[发明专利]键合方法以及键合结构有效
| 申请号： | 201510047292.9 | 申请日： | 2015-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN104555907B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王之奇;王文斌;杨莹;王蔚 | 申请（专利权）人： | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,骆苏华 |
| 地址： | 215021 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种键合方法以及键合结构，其中键合方法包括：提供待键合的第一基板以及第二基板，所述第一基板以及第二基板分别具有应力；所述第一基板以及第二基板分别包括键合面以及相对于所述键合面的非键合面；在所述第一基板和/或第二基板的非键合面形成带有应力的材料层，并使所述材料层的应力与其对应的第一基板或第二基板的应力类型相反；在形成所述材料层之后，将所述第一基板和第二基板各自的键合面相对地设置，以将所述第一基板和第二基板相互键合。本发明的有益效果在于，改善第一基板和第二基板之间的键合效果，减少基板因翘曲而报废的几率，以及基板因翘曲而在键合过程中被压坏的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 以及 结构 | ||
【主权项】：
一种键合方法，其特征在于，包括：提供待键合的第一基板以及第二基板，所述第一基板以及第二基板分别具有应力；所述第一基板以及第二基板分别包括键合面以及相对于所述键合面的非键合面；在所述第一基板和/或第二基板的非键合面形成带有应力的材料层，并使所述材料层的应力与其对应的第一基板或第二基板的应力类型相反；形成所述应力材料层前，获得第一基板以及第二基板的翘曲度，所述材料层的应力类型及应力大小能降低对应的键合前第一基板或第二基板的翘曲度；在形成所述材料层之后，将所述第一基板和第二基板各自的键合面相对地设置，以将所述第一基板和第二基板相互键合。
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- 本发明提供了一种硅基绝缘层上多晶硅与玻璃的阳极键合方法，所述方法为(1)在硅衬底面上沉积一层绝缘层；(2)以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅衬底面与多晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；(3)在开设有开槽区的硅衬底面的绝缘层上沉积一层多晶硅，多晶硅在所述的开槽区与硅基导通；(4)所述的多晶硅与玻璃进行阳极键合；当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时，本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构，以实现MEMS器件的电学性能保护，同时仍然保证多晶硅‑玻璃的键合强度。
- 一种微流控MEMS芯片封装方法-201710422446.7
- 卫勇 - 扬中市华瑞通讯仪器有限公司
- 2017-06-07 - 2017-11-17 - B81C3/00
- 本发明涉及一种微流控MEMS芯片封装方法，用于对具有微流道结构的上层基板和与上层基板相层叠连接的下层基板进行封装得到微流控MEMS芯片，该方法包括以下步骤第一步、制备下层基板；第二步、制备上层基板；第三步、制备芯片半成品；第四步、芯片半成品预加热；第五步、射频电源轰击芯片半成品。本发明的优点是采用射频技术作用于上下层基板的金属膜，使金属膜表面形成局部高温，导致基板表面融化后与金属膜熔接，进而使上、下层基板更好的紧密结合在一起，大大提高了产品的键合精度，避免了封装过程妨碍微流道结构，进而提高了芯片封装的成品率，缩短了生产周期，降低了生产成本。
- 静电键合设备及静电键合产生的方法-201610597631.5
- 汤亮;张忠山;季磊;支萌辉;齐敏;孙泉;乔东海;张倩 - 中国科学院声学研究所
- 2016-07-26 - 2017-11-10 - B81C3/00
- 本发明涉及一种静电键合设备及静电键合产生的方法，该设备包括手套箱设备(0000)和静电键合发生设备(1000)，静电键合发生设备(1000)内部设置有静电键合室，手套箱设备(0000)内部设置有手套箱；静电键合室与手套箱之间设立连接通道(0002)，连接通道(0002)用于实现操作对象的内部转移。本发明利用连接通道使手套箱和静电键合室连接在一起，保证了整个操作环境的洁净度，保证了操作环境与氧气、水汽隔绝，避免了厌氧、怕水汽的对象在操运过程中接触氧气和水汽的问题。
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