专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]传输的磁性传输机构-CN202123225450.5有效
  • 刘金泉;刘海龙 - 昆山璧发自动化科技有限公司
  • 2021-12-21 - 2022-07-22 - B65G15/58
  • 本实用新型涉及传输线技术领域,尤其涉及一种传输的磁性传输机构。其包括传输机构、连接于传输机构左侧的左传输机构、连接于传输机构右侧的右传输机构,所述传输机构包括第一固定支架、置于第一固定支架下方的第二固定支架、设置在第一固定支架上的第一传输带线、置于第二固定支架上的第二传输带线本实用新型的有益之处:本实用新型采用错传输机构将产品上下分开,在配合传输机构将产品分别进行传输,再通过整理机构配合整理,自动化程度高,大大提高了效率,节约了时间。
  • 传输磁性机构
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02809544.8无效
  • 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫 - 尼古拉·尼古拉耶维奇·列坚佐夫
  • 2002-05-07 - 2004-09-15 - H01L21/20
  • 本发明的方法从生长在有不同晶格常数的衬底顶部的,原来位和/或富于缺陷的晶格失配,产生相干无位区域,而不包含在晶格失配生长之前或以后的任何处理步骤。该过程优选地在位的顶部原地形成一。该帽最好有和下面衬底接近的晶格参数,而与在无应变状态下的晶格失配的晶格参数不同。在这些条件下,该帽在位附近的区域受到弹性排斥,因为在该处晶格参数和衬底的晶格参数差别最大。在这些区域帽不复存在。当帽比起下面的晶格失配有一个较低的热蒸发率时,晶格失配包含位的那些区域就在足够高的温度下被选择性地蒸发,而在衬底上只留下原先富于位的晶格失配的相干、无缺陷区。在本发明的一个实施方案中,在无衬底上形成的无缺陷区的尺寸被优选地调到30-1000nm范围,这依赖于退火条件,帽的厚度和晶格失配。也同时公开了用本方法制作的器件。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [实用新型]一种曲轴加工自动顶尖防检测装置-CN202121398417.X有效
  • 钱梅;徐长龙 - 无锡市峻雅机械有限公司
  • 2021-06-23 - 2021-12-14 - B23Q17/00
  • 本实用新型属于曲轴加工设备技术领域,尤其为一种曲轴加工自动顶尖防检测装置,包括尾架座,所述尾架座的左侧贯穿开设有安装孔,所述安装孔的内部安装有液压套筒,所述液压套筒的左右两端分别贯穿安装孔并延伸至安装孔的外部所述液压套筒的左侧安装有活络顶尖,所述液压套筒的外侧壁右侧套接有固定环,所述固定环的外侧壁上端固定连接有位置调节片,所述尾架座的右侧上端固定连接有固定板,所述固定板的左侧贯穿开设有固定孔,所述固定孔的内部安装有位置传感器,该种曲轴加工自动顶尖防检测装置,具有自动防检测功能和方便调节位置调节片的位置的特点。
  • 一种曲轴加工自动顶尖检测装置
  • [实用新型]一种低损高效锅式手工炒-CN202121998926.6有效
  • 张芬;孙翠萍;于继娥;刘振承;张作会 - 山东振承农业发展股份有限公司;日照振承生物科技有限公司
  • 2021-08-24 - 2022-03-04 - A23F3/06
  • 本实用新型为一种低损高效锅式手工炒锅,包括炒锅机架、设置在炒锅机架上的锅体,在炒锅机架上设置有隔热、保温和加热,沿炒锅机架内壁设有隔热,隔热上方设有保温,保温上方设有加热,加热上方设有锅体,锅体与加热之间设置温度传感器,温度控制装置安装在炒锅机架上,且上面设置有温度显示屏、控温按钮和工作模式档位,温度控制装置内部设有温控电箱等,在炒锅架体上安装电控装置和温度控制装置,能够实时查看炒锅锅体温度变化,对于初学者,要炒制品质好的茶叶不再是困难的事情,不用完全依靠有经验的炒师傅也能炒出好茶。本实用新型结构简单,易上手,操作能力强,提高炒效率,有利于产业的发展。
  • 一种高效手工炒茶锅
  • [发明专利]半导体材料的生长方法以及半导体衬底-CN200910247543.2有效
  • 刘建奇;任国强;王建峰;徐科;杨辉 - 苏州纳维科技有限公司
  • 2009-12-30 - 2010-07-07 - H01L21/20
  • 一种半导体材料的生长方法,包括如下步骤:提供生长衬底;在生长衬底的表面形成凹陷;在凹陷处形成颗粒状填充物,以覆盖凹陷的表面;在生长衬底表面的裸露部分生长籽晶;采用侧向外延工艺使籽晶横向合并,以形成连续的半导体作为可选的技术方案,所述凹陷为位坑。本发明的优点在于,采用形成凹陷并采用颗粒状填充物进行填充的方法代替了现有技术中昂贵而复杂的光刻方法,节约了工艺成本,缩短了工艺周期。进一步,本发明优选采用形成位蚀坑的方法形成凹陷,从而实现了对生长衬底中的位进行选择性阻挡,提高了ELOG方法中阻挡对位的阻挡效率,避免了生长衬底中的位延续至外延中,降低了外延中的位密度。
  • 半导体材料生长方法以及半导体衬底

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