“金属离子沉积”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1978624个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种MPI覆铜板的制备方法及其制备的MPI覆铜板-CN202011091520.X有效
发明人：廖斌;陈琳;王国梁;罗军;庞盼 -专利权人：廖斌;广东省广新离子束科技有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明制备方法包括：(1)MPI薄膜表面预处理；(2)将表面预处理过的MPI薄膜放入银离子溶液中进行金属离子接枝改性；(3)将改性后的薄膜通过低能离子束系统沉积金属种子层；(4)将金属种子层通过低能离子束系统沉积金属层本发明通过化学接枝法可以直接活化MPI薄膜表面，可在聚合物表面获得带有金属银离子的官能团，获得致密性高的覆铜层，大大提高了提高MPI薄膜与铜金属层的结合力。
一种 mpi 铜板制备方法及其

[发明专利]水系金属电池及其改性负极-CN202210117340.7在审
发明人：吴川;赵然;白莹;吴锋 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：用于水系金属电池的改性负极。该负极制备方法包括对硅离子、铝离子和氢氧化钠形成的混合水溶液进行水热晶化，之后将晶化产物与锌离子溶液进行多次离子交换，再将交换产物与粘结剂和溶剂一起形成涂敷剂涂敷在锌箔上形成改性负极。本发明从原子尺寸层级精细调控离子通道，抑制大直径基团与金属负极接触，从而在降低电极表面副反应发生的同时引导金属离子的均匀沉积。通过与多价金属离子的配位降低直接与金属箔表面接触的水分子活性，增强电极的抗腐蚀性；通过带负电的改性物质层的应用降低极化电压；同时通过隧道引导机理均匀金属的沉积，抑制枝晶的生长，实现金属电极的长期稳定循环
水系金属电池及其改性负极

[发明专利]一种极片及含有该极片的电池-CN202111592408.9在审
发明人：赵伟;李素丽;李俊义;徐延铭 -专利权人：珠海冠宇电池股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明通过在极片中涂覆含有导电剂的活性物质层，所述导电剂为传统导电剂接枝螯合物配体得到的，所述导电剂可以将溶出的过渡金属离子捕获，当将所述导电剂用于正极片中时，其可以牢牢地将溶出的过渡金属离子吸附并固定，阻碍其向负极迁移，以此减少过渡金属离子在负极表面的沉积，阻止过渡金属离子对负极表面SEI膜的破坏，进而可以显著提高电池的循环寿命；当将所述导电剂用于负极片中时，其可以降低过渡金属离子的还原电位而不被负极所还原，以此减少过渡金属离子在负极表面的沉积，阻止过渡金属离子对负极表面SEI膜的破坏，进而可以显著提高电池的循环寿命。
一种含有电池

[发明专利]一种替代金属过渡连接层的离子注入方法-CN202111681990.6有效
发明人：陈美艳;唐德礼;刘旋;崔西蓉 -专利权人：核工业西南物理研究院;中核同创（成都）科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23C14/48 文献下载
摘要：本发明属于表面科学与工程技术领域，具体公开了一种替代金属过渡连接层的离子注入方法，采用高能纯金属离子进行注入和镀膜，有效解决复杂腔体结构陶瓷器件的孔、道侧壁金属层的均匀性和致密性差的问题，降低器件整体插损，取消陶瓷基体和金属导电层之间的过渡连接层结构和金属层沉积时的还原性保护气体，简化镀膜工序，降低生产成本，提高生产效率，绿色环保无污染。本方法如下：步骤(1)、采用霍尔离子源，进行介质陶瓷工件表面离子束溅射清洗；步骤(2)、采用高能脉冲离子源，进行介质陶瓷器件表面双金属离子共注入；步骤(3)、采用真空磁过滤阴极电弧离子镀，进行介质陶瓷器件表面金属导电层沉积
一种替代金属过渡连接离子注入方法

