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[发明专利]存储器装置与其制造方法-CN201510432455.5有效
发明人：赖二琨;吴昭谊;林榆瑄;李岱萤 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-07-22 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器装置包括一基板、一隔离层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一金属硅化层以及一金属硅化氧化层。隔离层形成于基板。第一掺杂区域形成于阵列区内的隔离层上。第二掺杂区域形成于第一掺杂区域上。金属硅化层形成于第二掺杂区域上。金属硅化氧化层形成于金属硅化层上。
存储器装置与其制造方法

[发明专利]去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法-CN201110338466.9有效
发明人：刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法，去除氮化硅侧墙的方法包括：提供硅基底，硅基底上形成有栅极，栅极周围具有氮化硅侧墙，硅基底内形成有源区、漏区，且源区和漏区位于栅极的两侧；在栅极上以及基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层；在第一金属硅化物层的表面形成保护层；在形成保护层之后，将硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除氮化硅侧墙；去除氮化硅侧墙后，对硅基底进行第二退火，使第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层，第二金属硅化物层中硅的含量大于第一金属硅化物层中硅的含量。
去除氮化硅侧墙形成晶体管半导体器件方法

[发明专利]氧化处理提纯金属硅的方法-CN201810796627.0在审
发明人：羊实;庹开正 -专利权人：江苏斯力康科技有限公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了氧化处理提纯金属硅的方法，解决了现有的金属硅物理冶炼法除杂效果有限的问题。本发明包括真空熔炼金属硅并底部吹氧，保温，去除上层和底层含渣熔融液，再通过定向凝固进一步提纯高纯金属硅，得到接近6N的太阳能级硅。本发明具有一步熔融双重提纯、提纯效果好等优点。
金属硅提纯氧化处理高纯金属硅太阳能级硅定向凝固提纯效果真空熔炼熔融液冶炼法除杂吹氧含渣去除熔融保温上层

[发明专利]在多晶硅上形成金属硅化物的方法和半导体器件-CN201410049252.3有效
发明人：闻正锋;马万里;赵文魁;黄杰 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种在多晶硅上形成金属硅化物的方法和一种金属氧化物半导体器件，其中，在多晶硅上形成金属硅化物的方法包括在硅半导体外延层上生长栅氧化层，并在栅氧化层上沉积多晶硅层；在多晶硅层上形成作为栅极的多晶硅线条；在多晶硅层上沉积第一氧化层；刻蚀第一氧化层，在多晶硅线条的侧壁上形成侧墙；在多晶硅线条上制作需覆盖金属硅化物的多晶硅裸露区域；沉积金属层，对金属层进行热处理，在多晶硅裸露区域上生成金属硅化物；去除未生成金属硅化物的金属本发明通过在多晶硅层上沉积第一氧化层，刻蚀第一氧化层以在多晶硅的侧壁形成侧墙，使得即使光刻对偏，也不会在多晶硅两边有源区上形成金属硅化物，避免短路或漏电引起器件失效。
多晶形成金属硅方法半导体器件

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱金属杂质的方法-CN201110268620.X无效
发明人：孔繁敏;安利明;孙湘航;王新元;司继良;徐民 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-25 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱金属杂质的方法，其特征包括以下工艺步骤：（1）选择原材料为粒径是5～100mm的金属硅，金属硅的纯度为99％以上，其中金属杂质含量为700ppm；（2）开启高真空感应炉的真空系统；（3）将占石墨坩埚容量1/10的金属硅装入位于高真空感应炉内的石墨坩埚中，开启高频感应电源将金属硅熔化；4）待此硅料熔化后使硅液温度保持在1560～1600℃，投入剩余的金属硅至炉内的石墨坩埚中进行熔化成为硅熔体；（5）当硅熔体达到坩埚容积的3/4容积时，启动定向拉棒装置，通过定向拉制脱除硅中的金属杂质，成为硅棒；（6）将硅棒的尾部杂质聚集的部分切除，得到脱金属杂质提纯后的多晶硅。
一种太阳能级多晶金属杂质方法

