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[发明专利]一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法-CN202010961239.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，属于碳化硅单晶制备技术领域。为解决现有碳化硅晶体制备过程容易引入杂质形成缺陷晶体的问题，本发明提供了一种降低晶体缺陷的碳化硅单晶制备方法，包括将碳化硅籽晶柱粘接在坩埚盖上，以碳化硅多晶体为原料生长碳化硅单晶。本发明切割新生成的碳化硅单晶后剩余的籽晶柱还可以作为原料继续用于制备碳化硅单晶，节约了制备成本；采用碳化硅多晶体为碳化硅单晶的生长原料，固体碳化硅多晶体与碳化硅粉相比升华速度慢，不易引入杂质，能够减少缺陷晶体的产生；将籽晶柱粘接在坩埚盖上，由籽晶柱生长碳化硅单晶可以有效避免晶体生长过程中应力的产生，有效降低位错和晶格等缺陷。
一种降低晶体缺陷碳化硅制备方法

[发明专利]一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺-CN201110306524.X有效
发明人：沈浩平;高树良;张雪囡;王彦君;王岩;王遵义;赵宏波;靳立辉;刘嘉 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2011-10-11 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种拉制8英寸区熔硅单晶热系统及工艺。热系统包括线圈和保温桶，在炉体外两侧与线圈1相同高度的位置上分别设有产生横向磁场的磁场发生器，在线圈和保温桶之间设有用于对熔区热量进行反射的反射器。其工艺为：当扩肩直径到达100mm时，伸出反射器在硅单晶周围形成一个保温圈，开启磁场发生器，同时要保证扩肩过程中硅单晶上方的熔区高度为3～5mm，当硅单晶直径到205mm时转肩；在等径保持过程中，炉压为由于采取新设计的区熔硅单晶热系统和调整了工艺参数，成功拉制出8英寸区熔硅单晶，解决了大直径硅单晶成晶困难中的温度波动和熔流波动的问题，避免和减少了位错的产生，从而满足市场对8英寸区熔硅单晶的需求。
一种拉制英寸区熔硅单晶热系统工艺

[发明专利]扩散抛光片单侧主扩散制作方法-CN200710055275.5有效
发明人：王新;黄光波;刘广海;商亚峰;佐义忠;陶巍;邹光祎 -专利权人：吉林华微电子股份有限公司
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：现有方法不管是预扩散还是主扩散，扩散过程始终在硅单晶片两侧同时同样地进行，硅单晶片的结构呈N⁺－N^－－N⁺形态，而制造半导体器件所需的扩散抛光片其结构应当为N⁺－N^－形态，需要再采用减薄抛光工艺将一侧的N⁺层去掉，造成硅单晶材料的浪费。本发明采取在硅单晶片一侧生成起阻止扩散作用的掩蔽层，或者在主扩散之前去掉硅单晶片一侧的预扩散层的方法，使得主扩散只在硅单晶片的一侧进行，这样的话，一开始即可选用较薄的硅单晶片，如300～400μm，实现了节省硅单晶材料的发明目的
扩散抛光片单侧主制作方法

[发明专利]一种直拉重掺砷低电阻硅单晶的装置-CN201510904680.4在审
发明人：王林;高润飞;宋都明;陈建梅;张寿星;张颂越;王淼 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C30B15/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种重掺砷低电阻硅单晶的装置，包括热屏内胆、热屏外胆、石英锅、碳毡、石英环、石英环导向管，石英环为用石英拉制出一石英管和在其上有数根石英环导气管导通管，且数根石英环导气管相对石英管成垂直弯曲，100mm,石英环导气管插于石英环导向管内并可自由滑动，使用时，砷置于石英管内，通过在炉盖上安装的提升装置使石英环上下升降于石英锅内硅熔液液面之上，技术效果是，结构简单，改造容易，通过石英环的上下升降，让重掺砷杂质的挥发速率能够满足低阻的要求
一种直拉重掺砷低电阻硅单晶装置

