“超浅结”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果322175个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于产生SiC超结器件的方法-CN202310261510.3在审
发明人： A·R·斯蒂格纳;M·杰利內克;J·P·康拉斯;H-J·舒尔茨 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及用于产生SiC超结器件的方法。公开一种方法，该方法包括：测量SiC超结器件的超结区的至少一个特性，其中，所述超结区布置在半导体本体中并且包括第一掺杂类型的多个第一区和与所述第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二区；以及在掺杂过程中在超结区中产生一种掺杂类型的类掺杂剂缺陷掺杂过程包括：注入过程，其中，将粒子注入到半导体本体中以在超结区中的半导体本体中形成晶体缺陷；以及退火过程，以便基于晶体缺陷形成类掺杂剂缺陷。
用于产生 sic 器件方法

[实用新型]一种双向电子开关-CN202122866018.8有效
发明人：黃宇隆;郭志華;譚穎珊;何偉業;胡建權 -专利权人：芯南科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种双向电子开关，包括：半导体组件，所述半导体组件包括两个超结金氧半场效晶体管；所述两个超结金氧半场效晶体管的源极相互电连接，以形成第一端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的漏区相互形成一对开关，以形成第二端口；所述两个超结金氧半场效晶体管的栅区相互电连接，形成第三端口；所述两个超结金氧半场效晶体管均为横向方向设置或均为垂直方向设置；所述两个超结金氧半场效晶体管之间的导电柱呈锯齿形设置。
一种双向电子开关

[发明专利]一种太阳电池以及制作方法-CN202110297175.3有效
发明人：张策;朱鸿根;郭文辉;吴志明;张雷;翁妹芝;吴真龙 -专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了的一种太阳电池以及制作方法，层叠的多个子电池以及位于相邻子电池之间的隧穿结结构，所述隧穿结结构包括层叠的第一超晶格层、隧穿结层以及第二超晶格层，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻子电池中，进而避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，有助于维持所述隧穿结层高掺杂的特点，使得隧穿结层的隧穿效果好，隧穿电流大，满足大电流输运需求。并且，所述第一超晶格层和所述第二超晶格层能够有效抑制所述隧穿结层中的掺杂离子扩散到相邻的子电池中，还能够避免所述隧穿结层的掺杂浓度降低，进而避免所述隧穿结层对所述太阳电池开路电压的损耗增大。
一种太阳电池以及制作方法

[发明专利]一种超白低碘值硬脂酸及其生产装置和生产方法-CN202110912954.X在审
发明人：马庆磊 -专利权人：铁岭金铎科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C11C1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种超白低碘值硬脂酸及其生产装置和生产方法，涉及油脂精炼技术领域。本发明提供的超白低碘值硬脂酸生产装置，包括依次连通的脱水塔、蒸发塔、精馏塔、第一硬脂酸塔和第二硬脂酸塔；本发明利用第一硬脂酸塔蒸发除去前馏分后，将易氧化组分进入第二硬脂酸塔精馏脱色，生产出的硬脂酸成品颜色极浅，经过结片后不易溶化，颜色极白。
一种超白低碘值硬脂及其生产装置方法

[实用新型]一种超白低碘值硬脂酸生产装置-CN202121862892.8有效
发明人：马庆磊 -专利权人：铁岭金铎科技股份有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： C11C1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种超白低碘值硬脂酸生产装置，涉及油脂精炼技术领域。本实用新型提供的超白低碘值硬脂酸生产装置，包括依次连通的脱水塔、蒸发塔、精馏塔、第一硬脂酸塔和第二硬脂酸塔；本实用新型利用第一硬脂酸塔蒸发除去前馏分后，将易氧化组分进入第二硬脂酸塔精馏脱色，生产出的硬脂酸成品颜色极浅，经过结片后不易溶化，颜色极白。
一种超白低碘值硬脂生产装置

[实用新型]一种高压超结MOSFET结构-CN202022247870.2有效
发明人：张艳旺;钱振华 -专利权人：无锡橙芯微电子科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高压超结MOSFET结构，其包括N+衬底；超结区，超结区位于所述N+衬底上面；所述超结区包括第一P柱；N柱，N柱位于所述第一P柱外侧；第二P柱，第二P柱位于所述N柱外侧；本实用新型中的高压超结MOSFET结构是在Poly gate(多晶栅极)中间下面设置有数个PNPNPN交替出现的pillar(柱子)，实现了在不改变现有工艺以及其它参数几乎不变的情况下，使SJMOS(超级结金属氧化物半导体)
一种高压 mosfet 结构

[发明专利]MOS晶体管及其制作方法-CN201510056720.4在审
发明人：王文博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：该制作方法包括：在衬底上形成栅极结构，且在栅极结构的两侧侧壁上形成第一侧壁层；对位于栅极结构两侧的衬底进行低能离子注入以及第一次退火处理，形成源漏区；去除第一侧壁层，且以及对位于栅极结构两侧的衬底进一步进行浅掺杂离子注入以及第二次退火处理从而使得源漏注入的热预算不会作用于LDD区，进而在所形成的MOS晶体管中形成有效超浅结；同时，由于形成源漏区的工艺为低能离子注入，从而减少了由于注入离子穿透栅极结构进入导电沟道产生的散点。
mos 晶体管及其制作方法

[发明专利]一种横向集成SOI半导体功率器件-CN201310421629.9有效
发明人：乔明;李燕妃;胡利志;吴文杰;许琬;蔡林希;陈涛;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-16 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种具有n+埋层的横向集成的准超结SOI半导体功率器件。所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS设置在SOI层上，高压nLDMOS设置在高压pLDMOS和低压CMOS之间；其特征在于，所述高压pLDMOS、高压nLDMOS和低压CMOS之间通过浅槽介质隔离区和层间介质相互隔离，所述层间介质与埋氧层的上表面连接，浅槽介质隔离区设置在层间介质上表面。
一种横向集成 soi 半导体功率器件

