专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [外观设计]金属窗双-CN202030782774.0有效
  • 邓寿基 - 邓寿基
  • 2020-12-18 - 2021-05-07 - 08-07
  • 1.本外观设计产品的名称:金属窗双。2.本外观设计产品的用途:金属窗双。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
  • 金属窗双点锁点
  • [发明专利]一种芯片封装的封装方法-CN202011617859.9在审
  • 谭小春 - 合肥矽迈微电子科技有限公司
  • 2020-12-31 - 2021-04-06 - H01L21/60
  • 本发明提供的一种芯片封装的封装方法,在晶圆上对芯片上的寄生电容进行一次Bump,形成第一金属,在第一金属的上进行二次Bump,形成第二金属,第一金属和第二金属之间具有环形的凹陷,将带有第一金属和第二金属的芯片进行后续的常规芯片封装操作流程通过一次Bump与二次Bump形成第一金属和第二金属,第一金属和第二金属之间具有环形的凹陷,在塑封时能够与塑封体很好的结合,环形的凹陷能够卡扣住塑封体,且增大了与塑封体之间的接触面积,增加了粘结度,在研磨工艺时,不易使第一金属和第二金属与塑封体之间脱离,也降低了第一金属与寄生电容之间脱离的概率,提高芯片的可靠性。
  • 一种芯片封装方法
  • [实用新型]硅通孔金属柱背面互联结构-CN201420519646.6有效
  • 丁万春 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2014-09-10 - 2015-03-18 - H01L23/482
  • 本实用新型提供一种硅通孔金属柱背面互联结构,包括:硅基板、锡球结构、至少一个硅通孔金属柱和与所述硅通孔金属柱个数相同的凸金属层;所述硅通孔金属柱设置在所述硅基板中,并延伸至所述硅基板背面形成凸;每个所述凸金属层分别与一个所述凸连接,各所述凸金属层间隔设置;所述锡球结构环包设置在具有互联关系的至少两个硅通孔金属柱对应的凸金属层上。本方案在硅通孔金属柱本体上,将露出硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸,在该凸表面形成可焊接用的凸金属层,这种结构在外界压力下锡球焊点不易变形,产品性能稳定。
  • 硅通孔金属背面联结
  • [发明专利]制作方法以及凸结构-CN200910194787.9有效
  • 丁万春 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;芯电半导体(上海)有限公司
  • 2009-08-28 - 2011-04-06 - H01L21/60
  • 一种凸制作方法以及凸结构,其中,所述凸制作方法包括:在晶片上沉积凸金属层;在凸金属层上形成光刻胶层,并曝光、显影形成开口,所述开口中顶部横截面大于底部横截面,且底部露出凸金属层;在开口内填充金属,形成金属支柱;在金属支柱顶部沉积焊料,去除所述光刻胶层及其底部的凸金属层;高温回流金属支柱顶部的焊料,形成球状凸点焊料。与现有技术相比,本发明制作的凸结构中,金属支柱与球状凸点焊料间具有较大的接触面积,从而提高了凸的导电能力,且结构简单,工艺与现有技术相兼容。
  • 制作方法以及结构
  • [发明专利]及其形成方法-CN200910197082.2无效
  • 王津洲 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-10-13 - 2011-05-04 - H01L21/60
  • 一种凸及其形成方法。其中凸的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层,所述金属垫层镶嵌于钝化层中,且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层;在钝化层开口内的金属垫层及钝化层上形成金属屏蔽层;在金属屏蔽层上形成光刻胶层,所述光刻胶层上有与金属垫层位置对应的开口;在光刻胶层开口内的金属屏蔽层上形成籽晶层和凸金属层;去除光刻胶层后,刻蚀去除金属垫层位置以外的金属屏蔽层;在金属屏蔽层、籽晶层和凸金属层两侧形成侧墙;在凸金属层上放置凸;回流凸。本发明解决了凸间发生桥接的情况,避免了短路现象的发生。
  • 及其形成方法
  • [发明专利]的形成方法-CN200910056726.6有效
  • 王津洲 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-08-20 - 2011-03-30 - H01L21/48
  • 一种凸的形成方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有金属垫层和钝化层,所述金属垫层镶嵌于钝化层中,且通过钝化层上的开口暴露出金属垫层;在钝化层开口内的金属垫层上依次形成金属屏蔽层和凸金属层,所述凸金属层包含金属镍层;将半导体衬底放入含氢离子或氢氧根离子的电解池溶液内;利用外加电场进行反应以处理凸金属层中的金属镍层;在凸金属层上形成凸。本发明消除了后续凸内产生的空洞,使所有凸的尺寸保持一致,避免了短路和断路的发生,提高了封装的质量。
  • 形成方法

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