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[发明专利]磁阻器件、包括该磁阻器件的信息存储装置及其操作方法-CN201010246856.9有效
发明人：裵智莹;李成喆;徐顺爱;曹永真;皮雄焕;许镇盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：信息存储装置包括磁轨道和磁畴壁移动单元。磁轨道具有多个磁畴以及在每对相邻磁畴之间的磁畴壁。磁畴壁移动单元构造为移动至少磁畴壁。信息存储装置还包括磁阻器件，该磁阻器件构造为读取记录在磁轨道上的信息。磁阻器件包括钉扎层、自由层以及布置在其间的分隔层。钉扎层具有固定的磁化方向。自由层设置在钉扎层与磁轨道之间，并具有易磁化轴，该易磁化轴不平行于钉扎层的磁化方向。
磁阻器件包括信息存储装置及其操作方法

[发明专利]一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器-CN202010896102.1在审
发明人：罗鑫;胡少坚;尚恩明 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明属于半导体的技术领域，公开了一种利用磁畴壁钉扎的自旋转移力矩存储器，自上而下包括钉扎层、势垒层和自由层，在所述钉扎层的顶面、自由层的底面分别设置有读操作电极，在所述自由层的左右两端均设置有写操作连接区域，所述写操作连接区域具有钉扎效应，用于存储器写操作时的电连接，所述自由层的磁畴壁左右两侧的磁畴方向相反，且位于左端的写操作连接区域与磁畴壁左侧的磁畴方向一致，位于右端的写操作连接区域与磁畴壁右侧的磁畴方向一致
一种利用磁畴壁钉扎自旋转移力矩存储器

[发明专利]钉扎型自旋阀结构、生物磁传感器、生物分子检测方法-CN201610226559.5在审
发明人：章伟;杨楠 -专利权人：南京工业大学;南京益得冠电子科技有限公司
申请日： 2016-04-13 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种钉扎型自旋阀结构，包括依次设置的钉扎层、被钉扎层、隔离层、自由层；该钉扎型自旋阀结构还包括依次设置于自由层相对于隔离层的另一侧的保护层、附加钉扎层；所述保护层为非磁性材料；所述附加钉扎层可产生对所述自由层中边缘多磁畴实现钉扎作用的磁钉场本发明还公开了一种生物磁传感器及一种生物分子检测方法。本发明通过在传统钉扎型自旋阀结构的自由层一侧引入附加钉扎层，来对磁传感器自由层中边缘多磁畴进行钉扎，从而有效抑制了磁传感器的磁噪声，提高了磁传感器的灵敏度；同时又具有制备工艺简单、生产成本低的优点。
钉扎型自旋结构生物传感器分子检测方法

[发明专利]利用磁畴牵引的磁存储器件-CN200610121657.9有效
发明人：林志庆;金恩植;金庸洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G11C11/14 文献下载
摘要：本发明提供一种利用磁畴牵引的磁存储器件。该磁存储器件包括：存储区域、输入部件和检测部件。所述存储区域包括具有毗邻的分区和磁畴壁的自由层、形成为与所述分区对应且具有固定的磁化方向的被钉扎层、以及形成在所述自由层与所述被钉扎层之间的非磁层。所述存储区域包括用于使所述磁畴壁停止的磁畴壁截止器，其形成在所述分区的各边界处。所述输入部件电连接到所述自由层的一端从而输入用于磁畴牵引的牵引信号。所述检测部件测量流过所述存储区域的电流。
利用牵引磁存储器

[发明专利]基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件-CN202111216656.3在审
发明人：邢国忠;林淮;王迪;刘龙;张凯平;王冠亚;王艳;许晓欣;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开了基于全电场控制磁畴壁运动的可重构PUF器件，包括：压控层、上电极、下电极、反铁磁钉扎层以及磁隧道结MTJ；而MTJ包括：由下至上的铁磁参考层、势垒隧穿层以及铁磁自由层；在该器件中，通过在压控层通入电压控制磁各向异性在器件中部形成势阱，在上电极通入电流驱动磁畴壁生成并将其钉扎于能量势阱；撤掉电压后势阱减小，磁畴壁处于亚稳态，在热扰动及几何各向异性条件下磁畴壁随机偏向器件一端，进而随机得到高阻态或低阻态之一。该器件能够通过电学手段达到磁畴壁生成和随机移动，具有无外磁场和室温条件下高可靠以及可重构的阻态随机切换特性。
基于电场控制磁畴壁运动可重构 puf 器件

