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专利名称

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公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200910179133.9无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器和制造图像传感器的方法。图像传感器可包括第一像素。第一像素可包括第一光电二极管和第一读出电路。图像传感器可包括第二像素。第二像素可包括第二光电二极管和第二读出电路，所述第二像素可设置在第一像素的一侧。图像传感器可包括与第二驱动晶体管的阈值电压不同的第一驱动晶体管的阈值电压。制造图像传感器的方法可包括形成具有第一光电二极管和第一读出电路的第一像素，还可包括形成具有第二光电二极管和第二读出电路的第二像素，其中第一驱动晶体管的阈值电压与第二驱动晶体管的阈值电压不同。根据本发明的实施例，图像传感器的相对图像质量可得到最优化。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200910164921.0无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括：读出电路、互连件、第一图像感测器件以及第二图像感测器件。读出电路设置于第一衬底上。互连件包括位于所述第一衬底上并且电连接到所述读出电路的第一互连件和第二互连件。第一图像感测器件设置于所述第一互连件上方。第二图像感测器件设置于所述第一图像感测器件上方，并且电连接到所述第二互连件。本发明能够将暗电流源减到最小并且抑制饱和度的减小和灵敏度的下降。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200810190644.6无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法。在该图像传感器中，半导体衬底上形成有读出电路。包括下金属线的层间绝缘层位于半导体衬底上，下金属线与读出电路电连接。缓冲绝缘层位于层间绝缘层上。下电极贯穿缓冲绝缘层以与下金属线连接。结晶半导体层位于缓冲绝缘层上，结晶半导体层与下电极部分地连接。光电二极管位于结晶半导体层中。本发明的图像传感器可以增加填充因子并且减少在接合表面中产生的缺陷。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200710305923.8无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法，减少了浮置扩散区中电子损失的问题。CMOS图像传感器的制造方法包括在第一导电类型的半导体衬底上形成栅极。第二导电类型的第一扩散区形成在该半导体衬底内，其对准该栅极的一侧的边缘。间隔件可连接到该栅极的两个侧壁。第一导电类型的第二扩散层可形成在该第一扩散层内，在其中留下等于该间隔件宽度的距离。第二导电类型的第三扩散层可形成在该半导体衬底内，其对准该栅极的另一侧的边缘。第一导电类型的第四扩散层可形成在该第三扩散层上，而第一导电类型的第五扩散层可形成在该第三扩散层下。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200710305924.2无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种CMOS图像传感器及其制造方法，该CMOS图像传感器包括：外延层，形成在半导体衬底上方；栅电极，形成在外延层上方；栅极金属，形成在外延层的浮置扩散区上方；n+型源区和漏区，形成在外延层中；栅极间隔件，形成在栅电极和栅极金属的两侧壁上；绝缘夹层，形成在包括栅电极、栅极间隔件以及栅极金属层的外延层上方，绝缘夹层包括：第一接触孔，穿过绝缘夹层且暴露源区；第二接触孔，穿过绝缘夹层且暴露栅极金属；第一接触塞，形成在第一接触孔中并连接到源区；第二接触塞，形成在第二接触孔中并连接到栅极金属；以及金属线，形成在第一接触塞和第二接触塞上方，将源区电连接到栅极金属。本发明能够增加浮置扩散区(FD)的电容量。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN200710147161.3无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器。该图像传感器包括：衬底，在其上具有光电二极管；介电层，位于所述衬底上；钝化层，位于所述介电层上，将对应于第一滤色镜的区域中的介电层暴露出；和滤色层，位于暴露出的介电层和所述钝化层上。本发明的图像传感器可以增加输出比率比其它颜色低的颜色的输出。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN200710141189.6无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2007-08-13 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：第一导电类型半导体衬底，包含由器件隔离层界定的有源区；第二导电类型第一离子注入区，形成为有源区中的多个区域；第二导电类型第二离子注入区，连接第二导电类型第一离子注入区的多个区域；以及第一导电类型离子注入区，形成于第二导电类型第二离子注入区上。可以很深地在衬底中形成第二导电类型第一离子注入区的多个区域。第二导电类型第二离子注入区可以在衬底中形成在第一离子注入区的上部区域、第一离子注入区的中部区域或者第一离子注入区的下部区域。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610169068.8无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底；光电二极管区和浮置扩散区，形成在所述半导体衬底上；晶体管，形成在所述光电二极管区与所述浮置扩散区之间；隔离层，形成在所述晶体管的下侧；以及沟道区，形成在所述晶体管与所述隔离层之间。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器-CN200610170120.1无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其包括用于吸收光的光电二极管、转移晶体管(Tx)、复位晶体管(Rx)、驱动晶体管(Dx)和选择晶体管(Sx)。CMOS图像传感器包括转移晶体管(Tx)和复位晶体管(Rx)之间的浮置扩散区。驱动晶体管(Dx)的栅极利用多晶硅与该浮置扩散区相连接。
cmos 图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610170198.3无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器包括：光电二极管区，其形成在半导体衬底的有源区中；晶体管，其形成在该衬底的有源区的晶体管区上；低浓度扩散区，其形成在该光电二极管区上，并与该衬底的器件隔离区相间隔；高浓度扩散区，其形成在该低浓度扩散区上；以及浮置扩散区，其形成在该晶体管的漏极区中。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610170190.7无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，具有有源区和隔离区；光电二极管区和晶体管区，形成在该有源区上；栅极，形成在该晶体管区上，并具有第一高度和第二高度；以及扩散区，通过注入掺杂剂而形成在该光电二极管区和该晶体管区上。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器-CN200610170199.8无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器，包括指状转移晶体管的栅电极，以根据低亮度和高亮度控制浮置扩散区的饱和状态。该CMOS图像传感器包括第一光电二极管区和第二光电二极管区，用于响应光而产生电子；以及转移晶体管，其位于该第一光电二极管区和该第二光电二极管区之间，用于接收从该第一光电二极管区和/或该第二光电二极管区转移过来的电子。
cmos 图像传感器

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610171255.X无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，其内限定有光电二极管区和晶体管区；第一栅电极和第二栅电极，该第一栅电极和该第二栅电极形成于该半导体衬底的光电二极管区上，且栅绝缘层夹在该半导体衬底的光电二极管区与该第一栅电极和该第二栅电极之间，并且该第一栅电极和该第二栅电极彼此之间具有预定间隔；第一导电型扩散区，其形成于该第一栅电极的两侧的光电二极管区以及该第二栅电极的两侧的光电二极管区中；侧壁绝缘层，其形成于该第一栅电极的两侧面和该第二栅电极的两侧面上；以及浮置扩散区，其形成于该晶体管区中。
cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法-CN200610170171.4无效
发明人： 任劲赫 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-25 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器包括：栅电极，其通过将栅极绝缘层夹在该栅电极与第一导电半导体衬底的有源区之间而在该第一导电性半导体衬底的有源区上形成，该半导体衬底上限定光电二极管区和晶体管区；低密度第二导电扩散区，其在该栅电极的第一侧的光电二极管区上形成；高密度第二导电扩散区，其在该栅电极的第二侧的晶体管区上形成；绝缘层，其在该栅电极的两侧的半导体衬底上形成，并且厚度比该栅电极的厚度小；以及绝缘层侧壁，其在该栅电极的两侧形成。
cmos 图像传感器及其制造方法

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