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[发明专利]一种硅烷偶联剂与金属镍离子共沉积的方法-CN201310364728.8无效
发明人：周琦;赵珍花 -专利权人：沈阳理工大学
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C25D3/12 文献下载
摘要：一种硅烷偶联剂与金属镍离子共沉积的方法，第一步、前处理。第二步、在镀镍液中加入硅烷偶联剂，制得硅烷偶联剂和金属镍离子共沉积的镀镍液，硅烷偶联剂在硅烷偶联剂和金属镍离子共沉积的镀镍液的浓度为0.01～40ml/L，硅烷偶联剂和金属镍离子共沉积的镀镍液pH值为3.5经过前处理的工件放入硅烷偶联剂和金属镍离子共沉积的镀镍液中，进行电镀和电泳共沉积，在工件表面产生硅烷偶联剂和金属镍的共沉积复合膜。第三步、将上述经过共沉积后的工件用流动自来水冲洗，烘干。本方法进行电镀和电泳共沉积，比不添加硅烷偶联剂而单独使用镀镍液制成的镀层光亮效果好。
一种硅烷偶联剂金属离子沉积方法

[发明专利]一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法-CN201910620314.4有效
发明人：黄邦斗;刘泽慧;章程;邵涛 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了材料领域的一种等离子体增强化学气相沉积金属薄膜的制备方法。该制备方法包括，金属前驱体、等离子体的启动气体和非金属前驱体，先将所述等离子体的启动气体电离形成等离子体，然后向所述等离子体中通入金属前驱体和非金属前驱体，发生化学气相沉积反应；或，先将所述等离子体的启动气体和所述非金属前驱体电离，然后向电离后的气体中通入金属前驱体，发生化学气相沉积反应。本发明提供的等离子体增强化学气相沉积金属薄膜制备方法，其所通过金属前驱体不参与电离，避免金属对等离子体的抑制作用，从而可以长时间、稳定地反应生成金属氮化物。
一种等离子体增强化学沉积金属薄膜制备方法

[发明专利]阴阳极可逆式离子供应方法-CN96109439.7无效
发明人：柯建信 -专利权人：柯建信
申请日： 1996-08-16 - 公布日： 2002-07-17 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：一种阴阳极可逆式离子供应方法，藉阳极解离金属离子的速率高于金属离子在阴极还原沉积的速率来产生含有金属离子的电解液，并藉由电极极性的交换而交相释放金属离子，充分循环供应连续自动电镀使用的金属离子，使电镀效果均匀，并可达到避免金属离子还原沉积在同一阴极上、拉长补充可电解金属时间的效果。
阴阳可逆离子供应方法

[发明专利]一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积设备及其工艺-CN202211082898.2在审
发明人：赵俊亮;李恒;苏波泳;黄健;王建波 -专利权人：纳弧真空装备（浙江）有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积设备及其工艺。本发明提供一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积设备，包括真空腔体、工件转架及真空泵组，在真空腔体内圆周设置射频离子源、电弧离子模块及磁控溅射模块，在真空腔体外接有脉冲偏压电源，其通过特殊的结构实现对电弧熔化靶材产生的液滴有效过滤，将弧靶产生的金属离子偏转引出至工件表面。本发明还提供一种微波介质陶瓷金属化的等离子体注入沉积工艺，其通过依次采用射频离子源清洗、电弧离子注入、电弧离子注入沉积、磁控溅射沉积的复合型真空气相沉积工艺，达到大幅提高膜层附着力、实现比磁控溅射工艺更高的沉积速率
一种微波介质陶瓷金属化等离子体注入沉积设备及其工艺

[发明专利]同时金属化通孔和基板的双面覆铜板的制法及覆铜板-CN202310937403.8在审
发明人：谢新林 -专利权人：谢新林
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请提供一种双面覆铜板的制备方法，包括：第一金属离子注入：将带通孔的刚性基板安装到夹持装置上，并连接到动力系统，使得刚性基板在动力系统的驱动下能够在刚性基板所处平面与第一金属离子注入方向呈±15°的角度范围内摆动，且刚性基板同时在与第一金属离子注入方向垂直的平面旋转；在第一金属离子注入时，刚性基板同时保持所述的摆动和旋转；等离子体沉积第二金属：使第一金属离子注入的刚性基板所处平面与等离子体沉积方向呈±15°的角度范围内摆动，并且使得第一金属离子注入的刚性基板同时在与等离子体沉积方向垂直的平面旋转；在等离子体沉积时，第一金属离子注入的刚性基板同时保持摆动和旋转；磁控溅射或离子束溅射铜或电镀铜。
同时金属化双面铜板制法

