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[外观设计]边缘环-CN202130060384.7有效
发明人：劳建邦;弗拉基米尔·纳戈尔尼;刘炜;特里萨·克莱默·瓜里尼;伯纳德·L·黄;马尔科姆·J·贝文;雅各布·亚伯拉罕;斯韦安布·普拉萨德·贝赫拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：边缘环。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在半导体加工机械设备中使用的用于基板处理系统的边缘环。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
边缘

[发明专利]底部边缘环和中部边缘环-CN201780088065.8在审
发明人：希兰·拉吉塔·拉斯那星赫;肖恩·E·S·东海林;乔恩·麦克切斯尼 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种底部环被配置为支撑可移动的边缘环。所述边缘环被配置为相对于衬底支撑件升高和降低。所述底部环包括：上表面，所述上表面是台阶状的；环形内径；环形外径；下表面；和多个竖直引导通道，其穿过底部环从所述底部环的所述下环表面到所述上表面提供。所述引导通道中的每一个包括直径小于所述引导通道的第一区域，并且所述引导通道被配置接收用于使所述边缘环升高和降低的相应的升降销。
引导通道边缘环底部环上表面升高衬底支撑件底部边缘第一区域配置接收可移动升降销台阶状下表面竖直下环配置穿过支撑

[发明专利]SiC边缘环-CN202080014827.1在审
发明人：金京俊 -专利权人：韩国东海炭素株式会社
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及一种在半导体制造工序中使用的半导体制造部件之一的边缘环，本发明的SiC边缘环包括：第一沉积部，其包括具有等离子体损伤部分和未损伤部分的SiC；以及第二沉积部，其包括形成在所述第一沉积部上的SiC
sic 边缘

[实用新型]边缘环组件-CN201420063262.8有效
发明人： A·帕尔;A·阿加瓦尔;A·源;J·崔;J·Z·何 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开用于硅基板处理的高性能和持久边缘环。提供一种具有可嵌套在一起的外环主体和内环主体的边缘环组件。外环主体由石英材料制造且具有顶表面和基本上平行于顶表面的多个底表面。外环主体具有第一环形台阶、第二环形台阶和第三环形台阶。内环主体由碳化硅材料制造。边缘环组件可用于半导体处理腔室中。
边缘组件

[发明专利]边缘环和具有边缘环的热处理设备-CN202010920077.6在审
发明人：金昌敎;权昶珉 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种边缘环和具有边缘环的热处理设备。边缘环包含具有环形形状的主体。主体包含：衬底支撑部件，配置成支撑衬底的底部表面的边缘；外带，设置于衬底支撑部件的外部，且具有一顶部表面，所述顶部表面高于衬底支撑部件的顶部表面且平行于由衬底支撑部件支撑的衬底的顶部表面；外侧壁，设置于外带的外部
边缘具有热处理设备

[发明专利]边缘环移除方法-CN202010249044.3在审
发明人： M·J·塞登 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明题为“边缘环移除方法”。移除边缘支撑环的方法的实施方式可包括：提供半导体晶圆。该半导体晶圆可包括第一侧面和第二侧面。半导体晶圆的第一侧面可包括背金属。半导体晶圆还可包括围绕半导体晶圆的周边的边缘环。该方法可包括将半导体晶圆的第一侧面安装到膜框架。该方法可包括移除边缘支撑环周围的背金属的一部分以及从半导体晶圆分割出边缘支撑环。
边缘方法

[外观设计]边缘环和外伸环组合-CN202130442038.5有效
发明人：劳建邦;弗拉基米尔·纳戈尔尼;刘炜;特里萨·克莱默·瓜里尼;伯纳德·L·黄;马尔科姆·J·贝文;雅各布·亚伯拉罕;斯韦安布·普拉萨德·贝赫拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：边缘环和外伸环组合。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作在半导体加工机械设备中使用的用于基板处理系统的边缘环和外伸环组合。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
边缘外伸环组合

[发明专利]一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘-CN202011293552.8在审
发明人：金根浩;周娜;李俊杰;李琳;王佳 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘，属于半导体制造技术领域，用以解决现有技术中边缘环的维修和养护的操作复杂、耗时长的问题。本发明的边缘环组件，包括多个沿轴向堆叠的边缘环、驱动边缘环沿轴向运动的升降组件以及用于移动顶部的边缘环的机械手。本发明的边缘环更换方法为开启升降组件，升降组件驱动多个边缘环向上运动，顶部的边缘环移出晶圆制造区域，机械手将顶部的边缘环移至反应室外，位于顶部的边缘环下方且与顶部边缘环相邻的边缘环进入晶圆制造区域，作为新的边缘环，从而完成边缘环的更换。本发明的边缘环组件、边缘环更换方法以及静电卡盘可用于晶圆制造。
一种边缘组件更换方法以及静电卡盘

