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[发明专利]一种超细碳化铪陶瓷粉体的制备方法-CN201511008996.1在审
发明人：王为民;鲁栋良;傅正义;王皓;张金咏 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本发明属于特种陶瓷粉末制备领域，具体涉及一种超细碳化铪陶瓷粉体的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(1)采用液相先驱体转化法制备碳化铪前驱体粉体；(2)将碳化铪前驱体进行热解处理，得到碳化铪前驱体热解产物；(3)将碳化铪前驱体热解产物置于PAS中进行热处理，得到碳化铪粉体。本发明提供了一种在低温下合成超细碳化铪陶瓷粉体的制备方法，其中，前驱体粉体通过液相先驱体转化法制得；本发明制备方法工艺简单，重复性强，制备出的碳化铪粉体纯度高、粒径小、分散性好，具有很好的应用前景。
一种碳化陶瓷制备方法

[发明专利]一种铪基铁电存储器及其制备方法-CN202110683895.3有效
发明人：朱颢;陈佩瑶;刘逸伦;曹园园;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
一种铪基铁电存储器及其制备方法

[发明专利]一种硼基非晶合金材料及其制备方法-CN201811627604.3有效
发明人：李然;毕甲紫;张涛 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：其成分可表示为BaRrSsTt，R元素为锇Os、钌Ru、铑Rh、铱Ir、铼Re元素中的一种或多种元素；S元素为钴Co、铁Fe、镍Ni元素中的一种元素；T元素为铪Hf、钽Ta、钨W元素中的一种或多种元素。base:Sub>sTt体系非晶合金成分中a、r、s、t代表原子百分含量，a＝40～55、r＝20～30、s＝10～30、t＝5～10，且各元素原子百分含量加和a+r+s+t＝100，该体系非晶合金具有高硼B元素含量、高硬度、高热稳定性的特点，为开发高硬度，高热稳定性非晶合金提供依据，并可作为超硬质金属材料和中子屏蔽材料在国防、机械、加工等领域中广泛使用。
一种硼基非晶合金材料及其制备方法

[发明专利]固体电解质、其制备方法、用于锂电池的保护层、金属空气电池和电化学装置-CN202011358580.3在审
发明人：马祥福;徐东和 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：固体电解质包括：由式1、式2、式3、或其组合表示的氧化物，其中，在式1中，M1为铪、钛、锆、或其组合，和0x1；其中，在式2中，M1为铪、钛、锆、或其组合，M2为至少一种具有a的氧化值的元素，且其中a为1‑6的整数，和0y1；或者其中，在式3中，M1为铪、钛、锆、或其组合，X为卤素、拟卤素、或其组合，和0z2。
固体电解质制备方法用于锂电池保护层金属空气电池电化学装置

[发明专利]基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元-CN202111239678.1在审
发明人：张跃军;李憬;戴晟;傅晟杰 -专利权人：宁波大学
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铪基铁电电容的非易失性SRAM单元，包括6T SRAM和非易失存储模块，非易失存储模块包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容，为4T2C结构，非易失存储模块中，采用第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容这一对铪基铁电电容作为非易失存储器件，形成互补双边结构，断电前将6T SRAM中的数据保存在第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容中，然后完全关断本发明电路，节省了待机功耗，第一铪基铁电电容和第二铪基铁电电容形成的互补双边结构可以提高数据恢复率和抵抗工艺变化的可靠性；优点是具有较高的数据恢复率和良好的抵抗工艺变化的可靠性。
基于铪基铁电电容非易失性 sram 单元

[实用新型]一种硼化铪粉末的研磨装置-CN201821127385.8有效
发明人：武汉璟;邬元旭 -专利权人：中核晶环锆业有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B02C2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硼化铪粉末的研磨装置，包括支撑架、研磨筒及研磨机构，硼化铪由进料筒进入研磨腔后，研磨盘在电动机的驱动下在研磨腔内转动，螺旋状的第一凸条带动硼化铪往下压，硼化铪在往下压的同时，研磨盘对硼化铪进行研磨，经过初步研磨的硼化铪落入第二研磨部，第二凸条带动硼化铪在第二研磨部内转动并进行研磨，直至研磨至小颗粒并从多个第二凸条之间的缝隙处落入缓冲腔及出料斗最后进行粉末收集，本实用新型在对硼化铪进行研磨时，可以一边研磨一边收集研磨达到要求的粉末，研磨不充分的硼化铪由于颗粒太大无法下料，需要在研磨腔内继续研磨，直至完全研磨充分并全部排料，有效的避免硼化铪研磨不充分的情况出现。
研磨硼化铪研磨腔凸条本实用新型研磨装置研磨部研磨盘下压转动粉末收集研磨机构电动机出料斗缝隙处缓冲腔进料筒螺旋状小颗粒研磨筒支撑架排料下料驱动

[发明专利]一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件-CN201410782187.5在审
发明人：陈小强;杜军;熊玉华;魏峰 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2014-12-16 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种铪基高k栅介质堆栈结构及其MOSFET器件。该铪基高k栅介质堆栈结构包括在硅衬底上表面依次设置的界面过渡层、铪基高k栅介质层和栅电极，以及在硅衬底下表面设置的背电极，其中铪基高k栅介质层是通过过渡金属氧化物掺杂氧化铪形成的叠层结构。本发明采用半导体工业标准工艺，通过过渡金属氧化物(M-O：TiO₂、ZrO₂)对氧化铪进行掺杂，得到介电常数高于氧化铪的栅介质薄膜，在同等栅极氧化物厚度下实现更低的EOT，制备综合性能更优的铪基栅介质堆栈结构以及其MOSFET器件。
一种铪基高介质堆栈结构及其 mosfet 器件

