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[实用新型]用于等离子体处理系统的边缘环和包括该边缘环的系统-CN202020586711.2有效
发明人：克里斯托弗·金博尔;汤姆·A·坎普;赫马·斯瓦鲁普·莫皮迪维 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01J37/21 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于等离子体处理系统的边缘环，所述边缘环包括：环形体；从所述环形体向下延伸的径向内支腿；以及从所述环形体向下延伸的径向外支腿。空腔位于所述径向内支腿和所述径向外支腿之间。P个凹槽配置为容纳边缘环提升销。所述P个凹槽的间距为360°/P。所述P个凹槽位于所述径向外支腿的径向内表面上，与所述径向外支腿的底表面相邻，其中，P为大于2的整数。还涉及包括该边缘环的系统。
用于等离子体处理系统边缘包括

[实用新型]处理腔室、等离子体筛设备以及基板支撑设备-CN201921485674.X有效
发明人： H·诺巴卡施;A·侯赛因;R·若林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备。设备涉及包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘的处理腔室和/或基板支撑件。边缘环组件定位为与静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在静电吸盘的外部或周围。边缘环组件包括基部和定位在基部上方的帽，其中边缘环电极定位在帽与基部之间。边缘环电极的基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中帽包括延伸到内凹槽和/或外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与边缘环组件相邻。
处理等离子体设备以及支撑

[发明专利]用于基板极端边缘保护的环-CN202180060480.9在审
发明人： B·施瓦茨;M·D·威尔沃斯;A·米森;P·库马尔;G·马修;A·施密特 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：所述设备具有环组件。环组件具有边缘环和遮蔽环。边缘环具有环形主体。边缘环主体具有顶表面和底表面。销孔从顶表面延伸穿过边缘环主体到底表面。遮蔽环具有环形主体。遮蔽环主体具有上表面和下表面。孔座形成在所述下表面上，其中所述遮蔽环主体中的所述孔座与所述边缘环主体中的所述销孔对准。
用于极端边缘保护

[实用新型]一种低泄漏生物密闭蝶阀-CN202121577678.8有效
发明人：朱吉胜;周彬;杨智勇 -专利权人：阿尔肯阀门有限公司
申请日： 2021-07-12 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： F16K1/226 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低泄漏生物密闭蝶阀，所述低泄漏生物密闭蝶阀包括：阀杆和阀板，所述阀板与阀杆一侧相连接，所述阀杆能带动阀板翻转，所述低泄漏生物密闭蝶阀还包括环板，所述环板设置于所述阀板远离阀杆一侧，所述阀板边缘设置有环台，所述环板设置有环槽，所述环槽沿环板边缘设置一周，所述环槽与环台相配合，使所述环板固定于阀板边缘处。由于在实际使用中边缘处承受压力较大，且阀板翻转会增加边缘处的损坏，所述环槽与环台相配合进行固定，使所述环板固定于阀板边缘处，所述能够增加阀板边缘处的厚度，能够防止阀板边缘处发生泄漏。
一种泄漏生物密闭

[发明专利]刻蚀装置-CN202110214350.8有效
发明人：刘佳;章诗;张天翼;蒋小波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种刻蚀装置，包括：晶片承载结构；以及边缘环组件，围绕晶片承载结构的外周边缘且与所述晶片承载结构之间有间距，其中，边缘环组件包括：插入环、支撑环以及滑动环，插入环位于支撑环上，滑动环与插入环固定连接，用于调节插入环与支撑环之间的距离，插入环具有主体部与石英端，石英端靠近晶片承载结构。该刻蚀装置通过在插入环靠近晶片承载结构的一端设置石英端，改善在刻蚀工艺中由边缘环组件产生的颗粒对晶片边缘的影响。
刻蚀装置

[发明专利]边缘环及其更换方法、基片支承台和等离子体处理系统-CN202110264471.3在审
发明人：辻本宏;桑原有生;李黎夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种边缘环、基片支承台、等离子体处理系统和边缘环的更换方法，其具有：载置基片的基片载置面；载置边缘环的环载置面，其中所述边缘环以包围被载置于所述基片载置面的基片的方式配置；和用于将所述边缘环通过静电力来吸附并保持于所述环载置面的电极，所述边缘环在与所述环载置面相对的面粘贴有传热片，且经由该传热片载置于所述环载置面，所述传热片在与所述环载置面相对的面形成有导电膜，所述边缘环通过借助由所述电极形成的静电力来吸附被粘贴于该边缘环的所述传热片的所述导电膜，而被保持于所述环载置面。根据本发明，能够维持隔着传热片的边缘环与基片支承台之间的热传导性的同时，提高传热片从基片支承台剥离的剥离性。
边缘及其更换方法支承等离子体处理系统

[发明专利]用于在等离子体处理腔室中的基板支撑件的边缘环组件-CN201910519152.5在审
发明人： H·诺巴卡施;A·侯赛因;R·若林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。
用于等离子体处理中的支撑边缘组件

[实用新型]用于在等离子体处理腔室中的基板支撑件的边缘环组件-CN201920901163.5有效
发明人： H·诺巴卡施;A·侯赛因;R·若林 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件，所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻，诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽，其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽，其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或多个硅环和/或绝缘环定位为与所述边缘环组件相邻。
边缘环组件基部静电吸盘边缘环电极基板支撑件处理腔室内凹槽外凹槽等离子体鞘层电极定位基板边缘绝缘环唇缘硅环夹持外部延伸

