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[发明专利]一种无卤低烟低毒双屏蔽铠装高阻燃舰船控制电缆-CN201910115126.6在审
发明人：许志辉;谢大冬;吕灿雄;王颖杰;安康;段芸;吕丹 -专利权人：许志辉;吕丹;湖北航天电缆有限公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本发明公开了一种无卤低烟低毒双屏蔽铠装高阻燃舰船控制电缆，其包括：一级电缆、绕包层、编织屏蔽层、内护层、铠装层、外护层，若干一级电缆组合形成二级电芯，所述绕包层包覆于所述二级电芯，所述编织屏蔽层包覆于所述绕包层，所述内护层包覆于编织屏蔽层，所述铠装层包覆于所述内护层，所述外护层包覆于所述铠装层，所述一级电缆包括导体、绝缘层、绕包屏蔽层，所述绝缘层包覆于所述导体，所述绕包屏蔽层包覆于所述绝缘层。
包覆双屏蔽绝缘层编织屏蔽层控制电缆无卤低烟电缆高阻燃内护层绕包层铠装层铠装舰船绕包屏蔽层导体外护层电芯电磁场干扰屏蔽性能外界信号增强电缆阻燃性能烟尘燃烧释放

[发明专利]日光温室可开启式节能侧墙-CN201910122008.8在审
发明人：罗斌;高上;付晶晶 -专利权人：农政齐民科技（天津）有限公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：，所述侧墙体之间设有支撑墙，所述支撑墙顶端固定在棚顶的下底面，所述支撑墙底端固定在地面上，所述侧墙体上设有门体，所述门体由柱子和砌块砖构成；所述侧墙体包括第一棉被组、第二棉被组，所述第一棉被组包括棉被层A、棉被层B、棉被层C、塑料薄膜层A、塑料薄膜层B、塑料薄膜层C，所述塑料薄膜层A位于棉被层A、棉被层B之间，所述塑料薄膜层B位于棉被层B、棉被层C之间，所述棉被层C位于塑料薄膜层B、塑料薄膜层C之间，所述第二棉被组的结构与第一棉被组的结构相同，所述第二棉被组的里侧设有防虫网层。
棉被层塑料薄膜层棉被侧墙体棚顶支撑墙可开启式日光温室侧墙门体节能蔬菜种植防虫网砌块砖下底面底端柱子

[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201910004765.5在审
发明人：徐芸;刘厚锋;李家琪 -专利权人：昆山龙腾光电有限公司
申请日： 2019-01-03 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该阵列基板包括：衬底基板；第三金属层(触控线层)，位于衬底基板上；第一钝化层，位于衬底基板上，并覆盖触控线层；位于第一钝化层上的多个薄膜晶体管；像素电极，位于第一钝化层上，并与薄膜晶体管相连接；第二钝化层，位于薄膜晶体管上，并覆盖薄膜晶体管和像素电极；以及公共电极层，位于第二钝化层上，其中，阵列基板的储存电容包括像素电极、公共电极层以及二者之间的第一钝化层，触控电容包括所述触控线层、所述公共电极层以及二者之间的第一钝化层、第二钝化层。本发明实施例公开的阵列基板，触控电容与储存电容包括不同的钝化层，能够同时实现触控电容小、储存电容大的性能要求。
钝化层触控阵列基板薄膜晶体管公共电极层衬底基板储存电容像素电极电容线层显示装置覆盖薄膜性能要求金属层晶体管制造覆盖

[发明专利]一种微电机冲片高温退火设备-CN201910009478.3在审
发明人：张舜;杨佳平;黄绪海;覃黄坚;陈方建 -专利权人：全南县超亚科技有限公司
申请日： 2019-01-05 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种微电机冲片高温退火设备，包括加热层一，所述加热层一的外侧固定连接有物料层，所述物料层的外侧固定连接有加热层二，所述加热层二的外侧固定连接有冷却层一和冷却层二，所述加热层一的内部固定连接有感应线圈一，所述加热层二的内部固定连接有感应线圈二，所述物料层的内部固定连接有滑道，所述滑道的上端活动连接有滑轨，所述滑轨的上端固定连接有物料夹具，所述冷却层一的下端开设有进水口一，所述冷却层一的上端开设有出水口一该微电机冲片高温退火设备，整体采用中空圆柱结构，设置两个加热层和两个冷却层，实现内外双层加热的功能，同时两个冷却层同时进行冷却工作，可以有效的对冷却速度进行控制。
加热层冷却层高温退火设备内部固定微电机物料层冲片感应线圈上端滑道滑轨冷却中空圆柱结构活动连接有内外双层上端固定物料夹具出水口进水口热层下端加热