[发明专利]一种高雪崩耐量的超结DMOS器件-CN201710425818.1有效
发明人：任敏;罗蕾;谢驰;林育赐;李佳驹;李泽宏;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种高雪崩耐量的超结DMOS器件。本发明提供一种高雪崩耐量的超结DMOS器件，在现有超结DMOS器件中，通过改变超结结构第一导电类型掺杂柱区的掺杂浓度来固定超结DMOS器件的雪崩击穿点，具体的为降低超结结构第一导电类型掺杂柱区上部的掺杂浓度，使第二导电类型半导体体区附近的电场降低，并且降低超结结构第一导电类型掺杂柱下部的掺杂浓度，使第二导电类型掺杂柱区底部的电场增加。最终使得雪崩击穿电流路径避开寄生BJT的基区电阻，在超结DMOS器件发生雪崩击穿时，有效避免寄生三极管的开启，从而提高超结DMOS器件在非箝位电感负载应用中的可靠性(即抗UIS失效能力)。
一种雪崩 dmos 器件

[发明专利]一种N型硅片P++结构的制作工艺-CN202110852908.5在审
发明人：欧文凯;董思敏;向亮睿 -专利权人：普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型硅片P++结构的制作工艺，采用台阶状分段升降温进行两次扩散，先在较低温度进行低温恒温第一次扩散，使硼原子均匀分布在硅片表面；而后升温并高温无氧推进，在硅片表面生成浅结轻掺杂区后，降温再进行低温第二次扩散，在硅片表面形成均匀的富硼层；通过激光SE在表面进行重掺杂，最后清洗硅表面，形成最终PN结，该PN结在SE区域为深结重掺杂，非SE区域为浅结轻掺杂；通过该制作工艺能达到降低硼源耗量、提升电性的收集效果的作用
一种硅片结构制作工艺

[发明专利]评估超结结构电荷平衡的超结MIS结构及测试方法-CN202211048938.1在审
发明人：李轩;王常旺;娄谦;李凌峰;邓小川;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种评估超结结构电荷平衡的超结MIS结构及测试方法，包括衬底背面铝薄膜、硅N+型衬底、超结N区、超结P区、氧化硅薄膜、铝薄膜，包括步骤：(1)在N+硅衬底片上制备超结结构，然后在超结结构表面生长氧化硅薄膜，接着在氧化硅薄膜表面溅射一层金属薄膜，同时在N+衬底背面也溅射一层金属薄膜，进而制备得到用于电学测试的超结MIS结构器件；(2)在低频或高频条件下测试超结MIS结构的C‑V特性曲线；(3)根据测试的C‑V特性曲线与电荷平衡状态下理论的C‑V特性曲线做对比，对超结结构是否达到电荷平衡进行判定。利用本发明可判断超结结构的电荷平衡情况与N/P区具体的非平衡度，该判断方法简单且有效。
评估结构电荷平衡 mis 测试方法

[发明专利]具有超浅结延伸区的MOS装置的制造方法-CN01123214.5有效
发明人：赖汉昭;卢道政;林宏穗 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-07-17 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超浅结延伸区的MOS装置的制造方法。本方法首先先在一半导体基板上形成至少一栅极。然后进行一第一离子注入工艺，用以在栅极下方的半导体基底中形成一袋状(pocket)掺杂区。
具有超浅结延伸 mos 装置制造方法

[实用新型]一种浅沟道超结MOS半导体功率器件-CN202022095236.1有效
发明人：陈利;陈译;陈彬 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浅沟道超结MOS半导体功率器件，该器件包括：N型重掺杂衬底，在N型重掺杂衬底上的N型轻掺杂漂移区，在N型轻掺杂漂移区上的N型重掺杂区和P型阱区，该N型重掺杂区设置在P型阱区中间，在P该器件通过N型轻掺杂区可以有效地减小栅沟道的比导通电阻，通过超结结构可以提高该器件的开关速度。
一种沟道 mos 半导体功率器件

[发明专利]一种在硅纳米线上制备径向p-n结太阳电池的方法-CN201310395014.3无效
发明人：董刚强;刘丰珍 -专利权人：中国科学院大学
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种在硅纳米线上制备径向p-n结太阳电池的方法，属于光伏和半导体器件制造技术领域。首先将清洗好的带有纳米线的p型硅片放入稀释的氢氟酸溶液中去除表面的氧化层；然后，将样品放入热丝化学气相沉积腔体内，在设定温度下，预烘烤衬底，点亮热丝后，通入氢气稀释的磷烷气体，对样品进行低温浅结掺杂，在纳米线上形成径向p-n结；最后，沉积透明导电薄层，制备上下电极，完成纳米线径向p-n结太阳电池的制备。该方法能够实现低温浅结掺杂，制备的纳米线径向p-n结太阳电池增强了电池在短波波段的光谱响应，提高了太阳电池的短路电流。在光伏、半导体、微电子等领域有着广泛的应用价值。
一种纳米线上制备径向太阳电池方法

[发明专利]超结结构及其制造方法-CN201810695464.7有效
发明人：赵龙杰 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结结构，超结结构由多个交替排列的N型柱和P型柱组成，P型柱由填充于超结沟槽中的P型材料组成，超结沟槽形成于N型外延层中。超结沟槽由底部沟槽和顶部沟槽叠加而成。整个超结沟槽呈中间窄的收腰型结构，底部沟槽使超结沟槽的底部宽度增加，增加对N型柱底部的耗尽，提高超结结构的击穿电压范围。本发明还公开了一种超结结构的制造方法。
结构及其制造方法