“金属硅”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1630091个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件-CN201310006397.0有效
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-08 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法和半导体器件，所述自对准金属硅化物的形成方法包括：在硅层上形成掺杂区；在掺杂区的表面形成第一金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属层和与之相接触的掺杂区源漏掺杂区表面的硅结合形成第一金属硅化物层；去除未反应的第一金属层；在所述第一金属硅化物层上形成与所述第一金属层材质不同的第二金属层；进行退火工艺，使得所述第一金属硅化物层的表层和第二金属层结合形成第二金属硅化物层；去除多余的第二金属层。本发明提供的自对准金属硅化物的形成方法形成的金属硅化物能够提供给半导体器件更小的接触电阻。
对准金属硅形成方法半导体器件

[发明专利]一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法-CN201010040050.4有效
发明人：余学功;顾鑫;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-01-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种用铝膜包覆提纯金属硅的方法，包括如下步骤：将金属硅去油、洗净；然后加入到氢氧化铝胶体中混匀、干燥；再在水煤气气氛中加热并两次保温后冷却至室温；最后在盐酸和氢氟酸混合溶液浸泡后用去离子水清洗干净而得到纯度为4～5N的高级金属硅。本发明利用铝吸杂对金属硅中的杂质进行初步的吸杂处理，工艺简单，大幅降低了成本，可得到较纯的硅材料作为太阳能电池用硅材料或其进一步提纯的原料。
一种用铝膜包覆提纯金属硅方法

[发明专利]一种太阳能级多晶硅脱硼的提纯方法-CN201110268626.7在审
发明人：孔繁敏;安利明;孙湘航;王新元;司继良;陈建玉 -专利权人：山西纳克太阳能科技有限公司
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种太阳能级多晶硅脱硼的提纯方法，其特征是包括以下工艺步骤：（1）选择金属硅为原材料，（2）将金属硅装入铝钒土坩埚中，开启高周波电源将其快速熔化为硅熔体；（3）继续提高高周波电源功率，加入造渣剂进行精炼造渣；造渣剂为硅熔体重量的40～100％；（4）待金属硅全部熔化，硅熔体温度恒定在1550摄氏度，分批次加入金属硅和造渣剂，将硅熔体表面形成的渣料清除掉；（5）待造渣完成后，将硅液倒入模具中，静置自然冷却后得到脱硼提纯后的多晶硅采用本发明获得的多晶硅B的含量为0.1ppm以下，完全符合太阳能级多晶硅所需纯度6N以上的太阳能级多晶硅。
一种太阳能级多晶硅脱硼提纯方法

[发明专利]一种金属硅中除硼的方法-CN201110278875.4无效
发明人：罗学涛;黄平平;吴浩;傅翠梨;张蓉;李锦堂 -专利权人：厦门大学
申请日： 2011-09-16 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：一种金属硅中除硼的方法，涉及一种金属硅除硼方法。提供一种造渣与酸洗工艺相结合，使其满足太阳能级多晶硅要求的金属硅中除硼的方法。将造渣剂与金属硅混合后碾压成球形硅料，再装入熔炼炉，在氩气氛围下进行造渣处理；将造渣处理后的硅料粉碎、研磨、过筛，得到硅粉；将所得硅粉加入到盐酸和氢氟酸的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到硝酸和双氧水的混合液中浸泡；将所得硅粉加入到氢氟酸和有机胺的混合液中浸泡，冲洗、抽滤，得到冲洗干净的硅粉；将所得到的硅粉进行喷雾干燥，得到低硼的冶金硅粉。
一种金属硅方法

[发明专利]清除残余金属的方法-CN200610110717.7有效
发明人：张俊杰;洪宗佑;谢朝景;陈意维;张毓蓝 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-08-07 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明揭示一种清除残余金属的方法，此残余金属位于硅晶片基底的过渡金属硅化物上。为清除此残余金属，首先，对过渡金属硅化物作表面氧化处理，使得过渡金属硅化物上方形成保护层后，再利用氯化氢和过氧化氢混合物(HPM)清洗步骤清洗硅晶片基底，以清除残余金属。
清除残余金属方法