[发明专利]一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法-CN202010766282.1有效
发明人：杨浛;施胜宾;周浩淼;邱阳;朱明敏;郁国良 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L41/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种连续可控磁畴壁移动和钉扎的器件和方法，包括：压电层，由铁电材料制成，厚度为纳米级或微米级；底电极层，设置在压电层下，连接外部电源；磁性层，包括磁性纳米薄膜，紧贴在压电层上；顶电极，以栅极排列方式设置在磁性纳米薄膜两侧本发明的实质性效果包括：通过底电极层和顶电极对压电层施加电压，压电层产生的形变传递至磁性层，影响电极区域内磁性层的磁各向异性，进而控制其中磁畴壁的移动和钉扎，有利于提高赛道存储移动和钉扎磁畴壁的精准性，
一种连续可控磁畴壁移动器件方法

[发明专利]对带可移位数据列的磁移位寄存器传送数据的系统及方法-CN200510128793.6有效
发明人：斯图亚特·P·帕金 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-12-02 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： G11B5/02 文献下载
摘要：磁移位寄存器利用包含薄的磁材料线的数据列。写单元选择性地改变磁畴中的磁矩方向，以将数据写至数据列。与每个畴壁相关联的是在很小空间中聚集的大磁弥散场。这些磁弥散场对磁移位寄存器进行读写。当畴壁被移动到靠近另一磁材料时，弥散场改变磁材料中的磁矩方向，有效地“写”至磁材料。与隧道结相似的读单元包括磁材料的自由层和钉扎层。弥散场相对于钉扎层改变自由层中的磁矩方向，从而改变读单元的电阻以及“读取”存储于磁移位寄存器中的数据。
移位数据移位寄存器传送系统方法

[发明专利]控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法及多态存储器-CN202110528052.6在审
发明人：卢世阳;陈伟斌;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种控制钉扎层畴结构在巨/隧穿磁电阻结构实现多态存储的方法以及一种多态存储器。其中，该方法包括：在所述自旋产生层中通入电流产生自旋流，从而产生自旋轨道力矩效应；基于所述产生的自旋轨道力矩效应改变所述反铁磁钉扎层中反铁磁磁序的数量、大小和方向中的至少一种，从而影响所述铁磁被钉扎层中磁畴的数量、大小和方向中的至少一种；控制所述电流的大小，从而使得所述反铁磁磁序产生多次不同程度的偏转；基于磁电阻效应读出所述偏转，进而实现一个物理存储单元直接存储多个阻态。
控制钉扎层畴结构磁电实现存储方法存储器

[发明专利]三态自旋电子器件、存储单元、存储阵列及读写电路-CN202110084765.8有效
发明人：林淮;邢国忠;吴祖恒;刘龙;王迪;路程;张培文;谢常青;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种三态自旋电子器件、存储单元、阵列及读写电路，其三态自旋电子器件，自下而上包括：底电极、磁隧道结和顶电极；磁隧道结包括：自旋轨道耦合层、铁磁自由层、势垒隧穿层和铁磁参考层、三个局域磁畴壁钉扎中心和磁畴壁成核中心；调制反对称交换作用，磁畴壁钉扎中心嵌设在重金属与铁磁自由层界面；磁畴壁成核中心设置在铁磁自由层的两端；电流脉冲流经自旋轨道耦合层产生自旋流注入铁磁自由层，全电场调控下自旋轨道转矩有效场驱动畴壁移动位移
三态自旋电子器件存储单元阵列读写电路

[发明专利]基于磁畴壁钉扎与脱钉行为的逻辑器件-CN201910277607.7有效
发明人：朴红光;郑江山;马晓萍;陈澄;向欧;潘礼庆 -专利权人：三峡大学
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：基于磁畴壁钉扎与脱钉行为的逻辑器件，包括磁性纳米直线、初始磁场、驱动场、钟摆状纳米、圆弧形磁性纳米线结构米、等腰三角形纳米线尾端结构。利用初始磁场的方向及强度，在圆弧形磁性纳米线结构上形成磁畴壁，在驱动场的作用下，驱动磁畴壁沿着磁性纳米直线进行传播。所述钟摆状纳米结构A、钟摆状纳米结构B的磁化状态，对磁畴壁钉扎或者脱钉；通过改变钟摆状纳米结构A、钟摆状纳米结构B磁化状态的方式，对磁畴壁移动进行调控。本发明不仅可以通过磁畴壁钉扎与脱钉行为进行逻辑运算，而且也可以通过磁性材料的磁化状态翻转，实现逻辑运算和信息存储的一体化，不仅可简化器件结构，而且可进一步提高其集成度。
基于磁畴壁钉扎行为逻辑器件

