专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]等离子体处理的数字控制-CN202280012296.1在审
  • 弗拉基米尔·纳戈尔尼 - 应用材料公司
  • 2022-01-21 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 一种系统包括设置在处理腔室内的控制板。所述控制板包括一组等离子体元件,所述等离子体元件被设计为独立地将设置在所述处理腔室内的基板暴露于等离子体相关的通量。所述控制板被设计为独立地启动所述一组等离子体元件。在被启动时,这些相关联的等离子体元件将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量,而在不启动时,这些相关联的等离子体元件防止将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量。所述控制板被设计为执行所述一组等离子体元件的个别的依赖于时间的启动,以选择性地将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量。
  • 等离子体处理数字控制
  • [发明专利]具有独立温控的等离子体处理-CN202180093412.2在审
  • 刘炜;弗拉基米尔·纳戈尔尼;雷妮·乔治 - 应用材料公司
  • 2021-12-30 - 2023-10-03 - H01J37/32
  • 本公开内容的实施例一般涉及电感耦合等离子体源、等离子体处理装置及等离子体处理的独立温控。在至少一个实施例中,一种方法包括将工艺气体引入至气体注入通道中,及在气体注入通道内产生电感耦合等离子体。等离子体包括选自氧、氮、氢、NH及氦的至少一种自由基物质。该方法包括借由使等离子体流经在等离子体源与基板之间的分离栅格而将等离子体自等离子体源输送至与等离子体源耦合的工艺腔室。该方法包括处理基板。处理基板包括使包括该至少一种自由基物质的等离子体与基板的面向分离栅格的第一侧接触,及使用位于基板的与分离栅格相对的第二侧上的多个灯来加热基板。
  • 具有独立温控等离子体处理
  • [发明专利]低电流高离子能量等离子体控制系统-CN202180074410.9在审
  • 弗拉基米尔·纳戈尔尼 - 应用材料公司
  • 2021-09-24 - 2023-07-14 - H01J37/32
  • 示例性半导体处理系统可包括处理腔室、设置在处理腔室中或处理腔室上的电感耦合等离子体(ICP)源和被构造为定位基板的支撑件。支撑件可至少部分地设置在处理腔室内,并且可包括偏压电极。离子屏可设置在腔室内,位于支撑件上的基板上方。离子屏对离子和电子是半透的,使得维持在离子屏上方的等离子体的密度不受施加到偏压电极的射频偏压功率的影响。因此,实现了等离子体能控制,同时保持了等离子体密度与射频偏压功率的独立性,从而能够提供高离子能和低偏压电流。
  • 电流离子能量等离子体控制系统
  • [发明专利]用于半导体处理的等离子体源-CN202180050336.7在审
  • 弗拉基米尔·纳戈尔尼 - 应用材料公司
  • 2021-07-16 - 2023-03-28 - H01J37/32
  • 本技术包含等离子体源,等离子体源包括第一板,所述第一板限定以第一组列布置的第一多个孔口。第一板可包括第一组电极,所述第一组电极沿第一组列中单独的列延伸。等离子体源可包括第二板,所述第二板限定以第二组列布置的第二多个孔口。第二板可包括第二组电极,所述第二组电极沿第二组列中单独的列延伸。第二多个孔口中每一孔口可与第一多个孔口中的孔口轴向对准。等离子体源可包括定位于第一板与第二板之间的第三板。第三板可限定第三多个孔口。
  • 用于半导体处理等离子体

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