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[发明专利]半导体器件-CN202111141899.5在审
发明人：李明洋;李连忠;叶涵;张文豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括沟道区、第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件、栅极结构以及第一金属接触件及第二金属接触件。沟道区包含二维半导体材料。第一二维金属质接触件设置在沟道区的一侧处且包含二维金属质材料。第二二维金属质接触件设置在沟道区的相对的侧处且包含二维金属质材料。栅极结构在第一二维金属质接触件与第二二维金属质接触件的中间设置在沟道区上。第一金属接触件相对于沟道区设置在第一二维金属质接触件的相对的侧处。第二金属接触件相对于沟道区设置在第二二维金属质接触件的相对的侧处。第一二维金属质接触件及第二二维金属质接触件从侧面接触沟道区以形成侧向半导体‑金属质结。
半导体器件

[发明专利]高频比双波束共口径天线-CN202310995717.3在审
发明人：杨实;倪天楠;施金 -专利权人：南通至晟微电子技术有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种高频比双波束共口径天线，包括由上至下依次层叠设置的顶层金属结构、第一介质基片、中间层金属结构、第二介质基片、金属大地、第三介质基片和底层金属结构，还包括第一金属化过孔、第二金属化过孔、第三金属化过孔以及金属探针，第一金属化过孔贯通第一介质基片，第二金属化过孔贯通第二介质基片，第三金属化过孔依次贯通第一介质基片、中间层金属结构、第二介质基片、金属大地以及第三介质基片，金属探针依次贯通第三介质基片、金属大地、第二介质基片、中间层金属结构以及第一介质基片。
高频波束口径天线

[发明专利]大型熔炼炉炉底金属液流阀门装置-CN201711101878.4在审
发明人：程海霞 -专利权人：南通鑫农阀门科技有限公司
申请日： 2017-11-10 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： F27B14/08 文献下载
摘要：一种大型熔炼炉炉底金属液流阀门装置，属于熔炼设备金属熔炼炉领域。本发明包括倒三角状石墨堵头、石墨倒三角状漏口、金属质压紧装置和金属质连接装置、金属质支撑装置、金属质连接片，其连接方式为石墨倒三角状漏口部分由金属质压紧装置通过螺钉固定在金属坩埚上，石墨倒三角状漏口与金属坩埚的配合为松配合，倒三角状石墨堵头、金属质连接装置通过螺丝连接，金属质连接装置、金属质支撑装置、金属质连接片通过铰链连接在一起构成不锈钢连动机构。
大型熔炼炉金属阀门装置

[发明专利]一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法-CN201910347751.3有效
发明人：于涛;曹秀亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。本发明通过增加刻蚀金属层间介电质层的步骤，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，在后续的平坦化处理步骤中，研磨的应力主要集中在金属结构以外的位置处，有效减小了金属结构所受应力，从而改善金属挤压缺陷。
一种改善平坦化工金属挤压缺陷方法

[实用新型]一种多芯片层叠扇出型封装结构-CN201821906749.2有效
发明人：朱强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多芯片层叠扇出型封装结构，包括：第一介质层；第一金属柱，第一金属柱设置在第一介质层内，且贯穿第一介质层上下表面；第二金属柱，第二金属柱设置在第一介质层内，且贯穿第一介质层上下表面；第一芯片，第一芯片嵌入在第一介质层内，且贯穿第一介质层上下表面；第二芯片，第二芯片设置在第一芯片的背面；引线，引线电连接第二芯片焊盘至第一金属柱；第二介质层，第二介质层覆盖第二芯片、引线和第一金属柱表面；第三芯片，第三芯片倒装焊至第二金属柱；第三介质层，第三介质层位于第一介质层底面；金属互连层，金属互连层电连接至第一金属柱、第二金属柱和第一芯片的焊盘；第四介质层，第四介质层位于第三介质层底面；以及外接焊球，外接焊球电连接至金属互连层
介质层金属柱芯片金属互连层上下表面电连接扇出型封装多芯片底面焊球外接贯穿本实用新型芯片倒装芯片焊盘焊盘背面嵌入覆盖

