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[发明专利]一种调控基平面位错的SiC外延生长方法-CN202310309155.2在审
发明人：于乐;李哲洋;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：一种调控基平面位错的SiC外延生长方法，是一种通过缓冲层工艺和原位刻蚀工艺实现兼具高基平面位错转化率以及基平面位错转化点下移的4H‑SiC外延生长方法。本发明在外延层生长前进行多个周期的缓冲层生长和原位刻蚀，一方面通过调控位错弹性能和材料内应力促使基平面位错转化率进一步提高，实现高基平面位错转化，另一方面通过调控表面形貌来调节镜像力的作用，使基平面位错的转化点发生下移，从而满足高压大电流电力电子器件的性能和可靠性需求。
一种调控平面 sic 外延生长方法

[发明专利]一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法-CN202310309126.6在审
发明人：汪久龙;李哲洋;于乐;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料的方法，该方法使用激光作为热源，加热熔融氢氧化钾在碳化硅材料表面形成局部湿法腐蚀，在碳化硅材料表面腐蚀形成凹槽。本发明可以对具有高化学稳定性、高硬度的碳化硅半导体材料表面进行高速、高深度的凹槽制备，且具有流程简单、工艺稳定和成本低廉的优点。
一种快速加热湿法腐蚀碳化硅半导体材料方法

[发明专利]一种用于制备超结结构的4H-SiC沟槽外延生长方法-CN202310392938.1在审
发明人： 李哲洋;于乐;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种用于制备超结结构的4H‑SiC沟槽外延生长方法，在衬底或外延层表面设置周期性沟槽结构，将进行沟槽外延的材料装入反应腔中；对反应腔通入氩气，设置反应腔压强，将反应腔内的温度升温；保持氩气通入的同时通入硅烷，维持温度及压强，进行原位退火处理；将混合气切换为氢气，设置反应腔内的温度和压强；维持设置的温度及压强，进行原位刻蚀处理一定时间；再次设置反应腔内的温度和压强；进行外延层生长。本发明在外延生长前通过原位退火工艺及原位刻蚀工艺调节沟槽形貌，调控沟槽结构的曲率半径；在外延生长过程中向反应腔内通入氯化氢，提高材料表面自由能；形成具备增强沟槽底部生长速率及抑制台面生长速率功能的沟槽外延生长模式。
一种用于制备结构 sic 沟槽外延生长方法

[发明专利]一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法-CN202310308771.6在审
发明人： 李哲洋;于乐;汪久龙;李永平;金锐;魏晓光 -专利权人：北京智慧能源研究院
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善表面形貌的SiC衬底预处理方法，在原位刻蚀过程中通入碳源、硅源，避免碳富集或硅富集造成表面形貌的劣化，并通过碳源、硅源的辅助处理效果起到提升表面损伤修复效果、降低表面粗糙度、以及抑制原子台阶聚并等作用，从而提供有着规则原子台阶结构的衬底表面，提升外延生长的质量。
一种改善表面形貌 sic 衬底预处理方法

[外观设计]对讲机-CN202030597611.5有效
发明人：余晋毅;黄志强;方福荣;乌永恒;丁萍;李哲洋;张玮亮;黄雯 -专利权人：华东交通大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：对讲机。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于对讲机，是一种短距离通信工具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
对讲机

[发明专利]一种提高碳化硅外延层载流子寿命的方法-CN201710586010.1有效
发明人： 李哲洋 -专利权人： 李哲洋
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高碳化硅外延层载流子寿命的方法，主要采用低速高碳硅比以及高速低碳硅比工艺结合，周期性生长所需的厚层碳化硅外延层，对比单一的低速高碳硅比工艺，有效提高了外延层的生长速率。同时结合高温退火处理，利用化学气相沉积热力学平衡条件下碳元素的迁移达到消除碳空位的目的，实现了原位生长过程中碳空位的有效修复，达到了提高碳化硅外延层载流子寿命的目的。采用本发明申请提供的外延方法生长的外延材料在外延完成后不需再利用离子注入或高温氧化的后期处理，兼容于现有商业化碳化硅外延炉的基础工艺，具有极大的推广价值。
一种提高碳化硅外延载流子寿命方法

