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[实用新型]用于密封光模块金丝键合、有源耦合的辅助装置-CN202123152907.4有效
发明人：王芳 -专利权人：上海航天科工电器研究院有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型涉及密封光模块加工技术领域，尤其涉及用于密封光模块金丝键合、有源耦合的辅助装置，键合耦合设备上设置有键合机台、耦合机台；还包括产品、通用保护座、键合件和耦合件，键合件与键合机台匹配设置，耦合件与耦合机台匹配设置；通用保护座上开设有贯穿槽和限位槽，贯穿槽位于限位槽的下方；键合件上设置有第一凸起。用于密封光模块金丝键合、有源耦合的辅助装置，将产品通过通用保护座放置在键合件上，再将键合件放置在键合机台上，对密封光模块进行金丝键合工序；将产品通过通用保护座放置在耦合件上，再将耦合件放置在耦合机台上，对密封光模块进行有源耦合工序，对密封光模块进行辅助定位，保证加工时的稳定性。
用于密封模块金丝有源耦合辅助装置

[发明专利]一种短波长光辅助硅片直接键合方法-CN200810047324.5无效
发明人：史铁林;廖广兰;马沧海;汤自荣;聂磊;林晓辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明属于晶圆键合技术，为一种短波长光辅助硅片直接键合方法，其步骤包括：①清洗；②氧化性氨溶液活化；③将硅片用短波长光继续辅助活化，活化后取出；短波长光的波长范围为100～400nm，短波长光照射光强为5～30mW/cm²，活化时间为0.5～30分钟；④预键合；⑤退火。经过短波长光辅助活化处理后的键合硅片对结合紧密，无需外压力作用就能实现硅硅直接键合。本发明所需设备简单，键合速度快，键合周期短，键合面积大，键合温度低，且在键合强度及键合可靠性上具有明显优势。
一种波长辅助硅片直接方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201810072168.1有效
发明人：贾钊;赵炆兼;马祥柱;张国庆;陈凯轩 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：制作第一键合结构；制作第二键合结构；利用第一键合结构中的第一键合层和第二键合结构中的第二键合层，将第一键合结构和第二键合结构键合，第二键合层中的第一区域与第一键合层中的第二区域键合，第二键合层中的第二区域与第一键合层中的第一区域键合；在第一发光层表面形成第一电极；在第二发光层表面形成第二电极，从而使得LED芯片在工作时，电流流向和散热方向不完全相同，缓解了LED芯片中的热量在LED芯片的衬底累积的现象，提高了第一发光层和第二发光层的发光效率，延长了LED芯片的使用寿命。
键合结构键合层键合发光层表面第二区域第一区域发光层制作第二电极第一电极电流流向发光效率散热方向使用寿命衬底缓解

[发明专利]一种光组件引线键合工装-CN202311135187.1在审
发明人：徐光营;张宁;贾二鑫 -专利权人： NANO科技（北京）有限公司
申请日： 2023-09-05 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种光组件引线键合工装，包括：光组件装夹机构；光组件装夹机构包括：载具以及覆盖在载具上表面的盖板，载具的上表面沿载具移动方向开设多组用于承载光组件的安装槽，且盖板在对应安装槽的位置处开设压持槽光组件的固定方式简单，装夹方便，只需将光组件放置在载具上后覆上盖板即可，且固定后结构可靠，稳定度高，光组件装夹机构与加热压持机构配合使用，便于自动引线键合设备快速完成对光组件的键合操作，在保证产品良率的前提下提高键合效率，进而实现了多芯片、小型化光组件在自动键合设备上的自动化批量键合生产。
一种组件引线工装

[发明专利]键合装置和键合方法-CN202111595678.5有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;程曲 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括：键合组件，包括：用于拾取第一待键合管芯的键合头，以及贯穿所述键合头的第一光通路；其中，所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面；第一对准组件，用于在所述键合组件位于第一位置时，通过所述第一光通路的第二端向所述第一端发射检测光信号；所述第一对准组件，还用于接收所述检测光信号经所述第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的所述反射光信号确定所述第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定所述晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
装置方法

[发明专利]键合装置和键合方法-CN202111594630.2有效
发明人：田应超;刘天建;曹瑞霞;张伟 -专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司;湖北江城实验室
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括：键合组件，包括：键合头以及贯穿键合头的第一光通路；第一对准组件，用于在键合头位于第一位置时，确定拾取面相较于水平面的偏移量；键合组件，还用于根据偏移量，驱动键合头移动至平行于水平面的第二位置；第一对准组件，还用于在键合头位于第二位置时，通过第一光通路的第二端向第一端发射检测光信号；第一对准组件，还用于接收检测光信号经第一待键合管芯反射的反射光信号，并根据接收的反射光信号确定第一待键合管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值；第二对准组件，用于确定晶圆上第二待键合管芯的当前位置与第二目标位置的第二偏差值。
装置方法

