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[实用新型]一种金属硅加工用便于固定包装袋的分装设备-CN202121373930.3有效
发明人：庄肃鹏;姜生芹 -专利权人：济南鹏程硅业有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B65B43/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属硅加工用便于固定包装袋的分装设备，包括：底座，可以对设备进行支撑，所述底座顶部设置有第一支撑杆，所述第一支撑杆一端固定连接有主体，且主体可以对金属硅进行分装，所述主体顶部连接有进料斗该金属硅加工用便于固定包装袋的分装设备，导向块移动时可以通过导向槽进行滑动，挤压块移动的同时可以对包装袋进行挤压固定，方便包装袋可以进行快速固定，主体移动时可以拉动第一支撑杆进行移动，第一支撑杆移动时可以通过第二支撑杆进行滑动，方便主体可以根据需要进行调节，出料盘的出料槽转动出料槽底部时金属硅可以通过出料槽进入包装袋的内部，方便金属硅可以进行定量卸料。
一种金属硅工用便于固定装袋分装设备

[实用新型]一种金属硅母料清洗分离装置-CN202320840983.4有效
发明人：蔺波;郭双杰;董诗聪;黄正柱 -专利权人：芒市永隆铁合金有限公司
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金属硅母料清洗分离装置，属于金属硅加工技术领域，包括清洗箱、分离筒、进料管和排料管；进料管和排料管置于分离筒的上下端，清洗箱内注入清洗液；清洗箱的箱内一侧设有第一线性运动执行元件。本实用新型的一种金属硅母料清洗分离装置，将分离筒浸入清洗箱，在清洗箱的箱内两侧设置线性运动执行元件，通过线性运动执行元件带动分离筒的两端上下运动，当第一线性运动执行元件带动分离筒一端上升时，第二线性运动执行元件带动分离筒另一端下降，使其分离筒内金属硅母料朝另一端翻滚，翻滚过程中对母料进行清洗，实现分离筒内金属硅母料的分离，反之亦然，该设计可以实现母料的快速分离。
一种金属硅清洗分离装置

[发明专利]多层非晶硅的制造方法-CN97100900.7无效
发明人：吴协霖 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 1997-04-04 - 公布日： 2000-01-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种形成多层非晶硅的方法，包含在一半导体底材上形成一氧化硅层；在氧化硅层上形成至少二层的多晶硅层；在多晶硅层上形成一金属硅化层；及在金属硅化层上定义栅极区。本发明可以减低氟原子对于氧化硅层及整个元件的影响并可以减低多晶硅化金属与金属连线之间的电阻值。
多层非晶硅制造方法

[发明专利]金属硅的高温复合兰炭还原剂及其制备方法和使用方法-CN201610904878.7在审
发明人：李永安 -专利权人：马龙县明龙焦化实业有限公司
申请日： 2016-10-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅的高温复合兰炭还原剂,制备原料及重量百分比为长焰煤 30%～50%气煤，20%～40%肥煤，15%～35%煤焦油沥青，3%～7%。制备方法为混合、破碎、高温干馏，破碎。本还原剂，原材料成本低，降低性能优良，能够很好地满足金属硅地制造要求，使用时能够提高金属硅的产量、出硅率及生产成本。
金属硅高温复合还原剂及其制备方法使用方法

[发明专利]高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法-CN201110142222.3无效
发明人：许修文 -专利权人：科轩微电子股份有限公司
申请日： 2011-05-30 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：制造方法包括形成至少一个栅极沟槽于硅基材内、一栅极氧化层覆盖硅基材裸露表面、一栅极多晶硅结构于栅极沟槽内、一绝缘层于栅极沟槽内并覆盖栅极多晶硅结构、一具有第一导电型的本体区；注入第二导电型的掺杂物于本体区内，用以形成源极掺杂区；移除部分栅极氧化层与绝缘层，裸露栅极多晶硅结构与源极掺杂区表面；形成具有厚度的绝缘结构于栅极沟槽侧壁；沉积金属层于栅极多晶硅结构与源极掺杂区的表面，施以加热制程，形成第一自对准金属硅化物层于栅极多晶硅结构表面与第二自对准金属硅化物层于源极掺杂区表面；形成介电结构于第一自对准金属硅化物层、源极金属层于介电结构与第二自对准金属硅化物层。
高密度沟槽功率半导体结构与其制造方法

