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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种量子通信系统-CN201610949646.3在审
发明人：邵玉君 -专利权人：章美前
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H04B10/70 文献下载
摘要：量子信息载体包括光子等玻色子以及光微子等费米型超伴子，电子等费米子以及电子超伴子等粒子。传递信道系统包括但不限于巴拿赫空间和希尔伯特空间。物理信道系统包括但不限于光纤传输系统。
一种量子通信系统

[发明专利]基于量子超弦引擎的中晚期癌症治疗设备-CN201610265086.X在审
发明人：聂敏;贾娜;宗时春;杨光;王林飞;任杰;许敏 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2016-04-26 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： A61N5/00 文献下载
摘要：治疗面板4、超生子治疗探头5、体征传感器6，环境传感器7，监控模块8，显示模块9，治疗舱外壳10；中央控制器3控制超弦发生器产生玻色子弦位置坐标，玻色子弦通过治疗面板4传输到人体，使玻色子弦与人体癌细胞上的费米子弦进行作用，产生费米子弦的位置变化，破坏纺锤丝结构，从而抑制癌细胞的有丝分裂；中央控制器控制超声子共振器产生超声子本征势能，超声子通过治疗探头传输到人体，并通过超声子共振作用，使电子极性被扰乱，导致癌细胞供血血管萎缩
基于量子引擎中晚期癌症治疗设备

[发明专利]一种基于多层石墨烯的双焦点与长焦深超透镜-CN201910296643.8在审
发明人：陈明;高文文;刘厚权;陈晨;张文波;赵德平;王崇云 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2019-04-14 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： G02B3/02 文献下载
摘要：所述的多层石墨烯在红外波段下的表面电导率受费米能级影响较高，可通过调节费米能级提供附加相位从而改变聚焦位置形成长焦深，而在可见光波段则具有较高的透射率形成双焦点，从而得到具有透射和反射双功能的超透镜。
透镜多层石墨烯长焦深双焦点透射和反射双功能改变聚焦位置能级表面电导率可见光波段偶极子阵列动态可调费米能级红外波段聚焦功能超宽带调节柱高效率介质层偶极子入射光透射率波长波段基底柱状传输响应

[发明专利]半导体层堆叠及其制造方法-CN201980049404.0在审
发明人： A·施特里马特;A·达加尔 -专利权人：奥托·冯·格里克马格德堡大学;阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体层堆叠、由其组成的构件和构件模块，以及一种制造方法，其中，所述半导体层堆叠的特征在于至少两个层(A，B)，所述至少两个层作为单层分别具有半导体带隙(104、105)中如下费米能级(103)的能量位置：对于所述层(A)适用公式(I)，对于所述层(B)适用公式(II)，其中，EF是所述费米能级(103)的能量位置，EV
半导体堆叠及其制造方法

[发明专利]基于椭圆环形镂空石墨烯的宽带效率可调超透镜-CN202310620400.1在审
发明人：肖功利;张家荣;杨宏艳;陈佳宇;李苗;陈康;陈赞辉;刘兴鹏;王阳培华;孙堂友;李海鸥 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：离子凝胶层和金属电极用于对石墨烯费米能级的统一调控，通过调节费米能级(0.6～1eV)，可以在宽频带内(4.9～5.3THZ)实现超透镜聚焦效率的动态调控。
基于椭圆环形镂空石墨宽带效率可调透镜

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN201410488417.7有效
发明人：孟航;李冰华;江兴川;林信南 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法-CN201110026949.5有效
发明人：李志强;郭岳;安霞;云全新;黄英龙;黄如;张兴 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过此方法，可以减弱费米能级顶扎效应，使费米能级靠近锗的导带位置，使电子势垒降低，从而改善锗基肖特基晶体管的电流开关比，提高NMOS器件的性能。
一种锗基肖特基场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种三层结构的掺钼TiO₂光催化薄膜及其制备方法-CN201210350730.5有效
发明人：沈杰;罗胜耘;颜秉熙 -专利权人：复旦大学
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： B01J23/28 文献下载
摘要：本发明以钼的掺杂浓度来控制各层的费米能级，利用层与层间的费米能级差在薄膜内植入了多个可调制的内建电场，实现了高浓度掺杂半导体在可见光下大量电子-空穴对的迅速分离，最终得到在可见与紫外波段光催化性能优异的薄膜
一种三层结构 tio sub 光催化薄膜及其制备方法

[发明专利]一种基于多层石墨烯环层的可调控二维光学隐身斗篷-CN201710062121.2有效
发明人：曹暾 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： A41D3/08 文献下载
摘要：该可调控二维光学隐身斗篷是将石墨烯环层以x‑y水平面中心为轴，在x、y轴线方向逐层延拓形成，通过控制不同环层中石墨烯的费米能级分布，可以使每层对应不同的介电常数和磁导率系数，获得光学隐身所需的二维介电常数和磁导率系数分布同时，通过循环控制每个石墨烯环层中费米能级分布改变石墨烯的介电常数及表面电阻率，实现光学隐身斗篷的实时开/关性能，从而克服了二维光学隐身斗篷不能循环开关的缺点。
一种基于多层石墨烯环层调控二维光学隐身斗篷

