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[发明专利]一种基于金属膜阵子的高增益窄波束圆极化天线-CN201810718723.3在审
发明人：李卫;彭旭东 -专利权人：深圳市小麦物联科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明涉及RFID应用技术领域，具体涉及一种基于金属膜阵子的高增益窄波束圆极化天线。通过绝缘介质板、位于绝缘介质板正面的上层金属膜、和位于绝缘介质板背面的下层金属膜；且所述上层金属膜固定安装于绝缘介质板正面；所述下层金属膜固定安装于绝缘介质板背面；以及通过所述上层金属膜设置有馈电网络和辐射阵子；本发明提供的基于金属膜阵子的高增益窄波束圆极化天线具有增益高、窄波束、尺寸小、带宽宽和易于量产等优点。不仅克服了普通FR4材质天线增益不高和金属阵子天线难以做薄的缺点，而且在成本做到了更好的控制，更加适合RFID行业的推广和应用；作为冰柜天线使用，具有应用效率高、准确度高、实时性好的优点。
金属膜绝缘介质板窄波束圆极化天线高增益上层下层绝缘介质馈电网络实时性好天线使用天线增益应用效率准确度冰柜量产背面带宽天线金属辐射应用

[发明专利]立体配线基板、立体配线基板的制造方法及立体配线基板用基材-CN201680086437.9有效
发明人：道胁茂 -专利权人：名幸电子有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H05K3/38 文献下载
摘要：一种立体配线基板，其包括：树脂膜(1)，其为立体状，具有在玻璃转化温度以上的饱和区域中储能弹性模量为2×107Pa以下的动态粘弹性特性，且具有50％以上的断裂伸长率；第一金属膜(5)，其形成在所述树脂膜的表面上，并具有所期望的图案；以及第二金属膜(21)，其形成在所述第一金属膜上；其中，所述树脂膜在所述第一金属膜的形成面上具有多个凹凸；所述第一金属膜，膜厚度被调整为可将金属沉积成粒子状而形成疏松状结构
立体配线基板制造方法配线基板用基材

[发明专利]一种具有冷却功能的热压覆膜机-CN201810563848.3在审
发明人：葛志闪 -专利权人：苏州古柏利电子科技有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： B32B37/10 文献下载
摘要：本申请涉及一种具有冷却功能的热压覆膜机，所述的覆膜机包括机架、设置在机架上的用于卷绕薄膜的送膜辊、用于卷绕金属膜的金属膜辊轮、用于将金属膜压覆在薄膜上的加热辊、用于卷绕成品的收料辊，所述的送膜辊上的薄膜和所述的金属膜辊轮上的金属膜经过所述的加热辊压覆形成成品后被所述的收料辊绕卷，所述的机架上还设置有第一导辊、第二导辊和第三导辊，本申请所述的一种具有冷却功能的热压覆膜机，本申请所述的一种卷膜覆膜装置，具有金属膜辊轮，能够将金属膜覆盖在薄膜上，经过加热辊后经过具有冷却功能的第三导辊
金属膜导辊冷却功能覆膜机辊轮薄膜卷绕热压加热辊收料辊送膜辊申请覆膜装置加热辊压金属膜压冷却水管冷却水卷膜绕卷冷却覆盖

[发明专利]一种金属膜层的沉积方法-CN202211118846.6在审
发明人：陈峰;王晓兵 -专利权人：南通江森电子科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属膜层的沉积方法，所述金属膜层的沉积方法步骤如下：步骤一：基体的预处理；步骤二：基体的清洗，将步骤一中预处理好的基体，然后用80℃浓度为15%的NaOH溶液浸泡5min‑10min，后经丙酮反复擦洗除油后用稀硫酸清洗10‑15s对其进行表面活化处理后用蒸馏水冲洗干净；步骤三：通过双槽直流电沉积制备金属多层膜，将阴极周期性地含有金属离子m+的A电解槽和含金属离子n+的B电解槽之间移动，交替电镀即可获得金属层和金属层周期性分布的多层膜，本发明一种金属膜层的沉积方法，该方法制备的金属膜以及叠加的金属膜，不会发生脱落的现象，金属膜在叠加的过程中，不会对叠加的金属膜造成损伤，制备的方法稳定。
一种金属膜沉积方法

[实用新型]一种改良式PET金属膜覆膜-CN201920583015.3有效
发明人：杜作政;邢锦;罗奕桢 -专利权人：东莞华尔泰装饰材料有限公司
申请日： 2019-04-25 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及PET膜技术领域，具体涉及一种改良式PET金属膜覆膜，包括PET基膜、金属膜层、第一缓冲层、防潮层和保护层，所述金属膜层设置于所述PET基膜的上端面，所述第一缓冲层设置于所述金属膜层的上端面本实用新型通过在PET基膜层上设有金属膜层，使得整个PET镀金属膜的光泽度大大的提高，同时物理性能也进一步优化，另外在金属膜层上设有第一缓冲层和防潮层，以及在防潮层上设置保护层，使得整个PET镀金属膜的防潮阻燃
一种改良 pet 金属膜

[实用新型]半导体装置以及功率放大器模块-CN201820424270.9有效
发明人：大部功;梅本康成;柴田雅博;那仓健一 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-03-27 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：接合焊盘包含第1金属膜以及形成于第1金属膜上的第2金属膜。第2金属膜的金属材料比第1金属膜的金属材料硬。
金属膜半导体装置电路元件功率放大器模块化合物半导体金属材料接合焊盘基板本实用新型局部重叠增大的芯片配置

