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[发明专利]一种澄清透明锑掺杂纳米二氧化锡分散液及其制备方法-CN202211603769.3在审
发明人：谢杭清;徐时清 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01G19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种澄清透明锑掺杂纳米二氧化锡分散液的制备方法，包括以下步骤：1、将水溶性锡源和去离子水混合，加入三氯化锑作为掺杂剂；2、加入0.01～1份的氧化剂次氯酸钠；3、加入25％的氢氧化四甲铵将所述步骤2得到的溶液pH调至碱性；4、将所述步骤3得到的溶液放入水热反应釜，加热至100～200℃，保持5～100小时；5、降温后获得澄清透明锑掺杂纳米二氧化锡分散液，离心获得粉末并使用清洗液清洗。
一种澄清透明掺杂纳米氧化分散及其制备方法

[发明专利]一种贵金属纳米晶负载CuSbS₂纳米晶的制备方法-CN201610343133.8有效
发明人：刘芳洋;蒋妍;童正夫;蒋良兴;韩璐 -专利权人：中南大学
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： B01J27/045 文献下载
摘要：本发明公开了一种贵金属纳米晶负载铜锑硫纳米晶的制备方法，该方法为先将贵金属盐通过液相还原法制备贵金属纳米晶，所述贵金属纳米晶采用导电聚合物钝化剂进行表面钝化处理；将表面钝化的贵金属纳米晶、铜盐及锑盐，溶解混合，得到混合液；将含硫源的溶液加入到所述混合液中反应，即得贵金属纳米晶负载CuSbS2纳米晶，该方法针对贵金属纳米晶负载于铜锑硫纳米晶中存在的热力学和催化动力学等方面的问题提出了解决方案，所得复合材料有优异的光催化性能
一种贵金属纳米负载 cusbs sub 制备方法

[发明专利]一种超长锑掺杂氧化锌微米线的制备方法-CN200910237677.6无效
发明人：张跃;杨亚;齐俊杰;郭雯;王增泽;孙凯 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种超长锑掺杂氧化锌微米线的制备方法，属于纳米/微米材料制备技术领域。基本工艺为：将硅基片用清洗剂冲洗干净，然后磁控溅射一层20nm Au薄膜，作为沉积基片；将Zn粉、Sb2O3粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀，混粉工艺可利用球磨的方法，并将混合粉末作为反应源放置于瓷舟中；把承载反应源和基片的瓷舟放入管式炉中的石英管中部，调节流量计向石英管中通入氩气和氧气的混合气体，总流量为300cm3/min，混合气体中氩气比例为98％，氧气比例为2％，在此气氛下将管式炉升温至合成温度930～950℃，然后保温10分钟左右，制备反应结束后，取出硅片冷却至室温，所得产品即为超长的锑掺杂氧化锌微米线。本发明实现了超长掺锑氧化锌微米线的制备，工艺较简单，并保证产品质量高、可控性好。
一种超长掺杂氧化锌微米制备方法

[发明专利]一种脱硫催化剂及其制备方法和烃油脱硫的方法-CN201410559372.8在审
发明人：龙军;王鹏;田辉平;林伟;孙言;王磊 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油化工科学研究院
申请日： 2014-10-20 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： B01J23/843 文献下载
摘要：该脱硫催化剂含有氧化铝、氧化硅源、第一金属氧化物、氧化锑、稀土金属氧化物和活性金属；所述脱硫催化剂的XRD谱图中存在稀土-锑复合氧化物的特征峰。该脱硫催化剂具有更好的脱硫活性和脱硫稳定性。
一种脱硫催化剂及其制备方法

