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[发明专利]提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件-CN202211021475.X在审
发明人：李秀妍;陈丹旸;司梦维 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种提高铪基铁电器件耐久性的方法及铪基铁电器件，该方法包括：在衬底上制备铪基薄膜；在所述铪基薄膜上形成金属电极，形成铪基器件；对所述铪基薄膜进行热退火使其结晶具有反铁电特性，得到铪基反铁电薄膜，形成铪基铁电器件；对所述铪基反铁电薄膜施加电场循环，使所述铪基反铁电薄膜在获得剩余极化强度的同时提高耐久性。本发明通过加以电场循环使铪基反铁电薄膜获得剩余极化强度，使其满足剩余极化强度的同时获得更好的耐久性。
提高铪基铁电器件耐久性方法

[发明专利]一种氧化铪基陶瓷型芯及其制备方法-CN201911093627.5在审
发明人：梁康硕;刘枫 -专利权人：沈阳明禾石英制品有限责任公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C04B35/66 文献下载
摘要：一种氧化铪基陶瓷型芯及其制备方法，所属一种氧化铪基陶瓷型芯及其制备方法，氧化铪基陶瓷型芯，由氧化铪基陶瓷型芯粉料和增塑剂组成，氧化铪基陶瓷型芯粉料由稀土金属氧化物、氧化锆、氧化钇、氧化硅、氧化铪组成。氧化铪基陶瓷型芯的制备方法：1)制备氧化铪基陶瓷型芯粉料；2)制备氧化铪基陶瓷型芯料坯；3融化；4)压注；5)焙烧。本发明的氧化铪基陶瓷型芯及其制备方法，解决了含有高活性元素的合金精密铸造过程中，现有硅基及铝基陶瓷型芯高温性能低，以及在浇铸过程中引入杂质等问题，从而获得一种耐高温、纯度高的氧化铪基陶瓷型芯。
氧化铪陶瓷型芯制备粉料稀土金属氧化物焙烧铝基陶瓷型芯高活性元素高温性能精密铸造耐高温氧化硅氧化钇氧化锆增塑剂硅基料坯压注浇铸合金融化引入

[发明专利]一种稀土掺杂铪基铁电材料、制备方法及半导体器件-CN201910675057.4在审
发明人：张青竹;张兆浩;魏千惠;屠海令;殷华湘;魏峰;赵鸿滨;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供一种稀土掺杂铪基铁电材料，包括铪基铁电材料，铪基铁电材料中掺杂有稀土元素，掺杂的稀土元素与铪基铁电材料中铪元素原子比例介于(0.1~0.9):1。本发明还提供一种稀土掺杂铪基铁电材料的制备方法，包括：将含有稀土元素的物质掺杂至铪基铁电材料中，形成稀土掺杂的铪基铁电材料；在惰性气体中对稀土掺杂的铪基铁电材料进行退火，得到经退火处理后的稀土掺杂的铪基铁电材料本发明制备的稀土掺杂的铪基铁电材料，使得材料的非对称性增加，可以使负电容材料更薄，具有很强的负电容特性；同时，利用稀土掺杂的铪基铁电材料制备的半导体器件，具有很高的电畴和反转速度，抗疲劳和可靠性更高。
铁电材料铪基稀土掺杂稀土元素制备半导体器件退火电容材料电容特性惰性气体非对称性退火处理物质掺杂掺杂的抗疲劳铪元素电畴反转掺杂

[发明专利]基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元-CN202111239678.1在审
发明人：张跃军;李憬;戴晟;傅晟杰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元，包括6T SRAM和非易失存储模块，非易失存储模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容，为4T2C结构，非易失存储模块中，采用第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容这一对铪基铁电电容作为非易失存储器件，形成互补双边结构，断电前将6T SRAM中的数据保存在第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容中，然后完全关断本发明电路，节省了待机功耗，第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容形成的互补双边结构可以提高数据恢复率和抵抗工艺变化的可靠性；优点是具有较高的数据恢复率和良好的抵抗工艺变化的可靠性。
基于铪基铁电电容非易失性 sram 单元