[发明专利]一种平板液晶天线及其制作方法-CN201910185143.7在审
发明人：刘智生;徐响战;王志灵;吕泰添;卢卓前;王立雄;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01Q3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种平板液晶天线的制作方法，方法如下：提供第一基板，第一基板的两侧分别为第一金属膜层和第三金属膜层；对双面金属膜层同时进行图案化处理，得到图案化第一金属膜层和图案化第三金属膜层；提供第二基板，第二基板一侧具有第二金属膜层；对第二金属膜层进行图案化处理，得到图案化第二金属膜层；将第一基板和第二基板对合形成液晶盒，并制备液晶层。本申请通过结构上的改善，使双面金属同时图案化成为可能，在工艺上省去大部分效率低下的黄光制程工序，节省了占线等待、切换型号调机时间。使平板液晶天线能够规模化制造，提高了制造的效率，降低了制造成本。
金属膜层平板液晶图案化天线第二基板第一基板图案化处理制作黄光制程双面金属制造成本规模化液晶层液晶盒调机对合占线制备制造申请

[发明专利]研磨方法-CN200610167061.2无效
发明人：近藤诚一;本间喜夫;佐久间宪之;武田健一;日野出宪治 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1998-10-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种研磨方法，包括使用研磨液对金属膜进行化学机械研磨的工序，所述研磨液含有不足1％重量的研磨磨粒，具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位，所述研磨液含有表面活性剂，其特征在于，所述表面活性剂被机械地从金属膜表面除去，金属氧化物溶于具有在所述金属膜的腐蚀区域的pH和氧化还原电位的研磨液。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，包括：准备具有半导体的基体的工序；在所述基体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在开口部内形成金属膜并覆盖该绝缘膜的工序；用研磨液对所述金属膜进行化学机械研磨的工序。
研磨方法

[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN202010175959.4在审
发明人：李明翰;案缟源;李龙儁;池祥源;朴锺模;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23F1/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻组合物及利用其的金属膜的蚀刻方法，详细地，提供一种提高单一金属膜或多重金属膜的蚀刻特性的蚀刻组合物、利用其的金属膜的蚀刻方法以及包括利用本发明的蚀刻组合物而进行的工序的半导体元件的制造方法
蚀刻组合利用方法

[发明专利]蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN202010176699.2在审
发明人：李明翰;案缟源;李龙儁;池祥源;朴锺模;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻组合物及利用其的金属膜的蚀刻方法，详细地，提供一种提高单一金属膜或多重金属膜的蚀刻特性的蚀刻组合物、利用其的金属膜的蚀刻方法以及包括利用本发明的蚀刻组合物而进行的工序的半导体元件的制造方法
蚀刻组合利用方法

[发明专利]半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法-CN202280010811.2在审
发明人：浦地刚史;柳本辰则;中岛泰;三苫修一;市川司 -专利权人：三菱电机株式会社;田中电子工业株式会社
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：半导体装置(100)具备半导体元件(1)、金属膜(2)和引线(3)。半导体元件(1)包含电极(11)。金属膜(2)覆盖半导体元件(1)的电极(11)。引线(3)与金属膜(2)接合。金属膜(2)具有比引线(3)高的硬度。在引线(3)整体中，引线(3)的圆形截面上的平均结晶粒径为5μm以下。
半导体装置电力转换以及制造方法

[发明专利]金属膜用研磨液及研磨方法-CN200880023332.4有效
发明人：田中孝明;深泽正人;野部茂;樱田刚史;筱田隆 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。
金属膜研磨方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN03142424.4有效
发明人：渡邉健一;河野通有 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-06-06 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：在半导体衬底上形成接触图形之后，在接触图形上形成由第一阻挡金属膜和第一导体图形构成的第一布线图形。形成具有这种结构的防潮环：在上端部分第一阻挡金属膜的外围部分与第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分接触，其中第一阻挡金属膜的外围部分覆盖第一导体图形外围侧上的侧壁面，第二阻挡金属膜的阻挡金属底面部分覆盖通孔接触部分的底面这导致在从半导体衬底到作为最上层的氧化硅膜的整个区域中无间断地形成例如Ta、TiN等阻挡金属膜，由此提高了用于防止破裂和湿气进入的粘附性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]覆金属层叠板-CN202180025316.4在审
发明人：吉田一义;片桐航 -专利权人：信越聚合物株式会社
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B32B15/08 文献下载
摘要：本发明提供一种覆金属层叠板，其能够降低电信号的传输损失，能够实现电路图案的细间距化，能够以高精度形成微细的电路，金属膜的密合性优异。一种覆金属层叠板，其是在基材膜上依次层叠涂膜、金属膜而成的覆金属层叠板，所述金属膜是通过镀敷、溅射和气相沉积中的至少任一种形成法形成的金属膜，所述涂膜的表面粗糙度(Rz)为1μm以下。
金属层叠

[发明专利]一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法-CN201210529449.8有效
发明人：苟君;王军;黎威志;蒋亚东;吴志明 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄金属膜太赫兹吸收层及其制备方法，该吸收层制备在太赫兹探测器敏感单元的顶层。所述超薄金属膜通过刻蚀减薄较大厚度的金属薄膜制备，在刻蚀减薄过程中调节工艺参数与刻蚀剂浓度分布，造成微区刻蚀速率差异，获得粗糙、多孔、黑化的超薄金属膜。刻蚀的方法有两种：一种是用反应离子刻蚀方法与干法刻蚀的后腐蚀现象将金属薄膜刻蚀为超薄金属膜，具有易控制反应过程与超薄金属膜厚度等优点；另一种是用湿法化学腐蚀方法将金属薄膜腐蚀为超薄金属膜，具有易控制超薄金属膜表面形貌与颜色等优点粗糙、多孔、黑化的金属薄膜表面结构具有高表体比、低反射率的特点，有效增强太赫兹辐射的吸收性能和效率。
一种超薄金属膜赫兹吸收及其制备方法