[发明专利]掺杂锰系钠离子电池正极材料的制备方法-CN202111247001.2在审
发明人：余海军;谢英豪;李爱霞;张学梅;李长东 -专利权人：广东邦普循环科技有限公司;湖南邦普循环科技有限公司;湖南邦普汽车循环有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C01G45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂锰系钠离子电池正极材料的制备方法，包括将三氧化二锑、三氧化二铋中的一种或两种用酸溶解后，加入二价锰盐，配制成混合金属盐溶液，将混合金属盐溶液加入到碱性氧化剂溶液中进行反应，固液分离得到固体物料，固体物料经干燥后，与钠源混合后进行烧结，即得掺杂锰系钠离子电池正极材料。本发明掺杂了锑或铋元素，增强了材料的骨架结构，抑制材料在充放电过程中发生的相变，能够明显提高材料的比容量、循环性能和倍率性能，通过在过量碱性氧化剂溶液中滴加混合金属盐溶液，锰离子被氧化为二氧化锰，锑和铋则以六羟基合锑酸钠或铋酸钠的形式与二氧化锰共沉淀
掺杂钠离子电池正极材料制备方法

[发明专利]一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法-CN201510295876.8有效
发明人：王洋;胡淑红;吕英飞;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2015-06-02 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/208 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温生长富砷的镓砷锑薄膜的液相外延方法。该方法的工艺基于GaAs同质外延在低温生长的最佳工艺参数，并将熔源的熔融过程分为两次第一次熔融获得Ga、As为组分的初始熔源；第二次熔融时加入Sb组分，再次长时间熔融得到生长熔源。
一种低温生长镓砷锑薄膜外延方法

[发明专利]一种双功能串联铜基电催化纳米材料的制备方法及应用-CN202211358103.6在审
发明人：何会兵;马俊杰;黄芳;徐爱浩;徐晶 -专利权人：广西大学
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C25B1/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种双功能串联铜基电催化纳米材料，该材料是氧化锑均匀掺杂在具有蓬松堆积结构的氧化亚铜和铜之间的氧化亚铜/铜纳米颗粒，其表达式为Cu2O/Cu‑Sb<据此，发明人还建立了相应制备方法，即以三水合硝酸铜和三氯化锑作为铜源和锑源，氢氧化钾作为沉淀剂，抗坏血酸作为还原剂，采用先共沉淀再水热法合成。
一种功能串联电催化纳米材料制备方法应用

[发明专利]一种用于污水处理的氧化锌纳米晶复合光催化剂及制备方法-CN201810112740.2在审
发明人：陈庆;司文彬 -专利权人：成都新柯力化工科技有限公司
申请日： 2018-02-05 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：包括如下制备过程：（1）将醋酸锌加入一缩二乙二醇中，油浴加热、醇解生成氧化锌乳液，离心破乳后得到氧化锌纳米晶；（2）将氧化锌纳米晶、十六烷基三甲基溴化铵加入含硒源、锑源的乙二醇与水的混合液中进行水热反应，即得氧化锌纳米晶‑硒化锑光催化剂。
氧化锌纳米复合光催化剂制备光催化剂污水处理十六烷基三甲基溴化铵污水处理领域一缩二乙二醇可见光催化降解光谱响应离心破乳水热反应吸附效率油浴加热制备过程醋酸锌规模化混合液硒化锑氧化锌乙二醇醇解乳液锑源硒源生产成本污染物污水

[发明专利]一种改善钢琴烤漆家具表面易沾染指纹的处理工艺-CN201911313863.3在审
发明人：郭鹏鹏;高雅 -专利权人：安徽省高雅家居有限公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B05D7/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善钢琴烤漆家具表面易沾染指纹的处理工艺，涉及家具涂装技术领域，具体工艺如下：1）硅藻土进行预处理；2）将高锰酸钾溶液和硝酸铝溶液混匀后加入预处理硅藻土，经反应得到硅藻土复合物；3）向硅藻土复合物分散液中分别加入硫源和锑源，制得硅藻土复合物负载硫化锑；4）配制稳定的透明涂料；5)将透明涂料喷涂在钢琴烤漆家具部件的表面，经恒温热处理后进行表面抛光处理即可。
一种改善钢琴家具表面沾染指纹处理工艺