[发明专利]绝缘基体上的硅及其生产方法-CN95108401.1无效
发明人：小林研也;滨嶋智宏;小此木坚祐 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1995-06-16 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：将第一硅单晶体和第二硅单晶基体粘接在一起，并且所形成的第一硅单晶基体像ＳＯＩ层那样薄。绝缘膜覆埋在二个硅单基体之一的粘接表面的部分位置处，另外，在埋入绝缘膜的一侧的硅单晶基体粘接表面上形成多晶硅层。
绝缘基体及其生产方法

[发明专利]气相掺杂区熔硅单晶的生产方法-CN200610013497.6有效
发明人：沈浩平;刘为钢;高树良;王聚安;昝兴立;李翔 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2006-04-21 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅单晶的生产方法，特别涉及一种气相掺杂区熔硅单晶的生产方法。该方法包括抽空充气、掺杂及等径生长工艺，其特征在于：在所述的等径生长工艺中，利用区熔硅单晶炉电气控制系统进行如下操作：当按下触摸屏给定下转电机正向、反向运动及加热线圈移动的指令后，下转电机带动单晶按照设定的时间进行正向反向运动经本方法生产的区熔硅单晶，降低了硅单晶的径向及轴向电阻率不均匀性问题，提高了硅单晶的稳定性及可靠性。从而满足了用户对气相掺杂区熔硅单晶的需求。
掺杂区熔硅单晶生产方法

[发明专利]一种制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法-CN201210059755.X无效
发明人：李建宏;菅瑞娟;张雪囡;徐强;王刚;汪雨田;沈浩平 -专利权人：天津市环欧半导体材料技术有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C30B13/12 文献下载
摘要：本发明涉及制造区熔硅单晶的直拉区熔气掺法，其特征在于，首先采用直拉法拉制硅多晶，且在拉晶前完成掺杂，然后将硅多晶进行机加工并退火后置于区熔炉内，通过区熔法进行单晶拉制，且在区熔法拉晶过程中通入定量的掺杂气体，掺杂气体通入量逐渐降低或升高；若区熔单晶硅掺杂剂目标浓度为c0，则控制硅多晶的尾部掺杂剂浓度为c0，k为掺杂剂偏析系数；由于本发明的多晶料棒的掺杂剂浓度均匀一致，且保持阶段无需进行气掺，则硅熔体浓度均匀性非常高，综上所述，本发明相比与NTD法，成本较低，且生产周期较短；与区熔气掺法和直拉区熔法相比，有效提高了区熔单晶径向电阻率的均匀性。
一种制造区熔硅单晶直拉区熔气掺法

[发明专利]印刷玻璃钝化工艺方法-CN202111515964.6在审
发明人：朱法扬;周榕榕;薛治祥;朱森梅;沈广宇 -专利权人：江苏捷捷微电子股份有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开一种印刷玻璃钝化工艺方法，包括下列步骤：1）上片，在印刷区域放入硅单晶片，将不锈钢印刷板覆盖在硅单晶片表面，不锈钢印刷板的中心印刷通槽位于硅单晶片的中部；2）涂覆玻璃糊、刮涂，在不锈钢印刷板上倒入玻璃糊，用刮刀沿芯片的对角线方向将玻璃糊刮入硅单晶片的沟槽内，重复1‑2次填满沟槽，刮刀材质为树脂、不锈钢、特氟龙、橡胶或聚氨脂；3）玻璃糊烘干，硅单晶片放到热板上烘干；4）装舟，硅单晶片装入石英舟；5）玻璃烧结
印刷玻璃钝化工艺方法

[发明专利]一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置-CN202210390888.9在审
发明人：刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置包括密封腔、保温结构、加热结构、坩埚和均温环等；坩埚用于放置源料，籽晶安装于坩埚顶部。多组加热机构和保温结构用于调节籽晶处径向温度梯度。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置能够实时动态调整籽晶处径向温度梯度，且调节方法简单，效应速度快，可有效控制碳化硅单晶晶锭的生长面凹凸程度，有利于大尺寸碳化硅单晶晶锭的生长。
一种径向调温碳化硅生长装置

