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[发明专利]一种芯片封装方法及封装结构-CN201910978107.6有效
发明人：李林萍;盛荆浩;江舟 -专利权人：杭州见闻录科技有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片封装方法及芯片封装结构，通过在晶圆的焊垫上设置钝化层，然后在钝化层上形成第一金属键合层，在基板上形成第二金属键合层，通过第一金属键合层和第二金属键合层的键合，将基板和晶圆键合封装在一起，基板上设置有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层与第二金属键合层相接设置；在晶圆和基板键合后，对晶圆进行半切割，切割到暴露第一金属键合层，再形成第二屏蔽层，第二屏蔽层与第一金属键合层电性连接，从而得到由第一屏蔽层、第二金属键合层、第二屏蔽层和第一金属键合层共同组成的电磁屏蔽结构，该屏蔽结构近似封闭，进而提高了电磁屏蔽效果。
一种芯片封装方法结构

[发明专利]谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备-CN202111501562.0在审
发明人：李伟;罗海龙;黄河 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种谐振器及其形成方法、滤波器、电子设备，谐振器中的第二衬底、支撑层、第一电极、第一金属键合层以及第二金属键合层围成第二空腔，第一金属键合层和第二金属键合层之间为金属键合，因此第一金属键合层和第二金属键合层之间结合紧密，与干膜相比，第一金属键合层和第二金属键合层隔绝外部水汽的能力更强，即使在高温高湿的恶劣环境下，外部水汽不易穿过第一金属键合层和第二金属键合层进入第二空腔中，第一电极不易与外部水汽反应产生第一电解质溶液
谐振器及其形成方法滤波器电子设备

[发明专利]集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置-CN202110675282.5在审
发明人：李勇 -专利权人：格芯致显（杭州）科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置，包括：提供第一衬底，并在第一衬底表面形成第一非金属键合材料层；提供第二衬底，并在第二衬底表面形成器件材料层；在器件材料层表面形成第二非金属键合材料层；将第二非金属键合材料层和第一非金属键合材料层进行键合形成非金属键合层；去除第二衬底；对器件材料层进行图形化刻蚀以获得含有至少一个半导体器件的器件层。本发明通过非金属键合方式，避免了金属键合后图形化刻蚀金属四溢以及清洗金属粒子残留导致的漏电问题，本发明通过非金属键合方式，形成了有效的刻蚀高选择比，增加了工艺窗口并提高了可行性。
集成半导体装置制备方法

[发明专利]半导体装置的制备方法和半导体装置-CN202111519890.3在审
发明人：李勇;陈京华 -专利权人：格芯致显（杭州）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制备方法和半导体装置，包括：提供第一衬底，并在第一衬底表面形成第一非金属键合材料层；提供第二衬底，并在第二衬底表面形成器件材料层；在器件材料层表面形成第二非金属键合材料层；将第二非金属键合材料层和第一非金属键合材料层进行键合形成非金属键合层本发明通过非金属键合方式，避免了金属键合后图形化刻蚀金属四溢以及清洗金属粒子残留导致的漏电问题，本发明通过非金属键合方式，形成了有效的刻蚀高选择比，增加了工艺窗口并提高了可行性。
半导体装置制备方法

[发明专利]一种对LED发光组件进行金属键合的方法-CN201510710700.4在审
发明人：吴超瑜;吴俊毅;谢振刚;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供一种对LED发光组件进行金属键合的方法，所述LED发光组件包括第一基板、第一金属键合层、第二金属键合层和第二基板；所述方法包括如下步骤：(1)蒸镀第一金属键合层于第一基板上；(2)蒸镀第二金属键合层于第二基板上；(3)将第一金属键合层、第二金属键合层做高温高压键合；所述蒸镀工艺的蒸镀速率为；起镀真空度为本发明利用蒸镀条件的优化将其金属扩散键合制程简化,可达到高键合良率,并且可有效降低键合金属层厚度,达到降低成本效果。
一种 led 发光组件进行金属键方法

