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[发明专利]离子注入制备氧化钛电极的红外探测器及其制备方法-CN201710252825.6在审
发明人：杨鑫;王宏臣;陈文礼;王鹏;甘先锋;董珊;孙丰沛 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种离子注入制备氧化钛电极的红外探测器，在支撑层和连接金属上设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜包括在位于中部的半导体氧化钛薄膜和位于所述半导体氧化钛薄膜两侧的导体氧化钛薄膜，使用氧化钛作为热敏层薄膜，且对部分氧化钛薄膜进行离子注入，使该部分氧化钛薄膜成为导体氧化钛薄膜，代替现有技术中的金属电极，工艺简单，产能较高。还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次制备氧化钛薄膜、第一保护层和光阻的步骤和去除氧化钛薄膜上面未被光阻覆盖的第一保护层薄膜，并对露出的氧化钛薄膜进行离子注入，离子注入后的氧化钛薄膜为导体氧化钛薄膜的步骤
离子注入制备氧化电极红外探测器及其方法

[发明专利]一种修复钙钛矿薄膜缺陷的方法-CN201910554385.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种修复钙钛矿薄膜缺陷的方法，包括如下阶段：阶段一，对已经制备的钙钛矿薄膜进行预处理，再采用喷涂法在钙钛矿薄膜表面喷涂钙钛矿前驱体溶液，对喷涂后钙钛矿薄膜进行风干处理或低温干燥处理；阶段二，采用热蒸汽对风干后的钙钛矿薄膜进行处理；阶段三，再使用清洗溶剂对钙钛矿薄膜进行清洗，并对清洗完的钙钛矿薄膜进行溶剂干燥即得到修复后的钙钛矿薄膜。本发明通过一系列处理方法修复大面积制备后的钙钛矿薄膜缺陷，调整钙钛矿薄膜的形貌，提高钙钛矿薄膜的稳定性。
一种修复钙钛矿薄膜缺陷方法

[发明专利]氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法-CN201710253069.9有效
发明人：杨鑫;王宏臣;陈文礼;王鹏;甘先锋;董珊;孙丰沛 -专利权人：烟台睿创微纳技术股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的中部设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的两侧设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤，去除中部上的第一保护层薄膜，对中部上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对中部区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。
氧化方法制备热敏红外探测器及其

[发明专利]钙钛矿薄膜及其制备方法和应用-CN201810498082.5在审
发明人：谭铭希;丁长增;张连萍;马昌期 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述钙钛矿薄膜的制备方法包括制备第一钙钛矿薄膜层的第一步骤和在第一钙钛矿薄膜层上制备第二钙钛矿薄膜层的第二步骤，其中，所述的第二步骤包括：至少采用溶液法使钙钛矿前驱体溶液在所述第一钙钛矿薄膜层上形成第二钙钛矿薄膜层本发明还提供了所述的钙钛矿薄膜于制备光电装置中的用途。本发明利用两次沉积钙钛矿薄膜的制备方法可以获得表面更平整的钙钛矿薄膜，同时还可以通过调整前后两次形成钙钛矿薄膜的原料组成获得具有不同组份组合的新型钙钛矿薄膜，基于本发明提供的钙钛矿薄膜形成的光电器件具有更优异的器件性能
钙钛矿薄膜制备制备方法和应用前驱体溶液光电器件光电装置两次沉积器件性能原料组成钙钛矿溶液法组份平整

[发明专利]一种忆阻器及其制作方法、电器件-CN202211508570.2在审
发明人：姬超;张璐 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请涉及忆阻器领域，公开了一种忆阻器及其制作方法、电器件，包括：获得忆阻器预制结构体，所述忆阻器预制结构体包括3D钙钛矿薄膜；在所述3D钙钛矿薄膜的表面制作2D钙钛矿薄膜，所述2D钙钛矿薄膜与所述3D钙钛矿薄膜形成钙钛矿异质结薄膜，得到忆阻器。本申请中的制作方法通过在3D钙钛矿薄膜的表面形成2D钙钛矿薄膜，并且2D钙钛矿薄膜与3D钙钛矿薄膜两者之间形成钙钛矿异质结薄膜，2D钙钛矿薄膜起到界面钝化层的作用，可以有效的改善钙钛矿异质结薄膜的疏水性，从而延长忆阻器的使用寿命；同时，2D钙钛矿薄膜还可以改善3D钙钛矿薄膜的表面形貌，提升覆盖均匀度，使制得忆阻器具有优异的开关性能。
一种忆阻器及其制作方法器件