[发明专利]形成钴或镍互连结构的方法-CN201610237028.6在审
发明人：罗伊·沙维夫;约翰·W·拉姆;蒂莫西·博赫曼;珍妮弗·濛初·曾 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于在工件上的特征中沉积金属的方法，所述方法包括：在工件上的特征中形成种晶层，其中种晶层包括选自由钴和镍组成的群组的金属；在种晶层上电化学沉积第一金属化层，其中电化学沉积金属化层包括使用具有电镀金属离子和处于6至13范围内的pH值的电镀电解液；和在沉积第一金属化层之后热处理工件。
形成互连结构方法

[发明专利]减少晶片倒角上的硅化物的形成-CN201280022095.6有效
发明人：安德烈亚斯·费希尔;威廉·斯科特·贝斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-01 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围所述晶片的中央区域。将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护层。将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。在所述晶片的所述中央区域的至少一部分上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层上。形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物。
减少晶片倒角硅化物形成

[发明专利]调整电解液中金属离子浓度的方法与装置及其应用-CN01806700.X有效
发明人：凯－延斯·马泰亚特;斯文·拉姆普雷希特 -专利权人：埃托特克德国有限公司
申请日： 2001-02-23 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： C25D21/14 文献下载
摘要：为了调整作为电解沉积金属及额外含有电化学可逆氧化还原系统物质的电解质液体中的金属离子浓度，本技术领域已知引导至少部分电解质液体经设有不溶性辅助阳极(20)及至少一个辅助阴极(30)的辅助电解池(2)，通过施加电压传导其间的电流因此，过量的氧化还原系统中的氧化物质在辅助阴极(30)上还原，结果形成的欲沉积金属离子被还原。由此现有技术开始，本发明涉及使用欲沉积的金属片(30)作为辅助电极。
调整电解液金属离子浓度方法装置及其应用

[发明专利]一种等离子体增强原子层沉积设备及沉积方法-CN202211346014.X在审
发明人：董红;刘澳;胡倩 -专利权人：胡倩
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体增强原子层沉积设备及沉积方法。本发明的沉积设备，包括第一导管、第二导管，利用第一导管、第二导管将金属前驱体、载气分离，一方面第一导管内仅有金属前驱体通过，由于金属源的自限制反应，不会进一步沉积膜层，可以达到保持放电区干净的目的；另一方面这种套管设计可以保护第一导管内不打火，进一步保护金属源不电离，因为放电装置产生的电场在穿过沉积腔体时已经大量损耗，而且一旦沉积腔体内的载气被电离之后，等离子体就类似流体金属，可以迅速抵消电场，使得第一导管内所受到的电场作用进一步减少，因此无镀膜残留；本发明的沉积设备，可以在放电装置持续接放电的情况下仍然保持放电区内壁的洁净。
一种等离子体增强原子沉积设备方法

[发明专利]一种纳米氮化铬粉体的制备方法-CN202010519923.3在审
发明人：王开新;韩成良;孙虹;杨得全;吴斌;谢劲松 -专利权人：合肥中航纳米技术发展有限公司
申请日： 2020-06-09 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： C01B21/06 文献下载
摘要：对金属铬粉进行表面处理，通过等离子体化学气相沉积法制备得到纳米氮化铬粉体。对等离子体化学气相沉积设备真空处理，持续通入氩气+氮气置换设备内部以形成惰性气氛；启动等离子体化学气相沉积设备，其感应线圈通过高频振荡以产生高温等离子体焰流；由输送机向等离子体化学气相沉积设备中输送经过表面改性处理的金属铬粉，反应载气氨气由计量阀通入设备中，升温开始化学气相沉积反应；反应结束后，通过淬冷气流进行冷却，待冷却至常温时，通过输送机排出反应得到的纳米氮化铬粉体。制备过程中通过构建等离子体焰流反应氛围，实现反应温度的大幅度降低，节能降耗显著。
一种纳米氮化铬粉体制备方法

[发明专利]多阶段离子化金属电浆制程-CN02122001.8有效
发明人：章越;徐锋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2002-05-28 - 公布日： 2003-12-24 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明提供一种多阶段离子化金属电浆(IMP)制程，包括下列两阶段。在第一阶段中，利用金属电浆且仅使用直流电源沉积第一导电金属层于开口中。在第二阶段中，利用离子化金属电浆且使用直流电源、无线电频率电源、和无线电频率偏压源沉积第二导电金属层于第一导电金属层上。
阶段离子化金属电浆制程