[发明专利]键合晶圆的空洞检测方法及键合晶圆的空洞检测装置-CN202110716623.9有效
发明人：王庆;陈明;陈金星;金保洲 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-26 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本申请提供一种键合晶圆的空洞检测方法，所述键合晶圆包括层叠设置的两层晶圆层，所述方法包括：减薄所述键合晶圆的其中一层晶圆层得到目标晶圆层；使用可见检测光从所述目标晶圆层照射所述键合晶圆，并扫描所述键合晶圆；接收从所述键合晶圆反射的可见检测光并根据所述反射的可见检测光形成图像；以及根据所述图像对所述键合晶圆进行空洞检测。本申请还提供一种键合晶圆的空洞检测装置。本申请提供的键合晶圆的空洞检测方法和键合晶圆的空洞检测装置，通过减薄所述键合晶圆，再使用可见检测光照射减薄后的键合晶圆而形成图像，根据所述图像能够准确并快速地检测出所述键合晶圆的空洞，从而提高生产效率以及产品良率
键合晶圆空洞检测方法装置

[发明专利]薄膜铌酸锂和Ⅲ-Ⅴ异质集成光学材料结构及其制备方法-CN202211594317.3在审
发明人：钱广;吴立枢;唐杰;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L33/26 文献下载
摘要：该结构包括依次键合连接的：衬底、第一键合层、铌酸锂薄膜、第二键合层和Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜。制备方法为：将Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜临时键合后去除原本的衬底；同时将铌酸锂材料与衬底键合，再进行减薄及表面处理；将得到的铌酸锂薄膜与Ⅲ‑Ⅴ光学外延层薄膜键合，最后去除临时键合层和临时衬底得到薄膜铌酸锂和Ⅲ本发明可以实现Ⅲ‑Ⅴ光芯片与薄膜铌酸锂光芯片异质集成，弥补薄膜铌酸锂光学材料在光源、光探测和光放大等方面的技术不足。
薄膜铌酸锂集成光学材料结构及其制备方法

[发明专利]一种键合设备、键合波的检测方法及系统-CN201910380534.4有效
发明人：刘洋 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明提供一种键合设备、键合波的检测方法及系统，其中键合设备包括上卡盘、顶针和下卡盘，在上卡盘的第二表面上设置有多个光感装置，每个光感装置包括光发射单元和光接收单元，在光感装置下设置有贯通上卡盘的光通路，各光感装置的光发射单元可以用于沿相应的光通路发射垂直与上卡盘的第一表面的光线，光接收单元可以用于接收沿相应的光通路返回的反射光，在上卡盘吸附第一晶圆时，各光感装置获得的反射光的光强度变化状态可以反映第一晶圆和上卡盘的相对位置，从而用于第一晶圆上的键合波的检测，进而可以在实际操作中准确的确定与键合波的移动匹配的上晶圆真空释放时间，从而提高键合控制的精确度，降低晶圆键合成本。
一种设备键合波检测方法系统

[发明专利]半导体元件安装基板和光发送模块-CN200710006326.5有效
发明人：加贺谷修 -专利权人：日本光进株式会社
申请日： 2007-02-02 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：利用下述的光发送模块可解决本发明的课题：使用在半绝缘性半导体衬底上形成了光调制器集成激光器的半导体芯片(22)，用第一键合引线(31)连接输入传送线路(27)与光调制器元件(21)的阳极电极，用第二键合引线(32)连接光调制器元件(21)的阳极电极与终端电阻元件(24)的一端，用第三键合引线(33)连接光调制器元件(21)的阴极电极与终端电阻元件(24)的另一端，用第四键合引线(34)连接光调制器元件(21)的阴极电极与接地电极(25)，将第一键合引线(31)与输入传送线路(27)的连接部配置在对于第四键合引线(34)与接地电极(25)的连接部夹着半导体芯片(22)的相反一侧。
半导体元件安装发送模块