[发明专利]一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法-CN201811303469.7有效
发明人：高超;李长进;李加林;刘家朋;孙元行;刘鹏飞;李宏刚;窦文涛;宗艳民 -专利权人：山东天岳先进材料科技有限公司
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高连续生长碳化硅单晶品质的方法，属于碳化硅单晶的制备领域。所述连续制备碳化硅单晶的方法可通过简单的调节坩埚与套环的相对位置，不需要更换坩埚即可连续制备凸率均匀的碳化硅单晶；并且可针对性的设计特定热场，改变坩埚内部的气相传输路径，从而实现快捷有效的热场和流体控制本申请的提高连续生长碳化硅单晶品质的方法中，在坩埚外侧增加螺纹及配套的套环装置，实现坩埚发热区的快速转换，能够快速便捷的实现热场的调整，同时大大降低碳化硅单晶的制造成本。
碳化硅单晶坩埚热场连续制备生长快速转换流体控制气相传输套环装置制造成本发热区配套的螺纹套环申请制备

[实用新型]硅单晶棒回收装置-CN201620480717.5有效
发明人：尚青生 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： B02C19/00 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种硅单晶棒回收装置，包括缸体、上挤压盘、下挤压盘及挤压头；下挤压盘位于缸体下部并与缸体底部保持预定距离；挤压头位于上挤压盘上，并朝向所述下挤压盘，待回收的硅单晶棒位于下挤压盘上，由上挤压盘进行挤压，下挤压盘上设有多个通孔，在上挤压盘对所述待回收的硅单晶棒进行挤压时，挤压头能穿过所述通孔。通过上挤压盘的下压，挤压头对待回收的硅单晶棒进行压碎处理，并且下挤压盘上设有通孔，压碎的待回收的硅单晶棒可由通孔落入缸体底部，从而避免使用高温处理，同时还能够避免对待回收的硅单晶棒造成污染。
硅单晶棒回收装置

[实用新型]一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置-CN202220859701.0有效
发明人：刘鹏;徐文立;潘建栋;袁晓芸 -专利权人：宁波恒普真空科技股份有限公司
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带径向调温环的碳化硅单晶生长装置，涉及碳化硅单晶的制备及晶体生长技术领域。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置包括密封腔、保温结构、加热结构、坩埚和均温环等；坩埚用于放置源料，籽晶安装于坩埚顶部。多组加热机构和保温结构用于调节籽晶处径向温度梯度。该带径向调温环的碳化硅单晶生长装置能够实时动态调整籽晶处径向温度梯度，且调节方法简单，效应速度快，可有效控制碳化硅单晶晶锭的生长面凹凸程度，有利于大尺寸碳化硅单晶晶锭的生长。
一种径向调温碳化硅生长装置

[发明专利]外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板-CN201480007779.8在审
发明人：蓝乡崇;伊藤涉;藤本辰雄 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供能够得到具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片的碳化硅单晶基板的制造方法以及碳化硅单晶基板。具备表面缺陷等少、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法是：通过研磨速度为100nm/小时以下的CMP(化学机械研磨)法对碳化硅单晶基板的表面进行研磨来将表面除去100nm以上的厚度
外延碳化硅晶片单晶基板制造方法以及

[发明专利]外延碳化硅单晶基板的制造方法-CN201180055581.3有效
发明人：蓝乡崇;柘植弘志;胜野正和;藤本辰雄;矢代弘克 -专利权人：新日铁住金株式会社
申请日： 2011-11-15 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到
外延碳化硅单晶基板制造方法

[发明专利]一种拉制硅单晶工艺方法-CN200410018223.7有效
发明人：顾月强;谢海涛 -专利权人：上海卡姆丹克半导体有限公司
申请日： 2004-05-11 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开一种拉制硅单晶工艺方法，步骤包括：将多晶硅料投入石英坩埚内进行电加热，向炉内充氩并减压升温，炉内压力在2600Pa，温度在1420℃，待炉内料完全熔融后进行拉制硅单晶，并检测其电阻率，其特征在于：拉制第一根硅单晶后需向炉内多次加入多晶硅料，每拉一根进行加一次料。本发明工艺方法的实施，能大大提高硅单晶的成品率，如果器件允许硅单晶的电阻率范围只有10Ωcm，采用传统工艺时，单晶成品率约34％，采用本发明方法三次加料工艺后，成品率将提高到58％。当半导体器件所允许硅单晶的电阻率范围越小时，采用多次加料工艺后单晶成品率的提高将更为明显。
一种拉制硅单晶工艺方法