[发明专利]一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法-CN201611202065.X有效
发明人：李含冬;张忠阳;王志明;任武洋;李勇;龙城佳;周志华;姬海宁;牛晓滨 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。
生长硅衬底缓冲层形核层锑化铟薄膜束流分子束外延系统缓冲层表面超薄单晶单晶薄膜高温退火晶面取向外延薄膜高表面平整度外延层衬底单晶晶格裂解去气匹配升高

[发明专利]一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法-CN201310158166.1有效
发明人：黄福仁;黄赛琴;林吉申;林志雄;陈轮兴;杨忠武 -专利权人：福建省安特半导体有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于锑乳胶源埋层扩散的专用设备及方法。所述的专用设备,石英扩散管设置在扩散高温炉中,石英扩散管的前部设有进气口,进气口与均流石英装置相连,石英扩散管的后部设排气口,扩散高温炉分为为三区,炉外设有三区温控装置;所述的锑乳胶源埋层扩散方法本发明采用工艺线上通常使用的热扩散方法制备低阻埋层
一种用于乳胶源埋层扩散专用设备方法

[发明专利]一种Ga-GaSb纳米材料及其制备方法-CN202110625408.8有效
发明人：杨晴;李焕然 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：本发明提供的制备方法为溶液相合成方法，以特定的有机镓源‑三甲氨基镓二聚体(C12H36Ga2N6)和有机锑源‑三苯基锑(Sb(Ph)3)作为前驱体，在特定的反应介质十八烯中进行反应，能够一步法加热合成
一种 ga gasb 纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种三元铜基硫化物半导体纳米材料的制备方法-CN201910497070.5在审
发明人：孟祥;程江;唐华;李璐 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C01G30/00 文献下载
摘要：一种三元铜基硫化物半导体纳米材料是采用溶剂热法配制不同计量比的纳米尺寸三元铜锑硫化物，以无机铜盐、无机锑盐和硫源为原料，通过中温加压一步反应制备三元硫化物粉体。反应过程不会出现爆炸导致制备失败，利于工业化大规模生产，产率高，可高达86.2%，产物相纯度高，杂质少，纯度可高达97.8%，普适性强，工艺稳定，生产稳定性好，克服了传统制备方法中需要长时间高温处理的缺点，本发明制备的纳米三元硫锑铜材料可广泛应用于锂电池
制备硫化物半导体纳米材料铜基硫化物三元硫化物生产稳定性晶粒产品粒径高温处理工艺稳定能源领域溶剂热法无机铜盐一步反应制备过程普适性锂电池产率粉体硫源热电锑铜锑盐铜锑中温加压配制计量爆炸失败应用

[发明专利]一种晶体管型光电探测器及制备方法-CN202210418500.1在审
发明人：林乾乾;黄辉煌 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本申请涉及一种一种晶体管型光电探测器及制备方法，包括如下步骤：在基底上依次沉积沟道层、吸光层和源漏电极；其中，沟道层采用ZTO、ZnO或SnO2，吸光层采用锑基硫属化合物本申请将ZTO、ZnO或SnO2作为传输沟道，锑基硫属化合物作为吸光层，将ZTO、ZnO或SnO2的高载流子迁移率与锑基硫属化合物的高吸光能力和可调控的吸光范围有效地结合
一种晶体管光电探测器制备方法

[发明专利]一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管-CN201611076133.2在审
发明人：刘丽蓉;王勇;丁超 -专利权人：东莞市广信知识产权服务有限公司;东莞华南设计创新院
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公布了一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管结构，该器件结构包括一N型掺杂的砷化镓半导体层；一本征的砷化镓半导体层；一P型锑化镓半导体层；一在N型掺杂的砷化镓半导体层上形成的漏电极；一在P型锑化镓半导体材料上形成的源电极
一种砷化镓基异质结遂穿场效应晶体管

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