[发明专利]用于底切的金属布线方法-CN200310102403.9无效
发明人：宋基武;姜锡镇;郑锡焕;李文喆;丁奎东;金钟硕;全灿凤;洪硕佑;姜正浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2003-10-17 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种用于在MEMS封装工艺中的底切的金属布线方法，该方法包括：在硅衬底上设置MEMS元件；将玻璃晶片焊接至具有设置在其上的MEMS元件的硅衬底的上部，该玻璃晶片具有形成于其中用于连接金属布线的孔洞；在该孔洞中沉积用于该金属布线的薄金属膜；以及离子研磨该沉积的薄金属膜。通过离子研磨，该方法能够将金属布线连接至具有底切的通路孔。
用于金属布线方法

[发明专利]功能梯度的类金刚石碳薄膜及其制备方法和制品-CN201610643595.1有效
发明人：赵可沦;王永宁;彭继华;刘海华;宋鹏涛 -专利权人：珠海罗西尼表业有限公司;华南理工大学
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：该功能梯度的类金刚石碳薄膜的制备方法包括：(1)通过空心阴极电子束辅助脉冲偏压多弧离子镀在工件表面沉积金属基底层；(2)通过空心阴极电子束辅助脉冲偏压多弧离子镀在所述金属基底层的表面沉积金属氮化物过渡层；(3)通过脉冲偏压离子束辅助磁控溅射在所述金属氮化物过渡层的表面沉积碳化钨梯度层；(4)通过脉冲偏压离子束辅助磁控溅射在所述碳化钨梯度层的表面沉积类金刚石碳装饰层。
功能梯度金刚石薄膜及其制备方法制品

[发明专利]一种利用离子液体低温电沉积银的方法-CN201210563630.0无效
发明人：马梅彦 -专利权人：彩虹集团公司
申请日： 2012-12-22 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C25C3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用离子液体低温电沉积银的方法，其特征在于，包括如下步骤：以无水氯化银为原料，离子液体为电解质，先将氯化银完全溶解在其中，再采用直流电源进行电沉积，电沉积时槽电压高于氯化银分解电压而低于离子液体的电化学窗口本发明提供了一种利用离子液体低温电沉积生产金属银的方法。该方法以氯化银(AgCl)为原料，将AgCl溶解到离子液体中，配制成离子液体-AgCl电解液，进行电沉积。电沉积过程中，槽电压要高于氯化银的分解电压，而低于离子液体的电化学窗口，阴极上生产银，阳极上放出氯气。
一种利用离子液体低温沉积方法

[发明专利]超声辅助铜铝双金属复合离子液体电沉积铜的方法-CN202111447672.3有效
发明人：孟祥海;欧阳萍;张睿;刘植昌;刘海燕;徐春明 -专利权人：中国石油大学（北京）
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C25D5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种超声辅助铜铝双金属复合离子液体电沉积铜的方法，包括：以含铜铝双金属复合离子液体的原料液为电解液，在超声频次不低于20kHz的条件下进行电沉积铜处理。本发明能够显著提高铜回收率，尤其适用于碳四烷基化工艺外排的铜铝双金属复合离子液体的处理，且具有效率高、工艺简单、绿色环保等优点。
超声辅助双金属复合离子液体沉积方法

[发明专利]一种光谱反射率调控装置及其制备方法-CN202210802666.3有效
发明人：周林;余慧玲;梁洁;朱嘉 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光谱反射率调控装置及制备方法，调控装置或方法采用电化学体系对光谱反射率进行动态调控，所述电化学体系包括：电池正极，所述电池正极设置有碱金属化合物，在充电时，所述碱金属化合物释放碱金属离子；电解液，所述电解液含有碱金属离子，在充电或放电时，所述电解液为所述碱金属离子提供通道；电池负极，所述电池负极上设置有若干成核位点，所述碱金属离子获得电子后在所述成核位点上沉积；充电时，电池正极释放碱金属离子，所述碱金属离子通过所述电解液到达所述电池负极并沉积，放电时，所述电池负极的碱金属失电子转换为碱金属离子，经所述电解液达到所述电池正极。
一种光谱反射率调控装置及其制备方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top