷，无需价格昂贵的自动对准键合机，可降低生产成本；通过表面亲水性处理及等离子体激活处理可提高晶圆表面能，降低退火温度，增加工艺流程的可靠性；第一沟槽及第二沟槽可作为热流道，提高自对准键合的效果。
晶圆键合结构方法

[发明专利]混合键合结构及混合键合方法-CN202210069940.0在审
发明人：邢程;朱振华 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合键合结构及混合键合方法。本发明通过设计键合垫呈阵列均匀分布于键合层中，实现工艺均匀性最大化，提高了待键合晶圆表面平整度，实现提供可靠的键合质量和上下晶圆的可靠电性连接。由于键合垫呈阵列均匀分布于键合层中，键合界面的键合垫可以在单个图案化过程中制成，从而降低了工艺成本；在上下晶圆需要连通电路处，采用金属走线与键合垫电性连接，在不需要连通电路处，金属走线与键合垫无电性连接，既降低了走线设计难度以及键合垫制备工艺成本，又不会影响键合的晶圆中的连通电路。
混合结构方法

[发明专利]键合结构、显示单元及键合方法-CN202310884016.2在审
发明人：薛水源;庄文荣;叶国辉 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种键合结构，包括芯片以及基板，芯片具有电极，基板对应电极设有焊盘，电极的端面设有第一金属层，焊盘的端面设有第二金属层，第一金属层的金属硬度小于第二金属层的金属硬度，第二金属层上设有针刺区域，针刺区域内设有至少一个针状部，第二金属层与第一金属层之间插接固定并使得至少部分针状部插设于第一金属层内，以使芯片与基板键合。
结构显示单元方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条