[发明专利]开口的形成方法和像素结构的制造方法-CN201710717486.4在审
发明人：高金字;戴谦邦;吕培农 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种开口的形成方法，其包括在基底上依序堆叠图案化的第一导电层、第一绝缘层、图案化的第二导电层和第二绝缘层。第二导电层和第一导电层在基底的法线方向上重叠，使得第二绝缘层具有背向基底的凸起部。在第二绝缘层上覆盖感光材料层。对感光材料层进行曝光，其中曝光的深度等于凸起部的顶面至感光材料层的表面的垂直距离。通过显影将经曝光的感光材料层移除以形成暴露出第二绝缘层的第一开口。对暴露出的第二绝缘层进行蚀刻以形成第二开口并暴露出第二导电层，然后移除感光材料层。此外，使用上述开口的形成方法的像素结构的制造方法也被提出。
绝缘层感光材料层开口第二导电层基底第一导电层像素结构凸起部图案化曝光暴露蚀刻垂直距离法线方向依序堆叠顶面显影移除制造覆盖

[发明专利]半导体元件与其制造方法-CN201710566809.4在审
发明人：许修文;叶俊瑩;罗振达;李元铭 -专利权人：帅群微电子股份有限公司
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：首先，形成磊晶层于基板上。然后，形成体区于磊晶层的上半部分。接着，形成第一沟渠于磊晶层中。之后，依序形成第一介电层、第二介电层以及第三介电层于磊晶层上，其中第三介电层形成第二沟渠，第二沟渠位于第一沟渠中。然后，形成屏蔽层于第二沟渠中。接着，移除第三介电层的上半部分，以使屏蔽层的上半部分凸出于第三介电层。之后，形成第四介电层覆盖于屏蔽层的上半部分。然后，形成栅极于第三介电层上。最后，形成源极于位于栅极之四周的磊晶层中。
第三介电层磊晶层沟渠半导体元件介电层屏蔽层崩溃电压导通电阻制造成本形成体基板移除源极制造覆盖

[发明专利]基于IGCC气化炉烧嘴保护罩-CN201811309569.0在审
发明人：张克;秦建明;李振伟;王相平;李显韩;白国威;李宗旸;吴平;李志强;步新战;孙国平;王超;文子强;王赞宇;刘国华 -专利权人：华能（天津）煤气化发电有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C10J3/50 文献下载
摘要：本发明公开了基于IGCC气化炉烧嘴保护罩，包括罩体和循环管，罩体的顶部设有循环管，循环管与罩体紧密贴合并固定；罩体的内部设有管路机构，管路机构由第一层管路、第二层管路、第三层管路、第四层管路、第五层管路、第六层管路、第七层管路和第八层管路构成，第一层管路、第二层管路、第三层管路、第四层管路、第五层管路、第六层管路、第七层管路和第八层管路均与罩体通过螺丝固定连接，罩体的侧面设有分流管，分流管呈垂直设置在罩体的侧壁
罩体循环管管路机构螺丝固定烧嘴保护第三层第一层分流管排水管安装过程垂直设置对称分布冷却效果进水管侧壁炉内简易侧面合并

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN201810804143.6在审
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述电子阻挡层包括氮化钪铝层本发明通过将电子阻挡层的材料从氮化铝镓改为氮化钪铝，氮化钪铝的能级较高，可以有效阻挡电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射发光。同时氮化钪铝的晶格与氮化镓的晶格比较匹配，可以缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，提高电子阻挡层的晶体质量，可以保证电子阻挡层对电子的阻挡效果。
电子阻挡层氮化氮化镓基发光二极管外延片氮化镓缓冲层衬底晶格源层制备半导体技术领域空穴能级阻挡氮化铝镓电子跃迁晶格失配依次层叠蓝宝石非辐射铝层匹配发光缓解保证

[发明专利]控深盲孔加工工艺-CN201210553615.8在审
发明人：刘海龙;罗斌;崔荣;韩雪川 -专利权人：深南电路有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明适用于PCB板制作领域，提供了一种控深盲孔加工工艺，用于对PCB板进行钻盲孔，包括以下步骤：确定钻盲孔应达到的电路层位置；机械钻孔至邻接该指定电路层的上一介质层中；采用激光钻孔方式除去上述机械钻孔底部至所述指定电路层间的介质通过先在PCB板上机械钻孔到指定电路层的上一介质层，再在上述机械钻孔中，用激光钻孔，除去指定电路层上的介质层，从而使盲孔刚好达到指定电路层。可通过除去机械钻孔底部的介质层，而不影响该介质层下面的指定电路层，从而使盲孔的深度刚好至指定电路层，使盲孔的深度精确控制。由于不会影响指定电路层，更不会影响指定电路层下面的介质层和电路层，有效保证PCB板的质量和可靠性。
控深盲孔加工工艺

[发明专利]提高金属连线电迁移可靠性的方法-CN201410111284.1在审
发明人：赵龙;张亮;冷江华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高金属连线电迁移可靠性的方法，包括：提供一半导体衬底，在其上沉积第一介质层，采用单大马士革工艺在所述第一介质层内形成第一金属层；在所述第一介质层上沉积第一阻挡层，通过刻蚀形成凹槽，暴露出所述第一金属层；形成第一金属保护层填充所述凹槽；沉积第二介质层，采用双大马士革工艺在所述第二介质层上形成第二金属层；然后形成第二金属保护层以及后续的金属层与金属保护层。通过在每层金属层上覆盖金属保护层，有效改善金属表面的黏附性，尤其是铜表面的黏附性，抑制金属上表面与阻挡层界面处的扩散现象，有效的提高金属连线电迁移的可靠性。
提高金属连线迁移可靠性方法