[发明专利]用于边缘环损耗补偿的系统和方法-CN201880078749.4在审
发明人：汤姆·A·坎普;卡洛斯·利尔-韦尔杜戈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种用于调整衬底处理系统中的边缘环的高度的控制器包含：边缘环损耗计算模块，其被配置以接收至少一个输入，其指示所述边缘环的一或更多个侵蚀速率，基于所述至少一个输入来计算所述边缘环的至少一个侵蚀速率，并且基于所述至少一个侵蚀速率来计算所述边缘环的侵蚀量致动器控制模块被配置以基于由所述边缘环损耗计算模块所计算出的侵蚀量，调整所述边缘环的高度。
用于边缘损耗补偿系统方法

[发明专利]衬底处理系统中的中环腐蚀补偿-CN202080098961.4在审
发明人：韩慧玲;施萨拉曼·拉马钱德兰 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-23 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：第一边缘环被设置在所述衬底支撑组件周围。所述第一边缘环能相对于所述衬底支撑组件移动。第二边缘环被设置在所述衬底支撑组件周围并且位于所述第一边缘环下方。控制器被配置为基于所述第一边缘环和所述第二边缘环的腐蚀补偿所述第一边缘环的高度。
衬底处理系统中的腐蚀补偿

[实用新型]一种平衡支撑鞋垫-CN202120754412.X有效
发明人：蔡志雄 -专利权人：晋江森大鞋材有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： B32B5/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种平衡支撑鞋垫，其结构包括鞋垫主体、导湿纤维、脚掌边缘支撑环、足弓支撑部、脚跟边缘支撑环，所述鞋垫主体的前部设置脚掌边缘支撑环，所述脚掌边缘支撑环通过胶水与鞋垫主体粘接，在脚掌部的边缘处设置硬度比较大的支撑环，保证了脚掌部的支撑性能，设置脚掌边缘支撑环、足弓支撑部、脚跟边缘支撑环，提高了足部的包裹性和使用的舒适性，脚跟边缘支撑环采用硬度比较软的橡胶，可以保证舒适性的同时，对稍微偏大或者稍微偏小的脚掌同样具有一定的支撑性和保证一定的舒适性
一种平衡支撑鞋垫

[发明专利]基片处理系统和更换边缘环的方法-CN202011077814.7在审
发明人：林大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够选择性地更换构成边缘环的两个环中的一者或两者的基片处理系统和更换边缘环的方法。例示的实施方式的基片处理系统包括处理单元、输送臂和更换单元。在处理单元中利用至少一个升降机构将边缘环从基片支承器升起。边缘环包括第一环和第二环。用输送臂在处理单元与更换单元之间输送边缘环。在更换单元中，边缘环的第一环和第二环中的一者或两者能够被替换为更换零件，从而能够准备已更换的边缘环。用输送臂在更换单元与处理单元之间输送已更换的蚀刻环。
处理系统更换边缘方法

[发明专利]静电吸附装置-CN201210552260.0无效
发明人：郑玮斌;王健;詹智健;吴长明 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电吸附装置，包括静电吸附盘、隔绝环、热边缘环、硅片及接地环，其中静电吸附盘的外周有一环形凹槽，隔绝环设置在静电吸附盘的环形凹槽上，热边缘环设置在隔绝环上方，接地环与热边缘环相连接，硅片设置在静电吸附盘的顶部，硅片的边缘架设在热边缘环上，高热边缘环的高度高于硅片的高度。
静电吸附装置

[实用新型]刻蚀反应腔-CN201420147547.X有效
发明人：顾琛 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种刻蚀反应腔，包括静电吸附卡盘，设置于静电吸附卡盘边缘部分的边缘环和底座环，其中还包括了一气垫系统，所述气垫系统包括设置于底座环下方的气垫环和气动控制系统；所述气垫环在气动控制系统的控制下控制气垫环上方的底座环和边缘环的上下浮动这样在晶圆吸附在静电吸附卡盘上后调整边缘环和底座环的高度，使得边缘环与晶圆背面贴合，有效减少能有效减少由于晶圆边缘尖端放电现象引起的缺陷，提高产品的良率和器件的可靠性。
刻蚀反应

[发明专利]以太环网中边缘端口阻塞的方法、以太环网系统和设备-CN200810101860.9无效
发明人：杨晶晶 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2008-03-13 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H04L12/437 文献下载
摘要：本发明公开了一种以太环网中边缘端口阻塞的方法、以太环网系统和设备，属于通信领域。所述方法包括：边缘节点收到辅助边缘节点发送的主环故障通知报文后，检查边缘端口的个数；当边缘端口的个数为一个时，不阻塞所述边缘端口；当边缘端口的个数为多个时，从多个边缘端口中选择一个边缘端口不阻塞，将未被选中的边缘端口阻塞所述系统的边缘节点和辅助边缘节点。所述设备包括：主环故障检测模块和边缘端口阻塞模块。本发明当主环出现多点故障时，通过一个边缘端口不堵塞，而堵塞其它边缘端口，保证了业务流量的正常传输，并防止广播环路。
以太环网中边缘端口阻塞方法系统设备