[发明专利]一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法-CN202110797458.4在审
发明人：姜杰;张彪;姜楠;欧阳阔 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/288 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质种子层调控氧化铪基铁电薄膜电学性能的方法，其包括：制备氧化铪基种子层前驱体溶液；制备铁电薄膜的薄膜前驱体溶液；用所述种子层前驱体溶液制得氧化铪基种子层；在所述氧化铪基种子层上旋涂所述薄膜前驱体溶液，对所述薄膜前驱体溶液进行处理后得到氧化铪基铁电薄膜。该方法是以一种与氧化铪基薄膜层完全相同的材料作为种子层，避免了以其他材料为种子层产生的元素扩散和界面死层，极大地增强了氧化铪基薄膜的铁电性能。
一种同质种子调控氧化铪基铁电薄膜电学性能方法

[发明专利]一种铪基铁电存储器及其制备方法-CN202110683895.3有效
发明人：朱颢;陈佩瑶;刘逸伦;曹园园;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
一种铪基铁电存储器及其制备方法

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法-CN202310104007.7在审
发明人：廖敏;罗梓綦;曾斌建;郑帅至;彭强祥 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01G7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法，在衬底一面顺次沉积第一金属层、氧化铪基铁电薄膜、第二金属层，得到金属‑铁电‑金属结构的铁电电容；对金属‑铁电‑金属结构的铁电电容进行热处理后，顺次进行刻蚀第二金属层、在氧化铪基铁电薄膜上沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层，得到金属‑铁电‑金属结构的氧化铪基铁电薄膜电容。本发明氧化铪基铁电薄膜电容的性能优化方法相较于传统的金属后退火(PMA)处理，通过沉积能够对氧化铪基铁电薄膜施加面内压应力的第三电极层可进一步提高氧化铪基铁电薄膜电容的极化强度，进一步优化氧化铪基薄膜的铁电性能
一种氧化铪基铁电薄膜电容性能优化方法

[发明专利]一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用-CN202210821415.X在审
发明人：张吴闻博;蒋艳平;唐新桂 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用。本申请提供的氧化铪基阻变储存器的高阻值和低阻值之比高于没有掺杂镧的氧化铪阻变储存器，具有优异的双极阻变效应，说明本申请提供的氧化铪基阻变储存器通过对阻变功能层氧化铪薄膜掺杂镧，提高了氧化铪基阻变储存器的开关比，同时提高了氧化铪基阻变储存器的循环擦写的稳定性，本申请提供的氧化铪基阻变储存器解决了现有阻变储存器的储存性能还有待提高的技术问题。
一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法应用

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法-CN202010424255.6在审
发明人：廖佳佳;杨婉贞;周益春;廖敏;曾斌建 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种氧化铪基铁电薄膜的制备方法，包括：在基底上沉积氧化铪基薄膜；并在氧化铪基薄膜的上表面沉积覆盖层后，基于退火装置在电场作用下进行退火处理，得到结晶状的大面积单相氧化铪基铁电薄膜，包括在退火处理的不同时间段有选择的施加电场通过在对氧化铪基铁电薄膜进行退火处理的同时施加电场，控制氧化铪基铁电薄膜结晶过程中的能量场，改善薄膜的质量，使得氧化铪基铁电薄膜具有大面积正交相，铁电性强；当薄膜面积缩小时，也能保持较好的均一性。
一种氧化铪基铁电薄膜制备方法

[发明专利]基于氧清除技术提高氧化铪基铁电晶体管铁电性能的方法-CN202211613280.4在审
发明人：赵毅;周士祺;苏铭吉;李忠贤 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于氧清除技术提高氧化铪基铁电晶体管铁电性能的方法。该方法包括：在氧化铪基铁电晶体管的栅极制作过程中，在衬底上依次沉积栅极介质、顶电极、氧清除金属层、隔离层，栅极介质为氧化铪基铁电材料，在全部沉积后进行退火处理，在退火处理后，通过光刻、刻蚀去除顶电极、氧清除金属层和隔离层本发明在氧化铪基铁电晶体管工艺中引入氧清除技术，使氧化铪基铁电材料形成更多的铁电相，诱导氧化铪基栅极介质产生更大的剩余极化值，从而提高氧化铪基铁电晶体管的铁电性能。
基于清除技术提高氧化铪基铁电晶体管性能方法