[发明专利]一种微带阵列天线以及雷达系统-CN202210359871.7在审
发明人：盛家坤;张守钰;梁炳寅 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：本发明提供一种微带阵列天线及雷达系统，所述微带阵列天线包括金属贴片层、第一介质基板层、金属缝隙馈电层、金属柱隔腔层、第二介质基板层、第三介质基板层以及金属地层，其中，金属贴片层附着于第一介质基板层的上表面，第二介质基板层位于第一介质基板层的下面，第三介质基板层的上面；金属缝隙馈电层附着于第二介质基板层的上表面；金属柱隔腔层的金属柱贯穿第二介质基板层和第三介质基板层；金属地层附着于第三介质基板层的下表面。
一种微带阵列天线以及雷达系统

[实用新型]一种微带阵列天线以及雷达系统-CN202220785651.6有效
发明人：盛家坤;张守钰;梁炳寅 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：本发明提供一种微带阵列天线及雷达系统，所述微带阵列天线包括金属贴片层、第一介质基板层、金属缝隙馈电层、金属柱隔腔层、第二介质基板层、第三介质基板层以及金属地层，其中，金属贴片层附着于第一介质基板层的上表面，第二介质基板层位于第一介质基板层的下面，第三介质基板层的上面；金属缝隙馈电层附着于第二介质基板层的上表面；金属柱隔腔层的金属柱贯穿第二介质基板层和第三介质基板层；金属地层附着于第三介质基板层的下表面。
一种微带阵列天线以及雷达系统

[发明专利]电磁带隙组件及天线-CN202010862085.X有效
发明人：张琳;谷滨;郭凡玉;王新辉;罗烜 -专利权人：成都天锐星通科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本申请提供了一种电磁带隙组件及天线，涉及天线技术领域，该电磁带隙组件包括：第一介质层、第二介质层、第一金属片及第二金属片；第一介质层与第二介质层层叠设置；第一金属片设置于第一介质层第一表面；第二金属片设置于第二介质层第二表面，第二金属片接地；第一介质层内设置有贯穿第一介质层的金属孔，金属孔的一端与第一金属片接触，金属孔的另一端与第二介质层接触，第二介质层将金属孔与接地的第二金属片隔离，将金属孔与地隔开，适用于压合工艺的PCB时，有效地降低了压合工艺的难度，同时利用非接地的金属孔与金属片形成电容及电感，建立LC回路，可以使得结构在工作频点谐振，提高工作带宽。
磁带组件天线

[发明专利]制备分散质增强材料的方法-CN200580036438.4有效
发明人：米夏埃尔·厄克斯勒;斯特凡·佐伊纳 -专利权人：乌米科雷股份两合公司
申请日： 2005-08-24 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明第一实施方案中涉及制备分散质增强材料的方法，包括步骤：(i)提供金属颗粒，其中金属选自铂系金属、金、银、镍和铜，及其合金；(ii)金属颗粒与分散质前体化合物及溶剂混合；(iii)除去溶剂，得到配有前体化合物的金属颗粒；(iv)压紧配有前体化合物的金属颗粒以获得分散质增强材料，其中前体化合物在压紧操作期间转变成分散质。本发明第二实施方案涉及制备分散质增强材料的方法，包括步骤：(i)提供金属颗粒，其中金属选自铂系金属、金、银、镍和铜，及其合金，其中金属颗粒通过包括选自切削、铣削、车削和锉磨的机械方法制备；(ii)金属颗粒与分散质或分散质前体化合物及溶剂混合；(iii)除去溶剂；(iv)压紧步骤(iii)中得到的金属颗粒，以获得分散质增强材料。
制备分散增强材料方法

[发明专利]基于Fabry-Perot谐振腔的锥状波束天线-CN202310470168.8在审
发明人：齐世山;赵珂;吴文 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种基于Fabry‑Perot谐振腔的锥状波束天线，包括第一介质基板、第二介质基板、第一金属层、第二金属层以及单端口馈源，第一介质基板面向第二介质基板的一面印刷有第一金属印刷电路，第二介质基板面向第一介质基板的一面印刷有第二金属印刷电路，第一金属印刷电路、第二金属印刷电路以及第一金属层之间形成FP腔，第二金属层设置在第二介质基板远离第二金属印刷电路的一面，且第二金属层与第二介质基板之间剖去部分金属形成金属E形腔体，单端口馈源设置在第二介质基板底部中心，且穿过金属E形腔体以及第二金属层。
基于 fabry perot 谐振腔波束天线