[发明专利]一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法-CN201911095178.8有效
发明人：盛备备;胡胜;李漾 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片结构、晶圆结构及其制造方法，在第一芯片上形成第一金属键和层和第二金属键和层，在第二芯片上形成第三金属键和层和第四金属键和层，两个芯片通过金属键合层键合在一起，两片芯片键合时，第一芯片的第一金属键和层和第二芯片的第四金属键和层键合构成第一电容极板，第一芯片的第二金属键和层和第二芯片的第三金属键和层键合构成第二电容极板，第一电容极板、第二电容极板以及器件的介质材料构成电容结构，占用较小的芯片面积，有效利用芯片的面积，提高了产品的良率。
一种芯片结构及其制造方法

[发明专利]一种柔性太阳电池芯片及其制备方法与应用-CN202210419916.5有效
发明人：王兵;范芳芳;王文开;张文涛;胡丹 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L31/044 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性太阳电池芯片及其制备方法与应用，属于太阳电池技术领域；该芯片PI层，所述PI层表面部分区域设有第一金属键合层和第二金属键合层，所述第一金属键合层和所述第二金属键合层中设有胶层，所述第一金属键合层和所述第二金属键合层被所述胶层分割，所述第一金属键合层表面部分区域设有第一外延层，所述第二金属键合层表面部分区域设有第二外延层。
一种柔性太阳电池芯片及其制备方法应用

[发明专利]单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备-CN202110248368.X在审
发明人：郝龙;张巍;庞慰 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：该谐振器包括：基底；声学镜空腔；叠层结构，叠层结构包括压电层、顶电极和底电极；键合结构，设置在叠层结构与基底之间，其中：所述键合结构包括设置在基底一侧的第一金属键合层，以及设置在叠层结构一侧的第二金属键合层，第一金属键合层与第二金属键合层彼此键合连接；第二金属键合层与底电极电连接且沿周向方向布置，第二金属键合层限定声学镜空腔在水平方向上的边界的至少一部分。
单晶体声波谐振器及其制造方法滤波器电子设备

[实用新型]薄膜结构半导体器件光电隔离结构-CN201920241318.7有效
发明人：郝茂盛;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种薄膜结构半导体器件光电隔离结构，包括键合基板；金属键合层，位于键合基板的表面；及LED芯片，经由金属键合层键合于键合基板上；LED芯片包括：反射镜层，位于金属键合层远离键合基板的表面；半导体发光材料层，位于反射镜层远离金属键合层的一侧；光电隔离层，位于反射镜层远离金属键合层的表面，光电隔离层为环形隔离层，以将LED芯片分割为发光区域及孤岛区域；光电隔离层将位于发光区域内的半导体发光材料层与金属键合层电隔离本实用新型可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。
金属键合层发光区域光电隔离键合基半导体发光材料反射镜层本实用新型欧姆接触层电隔离电极半导体器件薄膜结构孤岛区域隔离层光隔离金属层键合芯片分割

[发明专利]晶圆键合结构及其形成方法-CN202111657734.3在审
发明人：唐鹤洹;石强;王志高;高长城 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆键合结构及其形成方法，所述晶圆键合结构包括：第一半导体衬底以及位于第一半导体衬底上的第一堆叠层，第一堆叠层的顶层为氮化物层或氮氧化物层，第一堆叠层中形成有表面与第一堆叠层的顶面平齐的第一金属键合结构；第二半导体衬底以及位于所述第二半导体衬底上的第二堆叠层，第二堆叠层的顶层为氧化物层，第二堆叠层中形成有表面与第二堆叠层的顶面平齐的第二金属键合结构；其中，第一金属键合结构与第二金属键合结构一一对应键合，且在第一金属键合结构和第二金属键合结构的键合面上，第一金属键合结构的长度和宽度分别小于第二金属键合结构的长度和宽度。本申请的晶圆键合结构具有较好的可靠性和电阻均一性。
晶圆键合结构及其形成方法