[发明专利]一种PEM燃料电池金属双极板碳基复合涂层的制备工艺-CN202211433846.5在审
发明人：吴玉程;夏正卫;刘东光;罗来马 -专利权人：合肥工业大学;安徽纯源镀膜科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：本发明涉及PEM燃料电池金属双极板生产技术领域，公开了一种PEM燃料电池金属双极板碳基复合涂层的制备工艺，包括如下步骤：在真空状态下依次对待镀膜双极板的待镀表面进行烘烤除气、离子清洗活化、制备离子渗层、沉积金属打底层、沉积金属氮化物层、沉积DLC层、沉积Ta‑C层。本发明提供的上述方案，将离子渗氮/渗碳、磁控溅射MS、等离子增强化学气相沉积PECVD和纯离子镀膜PIC融合，在金属双极板上制备碳基复合涂层，可以提升双极板的耐腐蚀性能和结合强度，延长使用寿命。
一种 pem 燃料电池金属极板复合涂层制备工艺

[发明专利]半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法-CN202310106571.2有效
发明人：徐明;李志华 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，特别是一种半导体结构、芯片及其应用和膜层沉积方法，以解决相关技术中SIP沉积所带来的在沉积过程中容易发生电弧缺陷，从而不利于车用电子产品的制作的问题。一种膜层沉积方法，包括：提供一组件层，组件层包括：基底层；采用惰性气体等离子体对包含待沉积金属的靶材进行溅射，生成待沉积金属的溅射原子；采用射频对溅射原子进行激发，形成包含待沉积金属离化离子的等离子体；向组件层施加交流电，利用交流电对待沉积金属离化离子在基底层上沉积进行控制；其中，在交流电的负半周内，待沉积金属离化离子在组件层的吸引作用下沉积在组件层上；在交流电的正半周内，组件层上的自由电子和交流电发生电中和
半导体结构芯片及其应用沉积方法

[发明专利]一种LCP基材的离子束金属化方法及其制品-CN202011103013.3在审
发明人：廖斌;陈琳;王国梁;罗军;庞盼 -专利权人：廖斌;广东省广新离子束科技有限公司
申请日： 2020-10-15 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开一种LCP基材的离子束金属化方法及其制品，其方法包括以下步骤：(1)表面预处理，清洗LCP基材表面；(2)制备过渡层，通过高能离子束系统完成高能金属离子处理，形成金属‑非金属混合层；(3)离子束沉积，通过低能离子束系统沉积低能金属离子，得到金属层，即可获得LCP基材金属板。本发明的高能离子源和低等离子源系统使作用在样品表面的束斑为具有一定能量的带正电的金属离子，沉积效果好，结合力高，即使金属层比较薄也就有非常强的剥离强度，具有广阔的市场应用前景。
一种 lcp 基材离子束金属化方法及其制品

[发明专利]一种铝金属线的制作方法-CN201210186603.6有效
发明人：赵强 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2012-06-07 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种铝金属线制作方法，包括粘合层沉积工艺、铝金属层沉积工艺、抗反射膜沉积工艺、铝金属线刻蚀工艺以及电介质层沉积工艺，所述粘合层沉积工艺包括以离子化金属工艺在衬底上沉积钛层，并在沉积过程中，对沉积表面施加一方向控制电场，使钛层晶粒的沉积方向一致，所述电介质层沉积工艺采用分阶段的等离子体增强工艺。通过提高钛层的沉积密度和方向，以及减少电介质层的沉积应力，达到提高铝金属线的成型品质。
一种金属线制作方法

[发明专利]柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板-CN201710793594.X在审
发明人：张鹏振 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-09-06 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板，包括提供一有机材料基板；在所述有机材料基板上沉积金属保护层，其中，所述金属保护层具有耐腐蚀性；在所述金属保护层上采用高温等离子增强化学气相沉积工艺沉积缓冲层；在所述缓冲层上形成半导体层；所述金属保护层用于防止所述缓冲层高温等离子增强化学气相沉积制程对等离子增强化学气相沉积腔体和管道的污染。本发明提供了一种柔性OLED面板的制作方法及柔性OLED面板，通过在有机材料基板上制备一金属保护层以防止所述缓冲层高温等离子增强化学气相沉积制程对等离子增强化学气相沉积腔体和管道的污染，进而提升柔性OLED
柔性 oled 面板制作方法