[发明专利]一种宽带解耦的叠层贴片天线-CN202210506628.3在审
发明人：陈吉;施金;耿昕;杨实;方家兴 -专利权人：南通至晟微电子技术有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽带解耦的叠层贴片天线，包括顶层金属结构、第一介质基板、第二介质基板以及大地金属基板，所述顶层金属结构包括若干设置于所述第一介质基板上的寄生金属贴片，每个寄生金属贴片上具有双圆孔单圆盘结构，且相邻的两个寄生金属贴片之间的区域设置有对称的半波长金属条带；所述第一介质基板与所述第二介质基板之间与所述顶层金属结构对应处设置有中间层金属结构，所述大地金属基板设置于所述第二介质基板的底部，且所述顶层金属结构、所述第一介质基板、所述中间层金属结构、所述第二介质基板以及所述大地金属基板之间通过金属探针贯穿连接。
一种宽带叠层贴片天线

[发明专利]全向炮弹引信探测器天线-CN202310910493.1有效
发明人：陈青勇;张小龙;杨周明;于磊;王璞 -专利权人：成都天成电科科技有限公司
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种全向炮弹引信探测器天线，包括：金属辐射体、内置金属接地层、介质基板、接地金属过孔、馈电金属过孔和微带馈电网络。介质基板包括第一介质基板和第二介质基板，接地金属过孔和馈电金属过孔嵌入并贯穿第一介质基板和第二介质基板，微带馈电网络设置在第二介质基板外侧；接地金属过孔连接内置金属接地层；馈电金属过孔连接微带馈电网络。内置金属接地层为多层，且内置金属接地层设置在第一介质基板和第二介质基板之间。金属辐射体第一端暴露在第一介质基板外侧，第二端接入馈电金属过孔中。金属辐射体的长度为对应频段波长的四分之一，本申请中的天线对介质基板的占用面积更小。
全向炮弹引信探测器天线

[发明专利]互联层中空气间隙的形成方法-CN202310944337.7在审
发明人：裴梓任;蒙飞;张培根;汤嘉伟 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种互联层中空气间隙的形成方法，包括：在半导体基底上形成第一介质层；在第一介质层内形成第M‑1金属层，包括若干第一金属线；在第一介质层和第M‑1金属层上形成第二掺氮碳化硅层和第二介质层；在第二介质层内通过大马士革的方法形成第M金属层和通孔结构，通孔结构穿过第二掺氮碳化硅层连通第M‑1金属层，第M金属层包括若干第二金属线；在第一介质层和第二介质层的重叠处，从第二介质层的表面刻蚀第二介质层和第一介质层，以形成同时位于相邻第一金属线之间以及相邻第二金属线之间的深沟槽；在第二介质层和第二金属层上形成第三介质层，第三介质层同时封闭深沟槽的开口，以形成空气间隙。
互联层中空气间隙形成方法

[发明专利]一种基于MEMS开关的频率可重构天线-CN201910885276.5有效
发明人：赵嘉昊;李明;陶青长;梁志恒 -专利权人：清华大学
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MEMS开关的频率可重构天线，其包括：第一介质基板、第二介质基板和金属地层；第一介质基板位于天线的上方，金属地层位于第一介质基板与第二介质基板之间；第一介质基板的上表面设置有第一金属贴片、第二金属贴片、第三金属贴片、MEMS开关的驱动焊盘和MEMS开关的接地焊盘，在所述第一介质基板内开槽埋入有第一MEMS开关、第二MEMS开关以及信号连接线；第二介质基板的下表面设置有MEMS开关的驱动偏置线和天线同轴馈电端口；在第一介质基板内设置有第一金属化通孔；在第一介质基板、金属地层和第二介质基板内贯穿设置有第二金属化通孔；在第一介质基板内设置有第三金属化通孔；在第二介质基板内设置有第四金属化通孔。
一种基于 mems 开关频率可重构天线

[发明专利]一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法-CN201210014802.9无效
发明人：徐强;张文广;郑春生;陈玉文 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-01-18 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法。本发明一种减小双层前金属介电质层开裂现象的方法，通过在第一前金属介电质层上沉积第二金属介电质层之前，先对第一前金属介电质层进行去离子清洗，以去除第一前金属介电质层上的磷，从而增强了第一前金属介电质层与第二前金属介电质层之间的黏粘性
一种减小双层金属介电质层开裂现象方法

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