[发明专利]一种功率器件键合结构及键合方法-CN202310791619.8在审
发明人：孙智江 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种功率器件键合结构及键合方法，其特征在于：包括下结构，下结构包括第一金属层、第一绝缘层和第二绝缘层，在第一、二绝缘层上设置有第一镂空窗口和第二镂空窗口，在第一金属层上具有一个第一金属键合结构，该第一金属键合结构嵌入第一镂空窗口和第二镂空窗口内；且第一金属键合结构在嵌入第一镂空窗口内部分的横截面小于嵌入第二镂空窗口内部分的横截面；上结构，上结构包括第三绝缘层，在第三绝缘层的下表面设置有一第二金属键合结构；所述第一金属键合结构与第二金属键合结构通过金属键合实现电连接。本发明优点在于：该结构与方法很好地解决了常规键合工艺中金属的外溢，及绝缘层在侧向外力的作用下引起的脱落问题。
一种功率器件结构方法

[发明专利]一种金属热压键合的方法及应用-CN202210503675.2在审
发明人：刘志权;张明辉;高丽茵;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属热压键合的方法及其应用，该方法具体包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底上具有第一金属键合面，所述第二衬底上具有第二金属键合面；将第一衬底和第二衬底对准，使第一金属键合面和第二金属键合面之间接触，通过控制温度和施加压力进行热压键合；所述热压键合包括升温高压阶段、保温低压阶段和降温释压阶段；所述保温低压阶段的温度为键合温度。本发明通过温度压力协同控制，实现空气环境中金属的热压键合，并且键合界面结合良好，无氧化，致密且无孔洞。
一种金属热压方法应用

[实用新型]一种MICRO LED结构-CN201920241717.3有效
发明人：郝茂盛;张楠;袁根如 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MICRO LED结构，包括：键合基板；金属键合层，位于键合基板的表面；紫光LED芯片，经由金属键合层键合于键合基板上；紫光LED芯片包括：反射镜层，位于金属键合层远离键合基板的表面；电隔离层，位于反射镜层远离金属键合层的表面；欧姆接触层，位于反射镜层远离金属键合层的表面；半导体发光材料层，至少位于发光区域内的欧姆接触层远离反射镜层的表面；半导体发光材料层受外部激发发射紫光；电极，位于发光区域内的半导体发光材料层远离欧姆接触层的表面本实用新型可以实现电极等金属层之间的电隔离及各芯片之间的光隔离。
金属键合层半导体发光材料反射镜层键合基欧姆接触层电极本实用新型发光区域紫光LED 芯片电隔离层发射紫光电隔离光隔离金属层量子点键合激发外部

[实用新型]显示背板-CN202022122236.6有效
发明人：王广;李泽尧;杨轩;林建宏;颜家煌 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：显示背板，包括：一基板；设置在基板一侧的多个发光模块；各个发光模块包括：金属层，包括在基板的一侧间隔设置的两个第一金属层；绝缘层，包括设置在两个第一金属层上的第一绝缘部分，以及设置在两个第一金属层之间的第二绝缘部分；导电通孔，贯穿第一绝缘部分设置；键合金属层，包括第一金属键合部分，以及与第一金属键合部分连接的第二金属键合部分，第一金属键合部分设置在第一绝缘部分之上，且通过导电通孔与第一金属层连接，第二金属键合部分设置在第二绝缘部分之上；发光单元，设置在第二金属键合部分之上。解决了相关技术中采用简易背板对较小尺寸的发光单元进行键合时，键合效果不佳的问题。
显示背板

[发明专利]改进排布方式的金属键合点阵列和具该阵列的半导体器件-CN201710470556.0有效
发明人：李铭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开一种改进排布方式的金属键合点阵列的半导体器件,由顶层为介质层和金属键合点的两片硅片混合键合组成，所述金属键合点形成节距相同的阵列均匀分布于所述硅片表面；混合键合时，两片硅片面面相对，上下堆叠，各硅片阵列内的金属键合点一一对应，彼此接触，其特征在于，所述每个硅片的阵列内金属键合点大小不一，在介质层表面交错地间隔排布，键合的两硅片之间的阵列排布彼此对应两硅片之间键合点大小对应排布。本发明充分利用现有键合设备，避免小节距情况下，因套准偏差造成硅片间互连电阻的不均匀分布，提高键合工艺可控性。
改进排布方式金属键阵列半导体器件

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