[发明专利]一种小晶粒锐钛矿光学薄膜、制备方法及其用途-CN202110426312.9有效
发明人：曾进能;赵恒;龚燕妮;李晓峰;褚祝军;常乐;李廷涛;杨琼连;李金沙;王乙瑾;高兵祥;马怀超;杜木林;刘倍宏;汪云;钟梓源;须恃瑜;杨振;杨小东 -专利权人：北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种小晶粒锐钛矿光学薄膜及其制备方法，有效抑制锐钛矿大晶粒现象的技术难题，有效地提高了像增强器输入窗与光电阴极界面的透过率，提高了光电阴极的光电发射效率，属于光电探测领域。本发明所述小晶粒锐钛矿光学薄膜制备在玻璃基底表面。小晶粒锐钛矿光学薄膜由过渡层、锐钛矿薄膜和夹层薄膜组成。锐钛矿薄膜制备在过渡层薄膜表面，在锐钛矿薄膜的基础上制备夹层薄膜，周期性的重复锐钛矿薄膜和夹层薄膜的制作，且表层为锐钛矿薄膜，达到要求的厚度即完成小晶粒锐钛矿光学薄膜制备。
一种晶粒锐钛矿光学薄膜制备方法及其用途

[发明专利]有机铅卤化物钙钛矿薄膜及制造其的方法-CN201680087284.X有效
发明人：蔡植豪;张鸿 -专利权人：香港大学
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：一种用于有机铅卤化物钙钛矿薄膜的室温制造的方法包括：在室温下基于在配合基（L）蒸汽和PbX2薄膜之间的固‑气反应来形成PbX2.(L)y薄膜；在室温下通过使PbX2.(L)y薄膜暴露于有机卤化铵溶液来形成钙钛矿薄膜；从有机卤化铵的溶液移除钙钛矿薄膜；清洗钙钛矿薄膜；干燥钙钛矿薄膜；使钙钛矿薄膜暴露于甲胺/醇气体混合物；从甲胺/醇气体混合物中移除钙钛矿薄膜；以及干燥钙钛矿薄膜
有机卤化物钙钛矿薄膜制造方法

[发明专利]一种改善超导钛-铌薄膜接触电极的制备方法-CN202010952813.6有效
发明人：王争;张文;钟家强;史生才 -专利权人：中国科学院紫金山天文台
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善超导钛‑铌薄膜接触电极的制备方法，具有这样的特征：包括步骤如下：步骤S1、在做好超导钛薄膜图形的衬底上用光刻技术形成所需超导铌薄膜电路的光刻胶反转图形。步骤S2、沉积缓冲层钛薄膜，原位再沉积超导铌薄膜，形成钛铌双层膜。步骤S3、利用剥离工艺去除光刻胶及其上面的钛铌双层膜，形成钛铌双层膜的图形。本发明在超导钛‑铌薄膜之间沉积一层缓冲层钛薄膜，可有效阻隔铌薄膜内的杂质分子向超导钛薄膜扩散，进而保持超导钛薄膜的超导特性稳定。
一种改善超导薄膜接触电极制备方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池的制备方法及装置-CN202310006653.X在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：华碧新能源技术研究（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜和钙钛矿太阳能电池组件的制备方法及装置，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。包括如下步骤：在电子传输层上预涂第一钙钛矿液膜，使其干燥后形成钙钛矿前驱体薄膜，使用激光对该钙钛矿前驱体薄膜进行抛光；在抛光后的钙钛矿前驱体薄膜上涂布第二钙钛矿液膜，从而使得涂布液能够渗入钙钛矿前驱体薄膜孔隙中，填充钙钛矿前驱体薄膜内部孔洞；干燥退火后形成第二钙钛矿薄膜。能够改善薄膜表面粗糙度，使得因缺陷引起的非辐射复合中心减少，更有利于电荷传输，并且通过填充内部孔洞能进一步钝化钙钛矿前驱体薄膜，具有能够改善钙钛矿薄膜缺陷，提升钙钛矿薄膜质量的优点。
一种钙钛矿薄膜太阳能电池制备方法装置

[发明专利]一种新型的增加钙钛矿薄膜寿命的方法-CN201911048866.9有效
发明人：许美凤;翟志淳;许田;宋方凯 -专利权人：南通大学
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的增加钙钛矿薄膜寿命的方法，包括如下步骤：步骤一、收集在各种条件下退化的钙钛矿薄膜；步骤二、确定钙钛矿薄膜是部分退化还是完全退化；步骤三、对于部分退化的钙钛矿薄膜处理：根据中间产物采用物理方法等减缓或阻止薄膜的进一步退化；步骤四、对于完全退化的钙钛矿薄膜处理：完全退化的钙钛矿薄膜采用化学方法进行多次修复。本发明通过对退化的钙钛矿的修复和重建来提高钙钛矿薄膜的寿命，从修复和重建的角度出发提高钙钛矿薄膜的稳定性，阻止部分退化的钙钛矿薄膜的进一步退化，使完全退化的钙钛矿薄膜能重新变成结晶度好、性能优良的薄膜。
一种新型增加钙钛矿薄膜寿命方法