[发明专利]具有调制器和慢光功能的太赫兹超材料-CN201810037414.X有效
发明人：刘晨曦;刘培国;查淞;周奇辉;卞立安;刘翰青 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明提供了具有调制器和慢光功能的太赫兹超材料，包括金属电极以及超材料本体，所述超材料本体由带绝缘层的衬底以及设置在衬底其绝缘层上的金属谐振单元和石墨烯条组成，通过金属电极对超材料本体外加偏压进而调节石墨烯费米能级能够实现太赫兹电磁波透过率以及慢光效应的调控同时，利用类电磁诱导透明产生的强色散特性，产生电磁波群延时，实现慢光功能，并能够通过外加偏压改变石墨烯的费米能级对慢光效应进行调控。
超材料石墨烯慢光绝缘层费米能级金属电极慢光效应电磁波调制器衬底频点调制调控电磁诱导透明金属谐振空间调制色散特性太赫兹波谐振结构群延时透过率互耦明暗透波噪声透明

[发明专利]基于香豆素7的全聚合物太阳能电池活性层形貌调节方法-CN202110993625.2有效
发明人：陶斯禄;张倩;杜晓扬;李馨蕊;曹璐晔 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：经C7形貌调节层调节后的活性层中含有渗透的C7，活性层表面得以优化的同时电荷传输能力也得以提升，并且降低了给受体之间接触势垒，活性层的表面费米能级差值由700ev降低至180ev，给受体之间降低的费米能级有利于获得高的短路电流
基于香豆素聚合物太阳能电池活性形貌调节方法

[发明专利]斜入射光在石墨烯薄层包裹颗粒表面产生可调谐非梯度光学力的方法-CN201510430995.X有效
发明人：曹暾 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： G02B21/32 文献下载
摘要：一种斜入射光在石墨烯薄层包裹颗粒表面产生可调谐非梯度光学力的方法，破坏多石墨烯薄层包裹微粒周围的玻印亭矢量的对称分布，使石墨烯薄层包裹微粒上的总玻印亭矢量不为零，产生非梯度光学力；然后，通过改变石墨烯的费米能级其中，通过改变外加电场、温度、注入光强、和石墨烯的厚度等方式改变石墨烯的费米能级，进而改变石墨烯的介电系数及电导率。
入射石墨薄层包裹颗粒表面产生调谐梯度学力方法

[发明专利]线偏振非平面光波在包裹石墨烯薄层的微粒上产生可调谐非梯度光学力的方法-CN201510442566.4有效
发明人：曹暾 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G02B21/32 文献下载
摘要：通过改变石墨烯的费米能级分布，改变包裹石墨烯薄层微粒上的总玻印亭矢量的方向和大小，进而改变总玻印亭矢量作用在包裹石墨烯薄层微粒上的非梯度光学力的方向和大小，来调控包裹石墨烯薄层微粒在入射光场中的运动轨迹通过改变外加电场、温度、注入光强和石墨烯的厚度等方式改变石墨烯的费米能级分布，进而改变石墨烯的介电系数及电导率。
偏振平面光波包裹石墨薄层微粒产生调谐梯度学力方法

[发明专利]半浮栅存储器及其制造方法-CN202110321983.9有效
发明人：张卫;朱宝;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：设于所述衬底；第一半导体，设于所述衬底并邻接所述隧穿层，且与所述隧穿层平行，所述第一半导体与所述衬底构成二极管结构；第二半导体，覆盖所述隧穿层和所述第一半导体；所述衬底、所述第一半导体和所述第二半导体的费米能级依次降低本发明通过第一半导体与衬底构成二极管结构，加快数据的写入，实现了快速存储功能，并且由于衬底、第一半导体和第二半导体的费米能级依次降低，进一步加快存储速度的同时增加了数据的保存时间。
半浮栅存储器及其制造方法

[发明专利]二极管结构及其制备方法-CN201811542384.4有效
发明人：陈晓亮;陈天;钱忠健;金兴成;于绍欣 -专利权人：无锡华润微电子有限公司
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本申请涉及二极管结构及其制备方法，该二极管结构包括半导体衬底；阱区，具有第一导电类型，形成于半导体衬底内；栅区，包括形成于部分阱区上的栅氧层和形成于栅氧层上的多晶硅栅层，多晶硅栅层具有第二导电类型，多晶硅栅层的费米能级与半导体衬底的禁带中心的能带距离小于或等于通过控制多晶硅栅层的功函数，使其费米能级位于半导体衬底禁带中心附近，减小多晶硅栅层与其下方阱区的功函数差，降低两者之间的接触电势，可解决漏电流、耐压不稳定等问题。
二极管结构及其制备方法

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