[发明专利]一种混合生长源的碳化硅生长方法-CN201710586022.4有效
发明人： 李哲洋 -专利权人： 李哲洋
申请日： 2017-07-18 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合生长源的碳化硅生长方法，介绍了混合生长源的生长工艺以及混合生长源等效分子式的计算方法。采用混合生长源，可以实现对生长源的耗尽方式的精细调节。通过改变混合生长源的比例，可以调节生长源的耗尽分布，避免进气端以及出气端富硅沉积物的形成，有效延长反应室备件使用寿命；同时采用混合生长源，可以提高生长源耗尽分布中线性耗尽区域的比例，使外延生长具有更宽的工艺窗口，易于实现理想的外延片内均匀性。工艺兼容于常规的SiC外延工艺，适用于现有商业化的单片以及多片式外延炉，具有较高的推广价值。
一种混合生长碳化硅方法

[发明专利]一种能够有效降低碳化硅外延表面缺陷的生长方法-CN201810041295.5在审
发明人： 李哲洋;刘胜友 -专利权人： 李哲洋
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： C30B25/20 文献下载
摘要：本发明主要解决的技术问题是提出了一种能够有效降低碳化硅外延表面缺陷的生长方法。采用低、高温结合的在线原位刻蚀衬底工艺及在高于外延生长温度的条件下进行缓冲层生长，基于目前常用的化学气相淀积外延炉，在碳化硅衬底上通过改进在线原位刻蚀工艺及缓冲层(buffer layer)生长工艺，减少衬底上缺陷的延伸和演化生长，有效降低了外延层表面缺陷，获得了高质量的碳化硅同质外延晶片。该工艺兼容于常规的碳化硅外延工艺，适用于现有商业化的单片及多片是外延炉，具有较高的推广价值。 1
碳化硅外延生长衬底表面缺陷缓冲层碳化硅外延炉化学气相淀积外延层表面工艺兼容刻蚀工艺同质外延外延生长常规的单片多片晶片刻蚀延伸改进

[发明专利]提高碳化硅材料载流子寿命的方法-CN201110434584.X无效
发明人：冯淦;李哲洋;赵健辉 -专利权人：瀚天泰成电子科技（厦门）有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高长成的碳化硅材料的载流子寿命的方法，包括如下步骤：步骤（a1）：在长成的碳化硅材料的表面上生长富含碳或硅间隙原子的碳化硅牺牲层；步骤（b1）：对步骤（a1）中所得到的结构进行高温退火。本发明还涉及一种制造载流子寿命提高的碳化硅晶体的方法，包括：步骤（a2）：生长碳化硅晶体；步骤（b2）：步骤（a2）中所得到的碳化硅晶体的表面上生长富含硅或碳间隙原子的碳化硅牺牲层；步骤（c2）：对步骤（b2）中所得到的结构进行高温退火。
提高碳化硅材料载流子寿命方法

[发明专利]高掺杂浓度的碳化硅外延生长的方法-CN200710025328.9有效
发明人： 李哲洋;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2007-07-24 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种N型高掺杂浓度的碳化硅外延生长的方法，包括以下步骤：11)衬底的准备；12)对衬底的原位预处理；13)缓冲层的生长；14)通入含碳生长源、含硅生长源和掺杂剂，进行碳化硅外延的生长，其特征在于，所述步骤14)进一步包括，通入含碳生长源的流量在5ml/min至25ml/min之间，通入含硅生长源的流量在10ml/min至50ml/min之间，并且通入掺杂剂的流量在5ml/min至2000ml/min之间。本发明还提供一种P型高掺杂浓度的碳化硅外延生长的方法。该方法，能够在保持较小掺杂剂流量的情况下，有效的提高碳化硅外延单晶薄膜掺杂浓度，不会形成记忆效应，得到的外延材料晶格质量好，缺陷密度低，工艺重复性和一致性好，适合规模生产。
掺杂浓度碳化硅外延生长方法

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