[发明专利]用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法-CN201110298197.8有效
发明人：康晓春;何朋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-28 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于铜互连的钛掺杂钽基阻挡层及其制造方法，所述钛掺杂钽基阻挡层包括钛掺杂钽氮薄膜和位于所述钛掺杂钽氮薄膜上的钛掺杂钽薄膜，其中所述钛掺杂钽氮薄膜中钛占钛钽总原子数的百分比为0.1％～2.2％；所述钛掺杂钽薄膜中钛占总原子数的百分比为0.1％～2.2％。相比于现有技术，作为铜互连的阻挡层由现有技术中的钽薄膜/钽氮薄膜组成的钽基阻挡层改变为钛掺杂钽薄膜/钛掺杂钽氮薄膜组成的钛掺杂钽基阻挡层，钛掺杂钽基阻挡层的制造方法是在形成阻挡层过程中，将靶材料从钽更改为钽钛固熔体，其中钛占钛钽原子数比例为0.1％～2.2％，从而大幅提高阻挡层及半导体器件的性能。
用于互连掺杂阻挡及其制造方法

[发明专利]一种钙钛矿薄膜的制备方法-CN201910624204.5在审
发明人：闫兴武;徐小强;于军胜 -专利权人：重庆文理学院
申请日： 2019-07-11 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：（1）钙钛矿前驱液的制备；（2）衬底的制备；（3）钙钛矿薄膜的制备。本发明方法能够有效减小钙钛矿薄膜的晶粒尺寸，降低薄膜表面粗糙度，显著地提升钙钛矿薄膜的表面形貌，同时实现抑制准二维钙钛矿薄膜中小n值钙钛矿薄膜的生长，提高其相纯度，提升薄膜质量。
钙钛矿薄膜制备晶粒薄膜表面表面形貌粗糙度钙钛矿前驱液衬底二维减小薄膜生长

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺-CN201310578991.7有效
发明人：封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的新工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷新工艺

[发明专利]一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺-CN201610440482.1有效
发明人：封铁柱 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2013-11-18 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少铝薄膜产生小丘状缺陷的工艺。包括以下步骤：在二氧化硅衬底上，采用物理气相沉积方法低温沉积粘附层钛薄膜，粘附层钛薄膜覆盖在二氧化硅上表面；沉积阻挡层氮化钛薄膜，阻挡层氮化钛薄膜覆盖在粘附层钛薄膜上表面；高温沉积铝薄膜，铝薄膜覆盖在阻挡层氮化钛薄膜上表面；铝薄膜上表面沉积一层氧化铝薄膜之后再在氧化铝薄膜上表面沉积一层防反射层氮化钛薄膜，或者在铝薄膜上表面直接沉积一层防反射层氮化钛薄膜然后通入氮气直至防反射层氮化钛薄膜中的氮含量达到饱和。本发明的有益效果是：采用简单的工艺流程克服了铝薄膜在生产工艺过程中铝晶粒无序增大使铝薄膜产生小丘状的缺陷。
一种减少薄膜产生小丘缺陷工艺

[发明专利]钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿薄膜及光电器件-CN202310355020.X在审
发明人：杨晓宇;马莉;卢长军 -专利权人：利亚德光电股份有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H10K30/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿薄膜制备方法、钙钛矿薄膜及光电器件，钙钛矿薄膜制备方法包括以下步骤：提供基底，并在基底上形成第一钙钛矿薄膜；提供具有图案化的第一表面的印章体，并在第一表面上形成第二钙钛矿薄膜，第二钙钛矿薄膜包括第二钙钛矿材料；在预设压力下，将印章体的第二钙钛矿薄膜压印于第一钙钛矿薄膜中，以使第二钙钛矿材料中的离子扩散至所对应的压印位置的第一钙钛矿薄膜中，以在压印位置形成第三钙钛矿材料，第三钙钛矿材料的溶解度大于第一钙钛矿材料的溶解度；利用溶剂去除第三钙钛矿材料，以形成图案化的第一钙钛矿薄膜。
钙钛矿薄膜制备方法光电器件

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