[发明专利]形成半导体器件金属引线的方法-CN96112074.6无效
发明人：林载圻;金铉修;李锡奎 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-11-04 - 公布日： 2002-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成半导体金属引线的方法，它包含以下步骤提供半导体衬底；在半导体衬底上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成由多晶硅层和金属硅化物层构成的下部引线；在下部引线上形成具有接触孔的层间绝缘膜，通过接触孔部分暴露金属硅化物层；在金属硅化物层的暴露部分注入杂质离子以在金属硅化物层中形成非晶部分；热处理金属硅化物层的非晶部分，从而使金属硅化物层非晶部分晶化；以及在金属硅化物层结晶部分形成上部引线。
形成半导体器件金属引线方法

[发明专利]二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源-CN200710128801.6无效
发明人： R·D·克拉克;K·S·库特希尔;H·思里丹达姆;A·K·霍克伯格 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C01B33/20 文献下载
摘要：本发明涉及二乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐膜的硅源。一种形成作为电子器件中高k电介质的金属硅酸盐的方法，包括步骤：提供二乙基硅烷至反应区；同时提供氧源至该反应区；同时提供金属前驱体到该反应区；通过化学气相沉积使该二乙基硅烷、氧源和金属前驱体发生反应，以在包括该电子器件的衬底上形成金属硅酸盐该金属优选为铪、锆或其混合物。该金属硅酸盐膜的介电常数可以基于膜中的金属、硅、和氧的相对原子浓度进行调节。
乙基硅烷作为沉积金属硅酸盐

[发明专利]制造半导体器件的方法以及利用该方法获得的半导体器件-CN200680042697.2无效
发明人：维贾亚哈万·马达卡塞拉;普拉巴特·阿加瓦尔;约翰内斯·J·T·M·东科尔斯;马克·范达尔 -专利权人： NXP股份有限公司
申请日： 2006-10-27 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造具有衬底(11)和半导体主体(12)的半导体器件的方法，该半导体主体被提供了至少一个半导体元件(E)，并包括单晶硅(1)区域，在该单晶硅区域的顶部，通过在单晶硅区域(1)上提供金属硅化物区域(3)和在金属硅化物区域(3)上提供低结晶度硅区域(4)，来形成外延性硅区域(2)，此后，通过加热将低结晶度硅区域(4)转化为具有高结晶度的外延性硅区域(2)，在这个过程中，金属硅化物区域(3)从低结晶度硅区域(4)的底部被移动到外延性硅区域(2)的顶部。根据本发明，在金属硅化物区域(3)的水平面之上形成了具有开口(6)的绝缘层(5)，在开口(6)中和绝缘层(5)的顶部沉积低结晶度硅区域(4)，通过平面化工艺去除在绝缘层(5)顶部上的低结晶度硅区域(4)以这种方式，可以很容易地获得外延性硅区域(2)(优选为纳米线)，以自对准方式对其提供了金属硅化物接触(区域)，其可以形成半导体元件(E)(例如晶体管)的一部分。
制造半导体器件方法以及利用获得

[发明专利]金属硅化物膜的形成方法-CN201080014285.4无效
发明人：铃木干夫;西森崇;汤浅秀树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种金属硅化物膜的形成方法，具有：准备在表面具有硅部分的基板的工序(步骤1)，通过使用含氮金属化合物作为成膜原料的CVD在硅部分的表面形成金属膜的工序(步骤2)，及其后，对基板在氢气氛下实施退火，通过金属膜与硅部分的反应而形成金属硅化物的工序
金属硅化物膜形成方法

[发明专利]通过约束来进行的硅化物相控制-CN201610848019.0有效
发明人： B·麦巴奇;E·Y·叶;M·B·奈克;S·D·耐马尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含金属层，所述含金属层包含过渡金属；在所述含金属层的暴露的表面上形成约束层；以及在低于400摄氏度的温度下使所述基板退火，以便从所述含硅层和所述含金属层形成金属硅化物层，其中所述约束层抑制富金属的金属硅化物相的形成。
通过约束进行硅化物相控制