[发明专利]一种半导体晶圆激光解键合光学装置-CN201911219704.7有效
发明人：张小军;任莉娜;胡辉;邓正东;巫礼杰;卢建刚;尹建刚;高云峰 -专利权人：大族激光科技产业集团股份有限公司
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及激光加工技术领域，尤其涉及一种半导体晶圆激光解键合光学装置。所述半导体晶圆激光解键合装置包括：光学机构、光斑监测机构、加工平台及运动控制机构；光学机构包括激光器、平顶光斑产生模块、整形模块、成像模块，激光器发出初始高斯光束，初始高斯光束经平顶光斑产生模块可以产生中心能量分布均匀的初始平顶光，初始平顶光经过整形模块可以形成整形平顶光，整形平顶光光斑斑形状更利于半导体晶圆解键合过程中光斑拼接，整形平顶光经过成像系统改变光斑大小，调整解键合能量密度；根据本发明提供的激光解键合光学装置，可有效降低成本并提高解键合质量及灵活性
一种半导体激光解键合光学装置

[发明专利]晶圆键合机台及晶圆键合方法-CN202211574712.5在审
发明人：王念 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆键合机台及晶圆键合方法，用于将上层晶圆与下层晶圆键合，所述晶圆键合机台包括：上卡盘，用于吸附所述上层晶圆；下卡盘，设置于所述上卡盘的下方，所述下卡盘具有用于吸附所述下层晶圆的吸附区域以及位于所述吸附区域外围的边缘区域；至少三个光检测器，间隔地设置于所述下卡盘的边缘区域中；所述光检测器用于发射出射光并接收所述出射光反射回来的反射光，以根据所述出射光和所述反射光判断键合后的所述上层晶圆是否相对于所述下层晶圆发生滑片。本发明的技术方案能够避免损坏晶圆键合机台中的机械部件以及避免上层晶圆本身破损。
晶圆键合机台方法

[发明专利]电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法-CN201210521474.1无效
发明人：李艳平;冉广照;徐万劲;陈娓兮;秦国刚 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种电泵键合硅基表面等离激元混合光源及其制备方法。本发明的混合光源包括一TM模半导体光增益结构，一基于SOI的SPP波导结构；其中，所述SPP波导结构包括一基于SOI制备的硅波导，以及依次位于所述硅波导上的金属层、介质层；所述SPP硅波导结构的两侧分别依次为空隙区、键合层；以所述TM模半导体光增益结构中最接近光增益区的面作为键合面，所述TM模半导体光增益结构的光增益区与所述SPP波导结构对准后通过所述键合层键合。本发明的混合光源可以应用于大规模集成光互连芯片。与已有的光泵表面等离激元混合光源相比，具有能用电驱动和与硅基芯片相集成的优点。
电泵键合硅基表面离激元混合光源及其制备方法

[发明专利]损耗补偿光切换-CN201380080144.6在审
发明人：迈克尔·瑞恩·泰·谭;沙吉·瓦格西·马塔伊;韦恩·维克托·瑟林;保罗·凯斯勒·罗森伯格 -专利权人：慧与发展有限责任合伙企业
申请日： 2013-10-09 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： G02B6/35 文献下载
摘要：损耗补偿补偿光开关包括光交叉开关和晶片键合半导体放大器(SOA)。光交叉开关具有多个输入端口和多个输出端口，并且位于第一半导体材料的基板上。晶片键合SOA包括晶片键合至该基板的表面的第二半导体材料层，使得晶片键合SOA半导体材料层的一部分与多个输入端口中的一个输入端口的一部分重叠。晶片键合SOA的第二半导体材料不同于基板的第一半导体材料。
损耗补偿切换

[发明专利]一种背出光红光芯片及其制作方法-CN201811406142.2在审
发明人：黄慧诗;张秀敏;王书宇;贾美玲 -专利权人：江苏新广联半导体有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及芯片制作技术领域，具体公开了一种背出光红光芯片，其中，所述背出光红光芯片包括：蓝宝石基板、透明键合层、发光外延层和电极，所述蓝宝石基板的一表面通过所述透明键合层与所述发光外延层的一表面连接，所述发光外延层的背离所述蓝宝石基板的表面连接所述电极，所述发光外延层能够发出红光，且所述发光外延层发出的红光能够透过所述透明键合层由所述蓝宝石基板射出。本发明还公开了一种背出光红光芯片的制作方法。本发明提供的背出光红光芯片通过将能够发出红光的发光外延层与蓝宝石基板通过透明键合层进行键合，发光外延层发出的红光能够透过透明键合层由蓝宝石基板射出，因而获得了背出光红光芯片，实现了红光芯片的倒装封装。
发光外延层红光芯片蓝宝石基板透明键合层红光表面连接电极射出芯片制作技术倒装封装键合制作背离

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