[发明专利]去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法-CN201110338455.0有效
发明人：刘焕新;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种去除氮化硅侧墙、形成晶体管、半导体器件的方法，去除氮化硅侧墙的方法包括：提供硅基底，所述硅基底上形成有栅极，所述栅极周围具有氮化硅侧墙，所述硅基底内形成有源区、漏区，且所述源区和漏区位于所述栅极的两侧；在所述栅极上以及硅基底的源区、漏区上形成金属层，进行第一退火使所述金属层与硅基底作用形成第一金属硅化物层，进行第二退火使所述第一金属硅化物层与硅基底作用形成第二金属硅化物层；在所述第二金属硅化物层的表面形成保护层；形成保护层之后，将所述硅基底置于具有饱和硅离子的磷酸溶液中以去除所述氮化硅侧墙。
去除氮化硅侧墙形成晶体管半导体器件方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201110391447.2有效
发明人：罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在包含硅元素的衬底上形成栅极堆叠结构；在衬底以及栅极堆叠结构上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得衬底中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使得富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物源漏，并同时在镍基金属硅化物源漏与衬底的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。依照本发明的半导体器件制造方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，提高了掺杂离子的固溶度并形成了较高浓度的掺杂离子分离凝结区，从而有效降低了镍基金属硅化物与硅沟道之间的肖特基势垒高度，提高了器件的驱动能力
半导体器件制造方法

[实用新型]一种超细金属硅粉的喷吹返包装置-CN201120370206.5有效
发明人：李宗有;包崇军;王吉坤;张安福;周杰;张金清;任承伟;张应培;梅志能;张成国;卢国洪;王子龙;张忠益;赵兴凡;董诗韩 -专利权人：云南永昌硅业股份有限公司
申请日： 2011-10-08 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： C01B33/021 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种超细金属硅粉的喷吹返包装置，其包括储气罐，油水分离器，可调试喷射器，输送管，支持器，炭棒，硅水包，储料仓，压力控制阀，气源控制阀等部分。用输送管将储气罐、油水分离器、可调试喷射器、炭棒和硅水包连接并连通，利用压缩空气做为输送动力，在可调试喷射器的作用下，将超细金属硅粉喷入硅包，使超细金属硅粉直接喷入高温硅液进行二次熔炼回收利用，提高产品回收率，降低生产成本，从而解决超细金属硅粉易于悬浮难以回收利用的问题。
一种金属硅喷吹返包装置

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202010079681.0在审
发明人：梁玲;谢海波;张志雄;彭绍扬;李刚 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；所述栅极结构的表面以及所述半导体衬底的未被所述栅极结构覆盖的表面具有硅区域，在所述硅区域形成金属硅化合物；确定所述半导体器件的接触区和非接触区，刻蚀以去除位于所述非接触区内的金属硅化合物，保留位于所述接触区内的金属硅化合物作为金属接触结构。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]太阳电池及生产方法、电池组件-CN202011113051.7有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳电池包括：硅基底；空穴分离结构形成于硅基底的一侧；金属电极，位于空穴分离结构上；局域接触层，位于金属电极与空穴分离结构之间；局域接触层包括：p型多晶硅层、以及纳米金属颗粒和金属硅化物，纳米金属颗粒和金属硅化物至少分布在p型多晶硅层与所述金属电极之间的界面处；金属硅化物、所述纳米金属颗粒中的金属均为高功函数金属。分布在p型多晶硅层与金属电极之间的界面处的纳米金属颗粒和金属硅化物，可以显著降低接触复合，并降低接触电阻率和太阳电池的串联电阻，且与空穴分离结构的能级匹配，改善了载流子选择性，提高了电池效率。
太阳电池生产方法电池组件

