[发明专利]一种忆阻器及其制作方法、电器件在审
| 申请号： | 202211508570.2 | 申请日： | 2022-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN115548213A | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 姬超;张璐 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 崔俊红 |
| 地址： | 215100 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及忆阻器领域，公开了一种忆阻器及其制作方法、电器件，包括：获得忆阻器预制结构体，所述忆阻器预制结构体包括3D钙钛矿薄膜；在所述3D钙钛矿薄膜的表面制作2D钙钛矿薄膜，所述2D钙钛矿薄膜与所述3D钙钛矿薄膜形成钙钛矿异质结薄膜，得到忆阻器。本申请中的制作方法通过在3D钙钛矿薄膜的表面形成2D钙钛矿薄膜，并且2D钙钛矿薄膜与3D钙钛矿薄膜两者之间形成钙钛矿异质结薄膜，2D钙钛矿薄膜起到界面钝化层的作用，可以有效的改善钙钛矿异质结薄膜的疏水性，从而延长忆阻器的使用寿命；同时，2D钙钛矿薄膜还可以改善3D钙钛矿薄膜的表面形貌，提升覆盖均匀度，使制得忆阻器具有优异的开关性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 及其 制作方法 器件 | ||
【主权项】：
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