[发明专利]一种用于金属硅的低能耗智能多级破碎装置-CN202110672143.7在审
发明人：杨陈 -专利权人：杨陈
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： B02C21/00 文献下载
摘要：本发明涉及金属硅破碎技术领域，且公开了一种用于金属硅的低能耗智能多级破碎装置，包括破碎机构，所述破碎机构包括破碎辊，所述破碎辊的下部活动连接有细碎箱，所述破碎辊之间活动连接有延伸至细碎箱内腔中部的Y型连杆该用于金属硅的低能耗智能多级破碎装置，通过破碎辊与切割件对金属硅块多级破碎，配合细碎箱间歇带动通槽与回送管重合，在与破碎辊同步转动的涡扇的作用下，部分大颗粒的金属硅即可被有选择性的循环破碎，再配合Y型连杆带动拉接杆使得V型连杆往复形变，各个振动柱即进行位移振动，避免受挤压力作用的金属硅颗粒堵塞筛孔，从而有效的提升了破碎效果且减小了能耗、提升了筛分金属硅的稳定性。
一种用于金属硅能耗智能多级破碎装置

[实用新型]一种提纯金属硅的反应釜装置-CN202020593591.9有效
发明人：郑维江;戴文伟;胡满根;林霞 -专利权人：将乐三晶新材料有限公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提纯金属硅的反应釜装置，包括机架、固定管和档杆，所述机架的上端固定有进料口，且进料口的内部连接有固定帽，所述机架的上部固定有电动推杆，且电动推杆的下端设置有碾压杆，所述机架的内部固定有固定盘该提纯金属硅的反应釜装置，当将金属硅投入到装置的内部后，电动推杆会带动年压杆进行上下移动，从而对金属硅进行破碎，当金属硅和反应液进行反应时，电动机带动搅拌杆和档杆进行转动，使金属硅和反应液进行充分的反应，从而对金属硅进行提纯。
一种提纯金属硅反应装置

[实用新型]一种金属硅制粒的加工筛选机-CN202223306976.0有效
发明人：颜亚非 -专利权人：龙陵远盛硅材料有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属硅制粒的加工筛选机，涉及金属硅加工技术领域。本实用新型通过设置驱动电机、第一齿牙、第二齿牙、连接弹簧、筛选盒的配合使用，可以带动筛选盒在筛选机本体内循环移动的同时通过连接弹簧使筛选盒震动，进而可以避免金属硅粒堵塞筛网，提高对金属硅粒的筛选速率，并且设置的防护盖可以避免在对金属硅粒筛选时，金属硅粒从筛选盒内意外蹦出，而设置的玻璃板可以便于观察筛选盒内金属硅粒的筛选效果。
一种金属硅加工筛选

[发明专利]金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210161187.4有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、多晶硅发射区低电阻金属硅化物层、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极。基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法有效地降低了基极电阻RB，工艺步骤简单，成本低。
金属硅对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法-CN201210161189.3有效
发明人：付军;王玉东;张伟;李高庆;吴正立;崔杰;赵悦;刘志弘 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管，为解决现有产品基极电阻RB大等缺陷而设计。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管主要包括Si集电区、局部介质区、基区、基区低电阻金属硅化物层、重掺杂多晶硅发射区、发射区-基区隔离介质区、重掺杂单晶发射区、接触孔介质层、发射极金属电极以及基极金属电极基区低电阻金属硅化物层延伸至发射区-基区隔离介质区外侧。本发明公开一种金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法，用于制备上述双极晶体管。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管有效地降低了基极电阻RB。本发明金属硅化物自对准锗硅异质结双极晶体管制备方法工艺步骤简单，成本低。
金属硅对准锗硅异质结双极晶体管及其制备方法