[发明专利]边缘环和蚀刻装置-CN202110743919.X在审
发明人：石田寿文;斋藤祐介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供边缘环和蚀刻装置。提供能够抑制边缘环的内周部的消耗的边缘环。一种边缘环，其围绕在被等离子体处理腔室内的基板支承部支承着的被蚀刻物的外周，其中，所述边缘环具有自外周部朝向内周部去而变低的倾斜面，将位于所述倾斜面上的比距离所述边缘环的最内周和最外周为等距离的中间线靠内周部的地点Xa处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T1，将位于所述倾斜面上的比所述中间线靠外周的地点Xb处的等离子体处理前的所述边缘环的厚度设为T2，将所述地点Xa处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T3，将所述地点Xb处的等离子体处理后的所述边缘环的厚度设为T4，此时，满足T2/T1＞T4/T3的关系。
边缘蚀刻装置

[发明专利]边缘环以及退火装置-CN202011358841.1在审
发明人：朴兴雨;李河圣;朱宁炳;熊文娟;蒋浩杰;崔恒玮;李亭亭 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的一种边缘环以及退火装置，涉及半导体技术领域，包括：环体，所述环体的内圈设置有环状的搁置槽，所述搁置槽上设置有沟槽。在上述技术方案中，沟槽开设在搁置槽的槽底，当晶圆放置在搁置槽内以后，由于搁置槽的槽底具有该沟槽，所以晶圆与搁置槽的实际接触面积会相对减少，可以使晶圆在搁置槽内搁置时，有效的降低与边缘环之间的冲击破损，进而减少微粒的产生
边缘以及退火装置

[实用新型]孔环边缘清洗装置-CN202022734362.7有效
发明人：赵紫微 -专利权人：名幸电子（广州南沙）有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及孔环清洗技术领域，且公开了孔环边缘清洗装置，包括清洗槽，所述清洗槽的外侧固定安装有超声波振子。该孔环边缘清洗装置，通过将待清洗的孔环放入金属篮内，再将金属篮放入清洗槽，利用清洗槽上的金属支撑边来支撑金属篮上的限位板，使得金属篮被固定，且限位板被定位杆穿过，起到对金属篮定位的作用，向清洗槽内通入清洗液，然后盖上盖板，可以利用超声波振子产生振动，使清洗槽内的清洗液进行微振动，清洗液透过网孔进入金属篮与孔环接触，使孔环边缘裂缝内的药液被分散、乳化和剥离，即可完成大批量的孔环清洗，清洗完毕后直接提起提杆，可以将金属篮内的孔环全部取出，达到了清洗效率高目的。
边缘清洗装置

[实用新型]CMP边缘压敷环-CN200820060836.0无效
发明人：赵正元;张震宇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2008-10-21 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： B24D13/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CMP边缘压敷环，在该CMP边缘压敷环的外周设以可观察的标记，作为该CMP边缘压敷环使用寿命的参考基准。当CMP边缘压敷环在使用中被磨损，厚度逐渐变薄，触碰到预先设的标记时，即可认为，该CMP边缘压敷环已达到使用寿命。采用该CMP边缘压敷环，通过目测即可简单有效地监控该CMP边缘压敷环的使用寿命。
cmp 边缘压敷环

[发明专利]静电夹持的边缘环-CN201780065764.0在审
发明人：克里斯托弗·金博尔;基思·加夫;王峰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-10-19 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：提供了一种通过中心孔与静电晶片吸盘和静电环吸盘一起使用的边缘环，所述静电环吸盘具有冷却槽和环夹持电极以及用以调节所述边缘环的温度的至少一个环背面温度通道。所述边缘环包括：边缘环体，其放置在具有环夹持电极的所述静电环吸盘上，其中所述边缘环体包括导电部分，当所述边缘环体放置在所述静电环吸盘上时，导电部分放置在所述环夹持电极上；和第一弹性体环，其整合到所述边缘环体的第一表面上并且围绕所述第一表面的中心孔，其中当所述边缘环体放置在所述静电环吸盘上时，所述第一弹性体环用于密封所述冷却槽。
边缘环吸盘静电环电极环夹弹性体环第一表面冷却槽中心孔导电晶片吸盘温度通道静电静电夹整合背面密封

[发明专利]载置台、基片处理装置、边缘环和边缘环的输送方法-CN201980055656.4在审
发明人：佐佐木康晴;内田阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种载置被实施规定处理的基片的载置台，其包括：静电吸附上述基片的静电吸盘；配置在上述基片的周围的可输送的第一边缘环；固定在上述第一边缘环的周围的第二边缘环；使上述第一边缘环升降的升降销；配置在上述静电吸盘的与上述第一边缘环相对的位置的、该第一边缘环的静电吸附用的第一电极；和配置在上述静电吸盘的与上述第二边缘环相对的位置的、该第二边缘环的静电吸附用的第二电极。
载置台处理装置边缘输送方法

[发明专利]边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法-CN202010810448.5在审
发明人：今真人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供边缘环、等离子体处理装置和边缘环的制造方法。本发明的边缘环在等离子体处理装置的处理容器的内部包围载置于载置台的基片的周围，该边缘环包括：第一部件，其具有能够与在上述处理容器的内部生成的等离子体接触的接触面，并且由第一材料形成；和第二部件，其设置在上述第一部件的与上述接触面相反的一侧本发明能够抑制边缘环的消耗，并且减轻传热气体从边缘环与静电吸盘之间泄漏的状况。
边缘等离子体处理装置制造方法

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