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- [发明专利]一种晶圆背面腐蚀工艺方法-CN202211354761.8在审
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乔宁平;晏有维;黄辛庭;林祥裕
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四川广义微电子股份有限公司
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2022-11-01
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2023-01-17
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H01L21/02
- 本发明公开了一种晶圆背面腐蚀工艺方法，获取晶圆，并将所述晶圆的正面贴上保护膜；将所述晶圆的背面通过硅酸腐蚀液进行腐蚀，并用去离子水对腐蚀后的晶圆背面进行冲洗，获得腐蚀晶圆；对所述腐蚀晶圆的背面进行抛光处理，并用去离子水对抛光后的所述腐蚀晶圆背面进行冲洗，获得抛光晶圆；去除所述抛光晶圆表面的自然氧化层，并用去离子水对去除自然氧化层后的抛光晶圆进行冲洗，将冲洗后的晶圆进行甩干，获得背面腐蚀晶圆；本发明的有益效果为通过对用硅酸腐蚀液处理时候的晶圆进行抛光以及表面去除自然氧化层处理，能够增加晶圆背面腐蚀后的粗糙程度，提高背面金属蒸镀后的粘附力，从而提高衬底的使用性能，提高了衬底制作产品的效果。
- 一种背面腐蚀工艺方法
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