[发明专利]半导体器件的栅极结构及防止其产生空洞的方法-CN201510164756.4有效
发明人：陈雪磊;王者伟;牟亮伟;曹雪姣;李晓明 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2015-04-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的栅极结构及防止其产生空洞的方法，所述方法包括下列步骤：在半导体衬底上淀积并刻蚀掺杂多晶硅，作为多晶硅栅；在所述多晶硅栅上表面形成金属硅化物层；淀积并刻蚀多晶硅，在所述金属硅化物层上表面形成多晶硅保护帽本发明在栅极结构的金属硅化物层表面增加一层多晶硅保护帽进行保护，阻止了金属硅化物层下多晶硅栅的析出、氧化，使得器件即使在高温氧气气氛下进行退火处理，也不会形成空洞/凹坑，提高了器件的良率。
半导体器件栅极结构防止产生空洞方法

[实用新型]一种制备金属硅粉用的分级装置-CN202120836866.1有效
发明人：金胜;杨小华;秦兴发 -专利权人：新疆索科斯新材料有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备金属硅粉用的分级装置，包括承重底座、铰接件、万向轮、振动座、筛选主体、加料口、控制主体、控制面板、液晶显示屏、观察窗、放置座、拉出把手、筛选网、储存箱、吸取泵、吸取管、吸取口和导出管本实用新型属于分级装置技术领域，具体是一种制备金属硅粉用的分级装置，有效的解决了目前市场上传统的金属硅粉用的分级装置大多功能简单、结构简陋的缺陷，在保证了基本的筛选效果的同时，还解放了用户的人力，为用户的工作带来了巨大的便利，是一款非常实用的制备金属硅粉用的分级装置。
一种制备金属硅分级装置

[实用新型]一种以氧气精炼金属硅的自动精炼装置-CN202220636768.8有效
发明人：祁红伟;鄂善斌;莫洪兵;陈宇;张占良;杨朝山;刘先涛;吴森远 -专利权人：新疆东部合盛硅业有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本实用新型提供一种以氧气精炼金属硅的自动精炼装置。所述以氧气精炼金属硅的自动精炼装置包括：精炼装置本体，所述精炼装置本体包括精炼壳、进气管和过滤箱，所述精炼壳的一侧固定安装有密封盒，所述密封盒内滑动安装有多个HEPA高效过滤网；第一连接管和第二连接管，本实用新型提供的以氧气精炼金属硅的自动精炼装置具有可对氧气中的杂质进行过滤，有利于提高成品金属硅质量的优点。
一种氧气精炼金属硅自动装置

[实用新型]一种金属硅浇铸快速冷却装置-CN202222080476.3有效
发明人：胡满根;戴文伟;林霞 -专利权人：将乐三晶新材料有限公司
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B22D27/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种金属硅浇铸快速冷却装置，包括支撑底座，所述支撑底座上表面设置有冷却箱体，所述冷却箱体上表面敞开设置，所述冷却箱体内设置有支撑框架，所述支撑框架上架设有用于盛装金属硅的内胆，所述支撑框架上左右两端均设置有便于内胆架设缓冲的缓冲件所述冷却箱体左右侧面上端均设置有支撑块，所述支撑块上设置有移动件，所述移动件上套设有用于与所述冷却箱体相配合的密封盖体，所述冷却箱体正面设置有用于将冷却液输送至所述密封盖体和冷却箱体内的输送件；本实用新型结构简单，操作便捷，能够实现金属硅冷却保证金属硅质量
一种金属硅浇铸快速冷却装置

[实用新型]一种分凝装置-CN202321021404.X有效
发明人：唐子程;罗钰;唐东;唐孟明 -专利权人：四川长矶复合材料有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： F27B14/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及金属硅加工技术领域，尤其涉及一种分凝装置。其包括底座，底座上设置有驱动件，接料箱和翻转件，翻转件通过驱动件在底座上转动，翻转件上设置有加热炉，加热炉的炉口朝向接料箱。本实用新型通过电机主轴驱动蜗杆和涡轮，使得翻转板翻转一定角度，进而使得加热炉可以倾斜一定角度，使得分凝出来的金属硅和杂质在重力作用下落入接料箱中，通过接料箱的风机、过滤板和接料盘，实现金属硅的冷却处理，同时也可以使得金属硅与杂质分离开来，最后可以对过滤板和接料盘进行清洁处理。
一种装置