[发明专利]基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法-CN202210917511.4在审
发明人：姜杰;冯凯明;张彪 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于范德华力作用的氧化铪基铁电薄膜结构及制备方法，其制备方法包括：提供缓冲层；在缓冲层表面形成氧化铪基铁电薄膜，得到稳定的氧化铪基铁电薄膜结构；其中，缓冲层的材质为二维材料，缓冲层与氧化铪基铁电薄膜之间通过范德华力作用连接本发明的氧化铪基铁电薄膜结构的制备方法采用超薄的二维材料作为缓冲层，相比于传统硅基板与铁电薄膜化学键合，本发明是以范德华力作用连接，采用二维的缓冲层与氧化铪基铁电薄膜范德华力作用结合，以形成范德华异质界面，使得氧化铪基铁电薄膜与二维材料缓冲层之间裸露出来，增大薄膜的表面能，促进向铁电相的转变，并且以无应力状态保证氧化铪基铁电薄膜的自由生长和结晶。
基于范德华力作氧化铪基铁电薄膜结构及其制备方法

[发明专利]一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统-CN202310553633.4有效
发明人：王兴晟;张子冲;缪向水 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统，属于微纳米电子技术领域，包括：S1、对铪基铁电薄膜进行加热升温；S2、向铪基铁电薄膜施加具有若干个周期的脉冲电压；S3、将铪基铁电薄膜降温至初始温度本发明通过热再唤醒的操作，产生了一定量的氧空位，将非极化相转变为了极化相，能够以较低的成本、较为简单的操作，使得铪基铁电薄膜的极化值有较大的提升，大大提高了铪基铁电器件的性能。除此之外，本发明可以根据升高温度的不同进行多次极化的提升，大大提高了铪基铁电薄膜使用的灵活性，满足集成阵列中对具备高极化值铪基薄膜的需求。
一种增强铪基铁电薄膜极化唤醒操作方法系统

[发明专利]一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件-CN201410782187.5在审
发明人：陈小强;杜军;熊玉华;魏峰 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件。该铪基高k栅介质堆栈结构包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。本发明采用半导体工业标准工艺，通过过渡金属氧化物(M-O：TiO₂、ZrO₂)对氧化铪进行掺杂，得到介电常数高于氧化铪的栅介质薄膜，在同等栅极氧化物厚度下实现更低的EOT，制备综合性能更优的铪基栅介质堆栈结构以及其MOSFET器件。
一种铪基高介质堆栈结构及其 mosfet 器件

[发明专利]氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法-CN202010941513.8有效
发明人：廖敏;戴思维;郇延伟;刘晨;曾斌建;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明申请公开一种氧化铪基铁电薄膜和氧化铪基铁电薄膜制备方法。氧化铪基铁电薄膜包括多个纳米铁电畴，和包围在每个纳米铁电畴周围的相结构，以使得多个纳米铁电畴之间呈弥散分布，形成多相共存结构；相结构为顺电相、非铁电相和反铁电相。基于本发明实施例，本发明的氧化铪基铁电薄膜为多相共存结构，其呈弥散布置的多个数量的纳米铁电畴有利于降低氧化铪基铁电薄膜的极化翻转势垒，从而减小了其矫顽场电压。另一方面，基于本发明实施例的氧化铪基铁电薄膜，仅需一个稍小的外加驱动电压就能达到相对大的剩余极化值，可以减小器件工作电压，避免氧化铪基铁电薄膜在高循环电场中过早的出现硬击穿现象，有效地提高氧化铪基铁电薄膜的抗疲劳性能
氧化铪基铁电薄膜制备方法

[发明专利]一种氧化铪基铁电薄膜、电容结构、晶体管及制备方法-CN202210585655.4在审
发明人：周益春;包克瑜;曾斌建;廖佳佳;廖敏 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C01G27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铪基铁电薄膜、电容结构、晶体管及制备方法，氧化铪基铁电薄膜包括：依次层叠设置的第一掺杂氧化铪基铁电薄膜层、第二掺杂氧化铪基铁电薄膜层和第三掺杂氧化铪基铁电薄膜层；所述第一掺杂氧化铪基铁电薄膜层的材质为：Hf1‑xMxOy1；所述第二掺杂氧化铪基铁电薄膜层的材质为：Hf1‑xMxOy2；所述第三掺杂氧化铪基铁电薄膜层的材质为：Hf1‑本发明氧化铪基铁电薄膜，采用叠层结构氧分布的铁电薄膜，通过改变氧含量调控相关性能，使得薄膜的铁电性能和抗疲劳性能达到所需的要求，从而可以提高微电子器件装置的使用寿命。
一种氧化铪基铁电薄膜电容结构晶体管制备方法

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