[发明专利]金属硅化合物薄膜及其制造方法-CN200980106376.8有效
发明人：金山敏彦;内田纪行 -专利权人：独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜是以最高占据分子轨道(HOMO)与最低非占据分子轨道(LUMO)之间的能隙EHL大的，内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的。本发明涉及如下金属硅化合物薄膜及其制造方法，所述金属硅化合物薄膜的特征在于：是以内包过渡金属的硅团簇作为结构单元的，所述硅团簇是过渡金属与硅的化合物，所述硅团簇中7个以上16个以下的硅原子包围在过渡金属原子周围；并且，过渡金属原子的第一及第二近邻原子，被配置为硅。
金属硅化合物薄膜及其制造方法

[发明专利]一种以硅泥生产纳米金属硅粉的方法-CN201911186620.8在审
发明人：王浩;王永;李灿华;徐文珍 -专利权人：马鞍山市弘信冶金材料有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： C01B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种以硅泥生产纳米金属硅粉的方法，将原料硅泥通过预脱水或晾干处理，再经破碎和烘干，最后装袋制得纳米金属硅粉。所得纳米金属硅粉的颗粒细度在5.5‑10.5μm范围中占80%以上；含水1%以内；杂质SiO
纳米金属硅粉硅泥工艺生产过程工业副产品高效利用节能减排颗粒细度物理过程循环利用晾干单质硅低能耗低污染深加工预脱水原料硅烘干含水装袋破碎转化生产

[发明专利]形成金属硅化物的工艺参数的检测方法-CN202211636397.4有效
发明人：李成龙;赵丽丹 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成金属硅化物的工艺参数的检测方法，该方法包括：提供硅衬底，于硅衬底上形成金属层，并检测金属层的电阻值；执行第一次退火工艺，以使金属层与部分硅衬底反应形成金属硅化物层，金属硅化物层包括第一金属硅化物层和第二金属硅化物层；检测金属硅化物层的电阻值，并基于金属硅化物层的电阻值和金属层的电阻值，得到第一次退火工艺的退火温度；执行第二次退火工艺，以使第一金属硅化物层全部转化为第二金属硅化物层；量测第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，并基于第二次退火工艺后第二金属硅化物层的厚度，得到第一次退火工艺前金属层的厚度。本发明能够简化检测金属硅化物的工艺参数的过程，提高检测效率。
形成金属硅工艺参数检测方法

[发明专利]一种低成本金属硅电阻压力变送器-CN201410550777.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：宝鸡睿科传感器有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G01L9/04 文献下载
摘要：一种低成本金属硅电阻压力变送器，具有外壳、用于检测压力的金属硅电阻传感器，还包括设于外壳体上的密封圈槽、密封圈槽内与金属硅电阻传感器之间的密封件、以及粘接于金属硅电阻传感器上的变调理板、以及用于与接插件与调理板连接的触点弹簧；金属硅电阻传感器通过密封件与外壳使用电气接插件压紧密封，调理板与电气接插件通过弹簧触点连接。本发明目的旨在提供一种新型低成本金属硅电阻压力变送器，其输出精度高，抗干扰能力强，体积小，装配简易。
一种低成本金属硅电阻压力变送器

[发明专利]粉末压片X射线荧光光谱法测定金属硅中杂质的方法-CN201710514127.9在审
发明人：杜亚明 -专利权人：苏州浪声科学仪器有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： G01N23/223 文献下载
摘要：本发明涉及一种粉末压片X射线荧光光谱法测定金属硅中杂质的方法，包括以下步骤1)取金属硅粉标准品和待测金属硅粉，再将所述金属硅粉标准品、待测金属硅粉分别先与H3BO3和助研剂混合搅拌均匀，得到混合物，再将所述混合物装于研磨罐中，然后于25～45t下保压35～40S压片，制成标准品样片和待测样片；2)再将所述标准品样片和待测样片通过X射线荧光光谱仪进行检测，并根据强度与含量确定线性关系，制作校准曲线，得到金属硅中杂质的含量。
粉末压片射线荧光光谱测定金属硅杂质方法