[发明专利]在金属表面上形成光滑有机乳胶树脂涂层的方法及用于该方法的离子交换树脂的再生方法-CN93103685.2无效
发明人：Ｗ·Ｇ·科兹克;Ｂ·Ｍ·阿米德 -专利权人：亨凯尔公司
申请日： 1993-03-06 - 公布日： 2000-01-05 - 主分类号： C09D5/08 文献下载
摘要：在金属表面上形成光滑保护涂层和除去用于形成保护涂层的自动沉积组合物中的金属阳离子,以制备有效用于涂覆另外的金属表面的自动沉积组合物的方法,包括（Ⅰ）使一种金属表面与自动沉积组合物接触，（Ⅱ）不加另外的阳离子表面活性剂，使自动沉积液与阳离子交换树脂接触；（Ⅲ）涂覆另外的金属表面。阳离子交换树脂再生法；（Ⅰ）提供树脂湿床；（Ⅱ）向湿床顶部添加酸性再生剂水溶液。
金属表面上形成光滑有机乳胶树脂涂层方法用于离子交换再生

[发明专利]紫外线活化的抗微生物表面-CN200680053359.9无效
发明人：特伦斯·S·麦格拉思;戴德雷·休厄尔;丹尼尔·M·斯托里 -专利权人：变色龙科学公司
申请日： 2006-11-06 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种适于用高粘附性抗微生物膜涂布聚合物表面的离子等离子体沉积(IPD)方法。受控的离子等离子体沉积(IPD)工艺用来以选定的金属/金属氧化物涂布金属或聚合物。将涂布的表面暴露于紫外光可显著提高沉积涂层的抗微生物性能。
紫外线活化微生物表面

[发明专利]无铬环保镀金属膜结构系统-CN201510649920.0有效
发明人：傅新民;上野山卫;黄品椿;刘玉珍;粱翰妮;张春梵;李清勇;刘智仁;范银娇;李惠洲;许远培 -专利权人：凯基有限公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C23C18/22 文献下载
摘要：本发明提供一种无铬环保镀金属膜结构系统，其包括：一有机化合物基板，具有至少一有机化合物；一硅基亲水沉积层，沉积于有机化合物基板上，以形成具有亲水性的一粗糙表面；一离子键结敏化层，形成于硅基亲水沉积层上，且具有多个钯离子；一无电解金属镀层，形成于离子键结敏化层上，且具有多个金属离子，其中，多个金属离子与多个钯离子形成多个键结，无电解金属镀层的表面接收一光源照射，使在硅基亲水沉积层及离子键结敏化层与无电解金属镀层之间分别移出氢气及
环保镀金膜结构系统

[发明专利]低温约束电沉积微增材制造系统及方法-CN202210548556.9在审
发明人：沈春健;朱荻;莫宇;朱增伟 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明属于金属微增材制造领域，涉及了一种低温约束电沉积微增材制造系统及方法，主要是为了提高微区金属沉积定域性。本发明的特征在于在电沉积微槽（7）设置冷却管（9）,使冷却管内冷却液的设定温度为‑2℃~5℃，该设定温度高于金属离子水溶液（2）和水基导电溶液（5）的冰点温度。通过低温减缓金属离子运动速率，约束电解液微区在水基导电溶液中的扩张范围，有效减小杂散沉积，提高电解液微区电沉积定域性。同时，低温溶液环境下的电沉积可以改变金属离子沉积形核机制和生长特性，细化沉积金属晶粒，提升微结构的表面质量。
低温约束沉积微增材制造系统方法

[发明专利]一种注入金属离子的多层陶瓷扩散偶的制备方法-CN202111595379.1在审
发明人：张清民;蔡梓麒;邵壮;朱康甫;郭宇航 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B41/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种注入金属离子的多层陶瓷沉积‑金属扩散偶的制备方法，属于材料制备技术领域。采用的方案为：1)利用化学气相沉积法在衬底表面依次沉积热解碳层和立方相碳化硅层；2)采用脉冲激光沉积法在在经步骤1)处理后的样品的表面沉积一层碳化硅密封涂层；3)采用离子注入法将金属离子注入到经步骤2)处理后的样品的热解碳层中，制得金属离子掺杂的多层陶瓷扩散偶。经过本发明制备出的扩散偶的多层涂层之间，多层涂层与碳化硅密封涂层之间、多层涂层与衬底之间的结合良好，离子注入的金属元素在涂层中溶解度适中，处理后其在热退火下的结构稳定性和金属离子的包容性得到明显提高。
一种注入金属离子多层陶瓷扩散制备方法