[发明专利]利用机械力化学去除冶金硅中微量磷、硼杂质的方法及所用助剂-CN200910117384.4无效
发明人：祁利民;刘海 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明涉及在制造高纯金属硅过程中除杂的方法，尤其是利用机械力化学去除冶金硅中微量磷、硼杂质的方法及所用助剂，其特点是，包括如下步骤，在金属硅粉中添加2-8％重量百分含量的权利要求1或2所述的助剂，充分混匀后，一起粉碎至金属硅达到140-200目，然后通过酸洗后，去离子水洗涤至中性，过滤分离出固体物后，干燥即可。本发明采用机械力化学的方法，在精选冶金硅被粉碎的过程中添加能够与磷、硼等元素结合，但不与金属硅反应的复合助剂，使金属硅中磷杂质的含量达到4ppm以下，将硼杂质降低至1ppm以下。
利用机械化学去除冶金微量杂质方法所用助剂

[发明专利]一种金属硅冶炼深度除杂的方法-CN201510654085.X在审
发明人：周继红;丁卫民;林祖徳 -专利权人：怒江宏盛锦盟硅业有限公司
申请日： 2015-10-11 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明属于金属硅冶炼工艺领域，具体涉及一种金属硅冶炼深度除杂的方法，包括组合絮剂配置、高温熔化、吹氧精炼、取样检测、深度除铝和过滤除杂六个步骤。本发明可在传统精炼过程中将金属硅中的铝含量降控在0.18%以内，可在不过多增加精炼程序的情况下使冶金级硅提升到化学级硅的品级，效果比较好、成本低。
一种金属硅冶炼深度方法

[发明专利]包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法-CN201010511468.9有效
发明人：郑钟基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2010-10-14 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及包括金属硅化物层的半导体器件及其制造方法。具体地，本发明涉及制造包括金属硅化物层的半导体器件的方法，以及一种通过制造具有均匀厚度的细长金属硅化物层而与基板掺杂类型无关的方法形成的器件。平坦的空区通过硅基板的非晶化的表面层与绝缘层的分离而产生，金属源通过接触孔经过与空区连接的绝缘层进入空区，热处理将空区中的金属转换为金属硅化物。该分离通过将非晶硅转换为晶体硅而引起。
包括金属硅化物层半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种金属硅专用磨-CN201210152765.8无效
发明人：刘金生 -专利权人：辉县市新科机械设备有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： B02C13/14 文献下载
摘要：一种金属硅专用磨，本发明的目的是设计一种使用效果好，加工精度高的金属硅专用磨。本发明的技术方案是，一种金属硅专用磨，它包括撒料盘，在撒料盘上部安装有金属衬圈，金属衬圈上装配有刀头，在金属衬圈上部安装有金属百叶圈。所述金属衬圈上开有凹槽，凹槽为燕尾槽，刀头为“十”字形刀头，刀头装配在凹槽内。所述金属百叶圈上装配有百叶，百叶与金属百叶圈上的调节螺栓连接。本发明结构合理，对金属硅的加工更为高效，使用效果较高，可以根据需要更精确的选取加工进度，适用范围更广。
一种金属硅专用

[发明专利]一种金属硅的制备方法-CN201610468000.3在审
发明人：杨正宏;杨梦洁;辛玲;王杰;陈亚丽;任真;申君来;孙毅 -专利权人：河南易成新能源股份有限公司
申请日： 2016-06-24 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅的制备方法，旨在解决将金刚线切割硅片产生的硅粉废弃物进行处理制备成金属硅的技术问题，包括下列步骤：先将金刚线切割硅片产生的硅粉废弃物酸洗反应，除去废弃物中的金属及金属氧化物，再将其在斜管中沉降浓缩，然后在离心机中进行离心脱水处理并洗涤，来除去反应后的金属及金属氧化物并同时调节pH值，再将所得物料造粒并真空干燥，然后在冶炼炉中进行冶炼，并对冶炼后的硅块进行破碎和筛分处理，得到的金属硅纯度大于99.5%该方法操作性强，应用价值高，从金刚线切割的硅粉废弃物中制备出金属硅，实现资源综合利用并避免污染环境，具有很强的推广应用价值。
一种金属硅制备方法

首页
«上一页
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top