[发明专利]基于磁畴壁驱动型磁隧道结的激活函数发生器及制备方法-CN202110299800.8有效
发明人：邢国忠;刘龙;王迪;林淮;王艳;许晓欣;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于磁畴壁驱动型磁隧道结的激活函数发生器，包括：自旋轨道耦合层，用于产生自旋轨道矩；铁磁自由层，形成在所述自旋轨道耦合层上，用于提供磁畴壁运动轨道；非磁性势垒层，形成在所述铁磁自由层上；铁磁参考层，形成在所述非磁性势垒层上；顶电极，形成在所述铁磁参考层上；反铁磁钉扎层，形成在所述铁磁自由层两端上；左电极和右电极，分别形成在所述反铁磁钉扎层上的两个位置处。
基于磁畴壁驱动隧道激活函数发生器制备方法

[发明专利]多阻态自旋电子器件、读写电路及存内布尔逻辑运算器-CN202011643048.6有效
发明人：邢国忠;林淮;张锋;王迪;刘龙;谢常青;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多阻态自旋电子器件，包括：顶电极、底电极，分别与读写电路连接；磁隧道结，位于两电极间，从上至下依次包括：铁磁参考层、势垒隧穿层、铁磁自由层以及自旋轨道耦合层。铁磁自由层两端设置成核中心，用于产生磁畴壁；自旋轨道耦合层与底电极相连，施加写入脉冲时，产生电子自旋流，并通过自旋轨道矩驱动磁畴壁移动；自旋轨道耦合层与铁磁自由层界面设置多个局域磁畴壁钉扎中心，用于增强界面间反对称交换作用系数强度器件通过调控自旋耦合矩和反对称交换作用强度，分别驱动和钉扎铁磁自由层中的磁畴壁，在全电场条件下实现多阻态切换；本发明进一步公开了一种基于此多阻态自旋电子器件的存算一体布尔逻辑及全加运算器。
多阻态自旋电子器件读写电路布尔逻辑运算器

[发明专利]一种隧道磁电阻及其制造方法、隧道磁器件-CN202011583511.2在审
发明人：韩荷福;何路光;王连伟;涂恩平 -专利权人：蚌埠希磁科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：隧道磁电阻包括：钉扎层；与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度；位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层。隧道磁电阻中的自由层选用厚度小于或等于临界厚度的超顺磁层，在磁化过程中，组成超顺磁的单畴颗粒的磁矩能够沿同一方向取向而达到磁饱和，磁化率较高，因此，本发明提供的隧道磁电阻具有大的饱和场和大的线性度。
一种隧道磁电及其制造方法器件

[实用新型]一种隧道磁电阻及隧道磁器件-CN202023276307.4有效
发明人：韩荷福;何路光;王连伟;涂恩平 -专利权人：蚌埠希磁科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：隧道磁电阻包括：钉扎层；与所述钉扎层相对设置的自由层，所述自由层为超顺磁层，所述自由层的厚度小于或等于临界厚度；位于所述钉扎层和所述自由层之间的隧穿势垒层。隧道磁电阻中的自由层选用厚度小于或等于临界厚度的超顺磁层，在磁化过程中，组成超顺磁的单畴颗粒的磁矩能够沿同一方向取向而达到磁饱和，磁化率较高，因此，本实用新型提供的隧道磁电阻具有大的饱和场和大的线性度。
一种隧道磁电器件

[发明专利]一种存储模式可切换的磁随机存储器及制造方法-CN202110770061.6在审
发明人：王开友;盛宇 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种存储模式可切换的随机存储器，应用于数据存储技术领域，包括：两个电磁部，用于接入电流，磁记录部，设置在该两个电磁部之间，该磁记录部包括自旋轨道耦合层和磁性隧道结，该自旋轨道耦合层，用于在该电流的作用下，产生自旋流，该两个电磁部，还用于在该自旋流的作用下，产生两个磁矩指向相反的磁畴，该磁性隧道结，用于基于该两个磁矩指向相反的磁畴产生磁畴壁，钉扎区，设置在每个该电磁部与该磁记录部之间，截断区，设置在每个所述电磁部，位于与所述钉扎区相对的一侧，该磁性隧道结，还用于在该自旋流的作用下，驱动该磁畴壁进行往复运动，实现磁矩的定向反转，该电磁部还用于在该电流的作用下，使磁畴壁在其中湮灭。
一种存储模式切换随机存储器制造方法

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