[发明专利]金属互连线的形成方法-CN201410006930.8在审
发明人：孔秋东 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连线的形成方法，包括：提供基底，在基底上形成有介质层，在介质层上形成有金属层；在金属层上形成抗反射层，在抗反射层上形成图形化的光刻胶层，图形化的光刻胶层定义金属互连线的位置；以图形化的光刻胶层为掩模，湿法刻蚀抗反射层；以图形化的光刻胶层为掩模，刻蚀金属层形成金属互连线和相邻两金属互连线之间的沟槽。湿法刻蚀抗反射层，基本不会刻蚀图形化的光刻胶层。这样，刻蚀金属层过程和图形化的光刻胶层的反应生成物之间保持相当的平衡，金属互连线的侧面得到良好保护，线宽与预定义线宽相符。
金属互连形成方法

[发明专利]半导体激光芯片及其制造方法-CN201410207706.5在审
发明人：胡海;何晋国 -专利权人：深圳清华大学研究院;深圳瑞波光电子有限公司
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01S5/02 文献下载
摘要：一种半导体激光芯片，包括一衬底，依次磊叠设于所述衬底一侧的一第一波导层、一有源层、一第二波导层、一第一刻蚀阻挡层、一第三波导层，以及一欧姆接触层，还包括设于第三波导层和欧姆接触层之间的一第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀层完全覆盖第三波导层，所述欧姆接触层的长度和宽度均小于所述半导体芯片的长度和宽度。相比于现有技术，本发明的半导体激光芯片在欧姆接触层下面设置了一刻蚀阻挡层，将靠近半导体激光芯片腔面的部分欧姆接触层蚀刻掉，同时实现P-面金属电极、欧姆接触层相对于半导体激光芯片腔面的缩进，达到了有效的降低半导体激光芯片的腔面电流的效果
半导体激光芯片及其制造方法

[发明专利]一种隔热保温材料-CN201510655771.9在审
发明人：唐拥军 -专利权人：百色学院
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种隔热保温材料，所述隔热保温材料包括保温层、抗拉层、防震层、保护层，保温层一侧设有抗拉层，抗拉层另一侧设有所述防震层，防震层另一侧设有所述保护层，所述保温层由酚醛泡沫材料制成，且厚度为1-4cm，所述抗拉层由编织布材料制成，且厚度为0.2-0.8cm，所述防震层由铝箔材料制成，且厚度为0.2-0.4cm。本发明由聚氨酯材料制成的厚度为1-4cm保温层，具有很好的保温效果，可减少能量损失；另外，采用编织布材料制成的厚度为0.5-0.8cm的抗拉层，可有效提高隔热保温材料的抗拉和抗撕裂性能；再者，本发明增加铝箔材料制成的厚度为0.2-0.4cm的防震层，可有效提高保温管的防震性能。
一种隔热保温材料

[发明专利]一种改善MOS管的栅极漏电的方法-CN201210442282.1在审
发明人：成鑫华;许升高;罗啸 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善MOS管的栅极漏电的方法，包含步骤如下：1.1.在硅衬底上形成一层栅极介质层；1.2.在上述的栅极介质层上形成一层掺杂多晶硅层；1.3.在上述的掺杂多晶硅层上形成一层硅化钨层；1.4.在上述的硅化钨层上形成一层低阻金属层；1.5.重复1.3和1.4步骤，直至栅极金属层的厚度满足器件需求；1.6.在上述组合的栅极金属层上形成一层栅极介质隔离层；1.7.利用光刻和各向异性的干法刻蚀形成栅极图形；1.8.栅极图形形成后进行高温热处理；1.9.制作栅极侧墙介质层。该方法避免MOS管的栅极硅化钨层晶粒在高温制程中剧烈增大，改善栅极的侧墙形貌，从而极大地减小栅极漏电。
一种改善 mos 栅极漏电方法

[发明专利]具有通孔的球栅阵列封装衬底及其形成方法-CN201310233471.2在审
发明人：刘宪明;柳成林 -专利权人：马维尔国际贸易有限公司
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：根据一个实施方式，提供包括含有加固纤维的第一层的球栅阵列封装的衬底。加固纤维加固第一层以使得第一层相对于球栅阵列封装中的不含有加固纤维的层具有更高的抗拉强度。在一个实施方式中，衬底包括邻近第一层布置的第二层且第二层不含有加固纤维。在一个实施方式中，衬底还包括贯穿第一层和第二层中的每个层的通孔。通孔基于已经根据机械钻孔工艺被钻孔的第一层和第二层中的每个层而贯穿第一层和第二层中的每个层。
具有阵列封装衬底及其形成方法