[发明专利]氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器及其制备方法有效
申请号: | 201710253069.9 | 申请日: | 2017-04-18 |
公开(公告)号: | CN107068780B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 杨鑫;王宏臣;陈文礼;王鹏;甘先锋;董珊;孙丰沛 | 申请(专利权)人: | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/032;H01L31/101;H01L31/18;G01J5/10 |
代理公司: | 烟台上禾知识产权代理事务所(普通合伙) 37234 | 代理人: | 刘志毅 |
地址: | 264006 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器,其支撑层的中部设有氧化钛薄膜,氧化钛薄膜为半导体,其连接金属及支撑层的两侧设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜,所述钛薄膜上设有第一保护层,氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层,还涉及上述探测器的制备方法,包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤,去除中部上的第一保护层薄膜,对中部上露出的钛薄膜进行氧化,形成氧化钛薄膜,作为热敏层薄膜的步骤,在支撑层上直接沉积钛薄膜,并对中部区域的钛薄膜进行氧化处理,使之转变为氧化钛薄膜,作为热敏层薄膜,不需要单独沉积金属电极层的工艺,能大幅简化工艺步骤,提高产能。 | ||
搜索关键词: | 氧化 方法 制备 热敏 红外探测器 及其 | ||
【主权项】:
1.一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:在包含读出电路半导体基座上制作金属反射层,并对金属反射层进行图形化处理,图形化后的金属反射层形成若干个金属块;所述金属块与半导体基座上的读出电路电连接;然后,在完成图形化金属反射层上沉积绝缘介质层,并对绝缘介质层进行图形化处理,并露出金属块;步骤2:在所述的绝缘介质层上沉积牺牲层,并对牺牲层进行图形化处理,在图形化处理后的牺牲层上形成锚点孔,并在图形化处理后的牺牲层上沉积支撑层;步骤3:采用光刻和蚀刻的方法,蚀刻掉部分支撑层,支撑层蚀刻终止于所述金属块,形成通孔,在所述通孔和锚点孔内沉积连接金属;步骤4:在支撑层上沉积钛薄膜,并在钛薄膜上沉积第一保护层;步骤5:对第一保护层进行图形化处理,通过光刻,去除中部的第一保护层薄膜,露出中部的钛薄膜,并对其进行氧化,使中部的钛薄膜转变为氧化钛薄膜,所述氧化钛薄膜为半导体;步骤6:在第一保护层和氧化钛薄膜上沉积第二保护层;步骤7:采用光刻和蚀刻的方法,对第二保护层进行图形化处理,第二保护层蚀刻终止于牺牲层,然后,进行结构释放,去掉牺牲层形成微桥结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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