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202010317737.1在审
发明人：林政明;杨世海;徐志安;方子韦;赵皇麟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括在设置于半导体层上的栅极间隔物的侧壁上形成牺牲层、在设置于栅极间隔物之间的第一沟槽中的半导体层上形成第一含铪栅极介电层、移除牺牲层以在栅极间隔物与第一含铪栅极介电层之间形成第二沟槽、在第一含铪栅极介电层上及栅极间隔物的侧壁上形成第二含铪栅极介电层、对第一含铪栅极介电层及第二含铪栅极介电层执行退火并同时施加电场，以及随后在退火过的第一含铪栅极介电层及第二含铪栅极介电层上形成栅极电极
制造半导体装置方法

[发明专利]一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用-CN202210821415.X在审
发明人：张吴闻博;蒋艳平;唐新桂 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法和应用。本申请提供的氧化铪基阻变储存器的高阻值和低阻值之比高于没有掺杂镧的氧化铪阻变储存器，具有优异的双极阻变效应，说明本申请提供的氧化铪基阻变储存器通过对阻变功能层氧化铪薄膜掺杂镧，提高了氧化铪基阻变储存器的开关比，同时提高了氧化铪基阻变储存器的循环擦写的稳定性，本申请提供的氧化铪基阻变储存器解决了现有阻变储存器的储存性能还有待提高的技术问题。
一种氧化铪基阻变储存器及其制备方法应用

[发明专利]一种从含铪废渣中回收铪及其他金属的方法-CN202210778426.4有效
发明人：钟明龙 -专利权人：深圳中铪科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种从含铪废渣中回收铪及其他金属的方法，将含铪废渣采用硫酸、硫酸铵溶解得到酸溶料，调节酸度，加入络合剂，得到料液，萃取，得到含铪负载有机相和含金属离子的水相；含铪负载有机相经提纯，反萃取，沉淀，过滤，洗涤，灼烧，得到氧化铪；含金属离子的水相沉淀，洗去络合剂，得到的金属离子沉淀物采用硫酸溶解，调节酸度，得到离子料液，萃取，得到离子负载有机相，经过提纯，反萃取等步骤得到其他金属氧化物。采用本申请的回收方法得到的氧化铪产品中氧化铪纯度稳定达到99.99％以上，甚至达到99.999％，乃至10ppm以下，其他金属氧化物的纯度大于97％。
一种废渣回收其他金属方法

[实用新型]避雷针-CN201521041980.6有效
发明人：曾华;郑泽玉;曾二睦;刘晓东 -专利权人：北京先研科技有限责任公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01T19/04 文献下载
摘要：所述避雷针包括1个或多个接闪极柱，所述接闪极柱采用铪或铪合金为原材料指轴心采用铪或铪合金制成，铪或铪合金制成的所述轴心的外周采用其它金属材料包裹，铪或铪合金制成的所述轴心的顶端即为所述接闪触头。
避雷针

[发明专利]一种熔盐电解制备金属铪的方法-CN202111553836.0在审
发明人：赵中伟;雷云涛;何季麟;肖松文;李永立 -专利权人：郑州大学;中南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C25C3/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种熔盐电解制备金属铪的方法，属于铪冶金领域。所述方法利用熔盐电解槽实施。在通电运行条件下，铪化物阳极发生氧化反应被消耗并产生铪离子，阴极表面发生还原反应并生成金属铪产物。
一种电解制备金属方法

[发明专利]一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜-CN202310420997.5在审
发明人：张腾腾;曹彦伟;张广超;张顺达;张如意 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜技术领域，涉及一种制备铪锆氧基单晶薄膜的方法及制备的铪锆氧基单晶薄膜。所述制备铪锆氧基单晶薄膜的方法，包括以下步骤：采用Zr掺杂氧化铪溅射靶材，在单晶基片上通过磁控溅射制备得到铪锆氧基单晶薄膜。本发明采用磁控溅射能够获得高质量的HZO单晶薄膜。
一种制备铪锆氧基单晶薄膜方法

[发明专利]一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法-CN202111625742.X在审
发明人：罗庆;王博平 -专利权人：北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法。一种提高掺杂氧化铪薄膜铁电器件性能的方法，包括下列步骤：在半导体衬底上生长底电极；在所述底电极上生长掺杂氧化铪薄膜；在掺杂氧化铪薄膜表面先利用ALD法生长一层氮化钛；然后利用PVD法生长剩余氮化钛，形成上电极本发明能够优化掺杂氧化铪薄膜的上表面，从而实现增大基于掺杂氧化铪薄膜铁电器件的剩余极化强度和电压耐受性。
一种提高掺杂氧化薄膜器件性能方法

[发明专利]含铪耐热铸造镁合金及其制备方法-CN201610905918.X有效
发明人：郑江;张瑞杰;姜世庆 -专利权人：南京镐极信息技术有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： C22C23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种含铪耐热铸造镁合金及其制备方法，所述合金各组分按重量百分比为Zn 1.5～8.0％，Hf 0.1～3.0％，Gd 0.1～2.0％，Zr 0.1～1.0％，余量为Mg和杂质，杂质总和≤0.15Hf元素的加入可使合金在基体形成大量弥散分布的，具有高热稳性的含Hf析出相，提高合金的屈服强度，同时提高了合金的高温抗蠕变性能此外，Hf和Gd元素与Zn同时加入可在晶粒内部形成大量长周期有序堆垛结构，进一步提高合金的高温抗蠕变性能
耐热铸造镁合金及其制备方法