专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]谐振结构、射频系统和电子设备-CN202310898020.4在审
  • 张子炎 - 荣耀终端有限公司
  • 2023-07-21 - 2023-08-29 - H03H7/01
  • 本申请提供了一种谐振结构、射频系统和电子设备,涉及通信技术领域,该谐振结构至少包括第一谐振结构,第一谐振结构包括至少三级谐振网络,至少三级谐振网络中的各级谐振网络通过串联和/或并联进行电连接;各级谐振网络之间相互影响,使第一谐振结构的频点和频点深度,与各级谐振网络中的至少一级谐振网络的频点和频点深度不同。该谐振结构通过多级谐振网络相互嵌套,创造了一种非串行结构谐振叠加方式,从而通过多级谐振网络之间相互影响,实现了谐振结构通带内的插损可以不随谐振频点的增加而增加,且谐振结构能够在特定频点形成多频点谐振
  • 谐振结构射频系统电子设备
  • [发明专利]一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构-CN201210338761.9有效
  • 温家良;王秀环;李跃;周军川;张堃 - 国网智能电网研究院;国家电网公司
  • 2012-09-13 - 2013-01-30 - H02J3/38
  • 本发明涉及一种利用谐振环节配置直流输电主电路结构,包括单极运行结构和双极运行结构;单极运行结构和双极运行结构均包括谐振环节和整流环节;谐振环节包括谐振升压环节和谐振降压环节;谐振升压环节与整流环节连接后和谐振降压环节通过直流电缆或直流输电线路连接;谐振升压环节、整流环节和谐振降压环节构成直流输电单极运行方式和双极运行方式;谐振升压环节和整流环节连接后的结构包括单一谐振升压结构谐振升压串联结构谐振升压并联结构谐振降压环节包括单一谐振降压结构谐振串联降压结构谐振并联降压结构。本发明利用谐振环节的串并联技术灵活配置直流输电主电路结构,解决目前新能源并网系统中DC/DC环节造价高及设计困难的问题。
  • 一种利用谐振环节配置直流输电电路结构
  • [发明专利]高频感应-低频检测的洛伦兹力式微型磁力计及制备方法-CN202310202929.1在审
  • 梁亨茂;胡振业;于俊伟;张俊明 - 华南农业大学
  • 2023-03-03 - 2023-05-09 - G01R33/06
  • 本发明公开一种高频感应‑低频检测的洛伦兹力式微型磁力计及制备方法,该磁力计包括高频谐振组件、低频谐振组件以及两组件间的耦合梁;所述高频谐振组件包括驱动电极、高频谐振结构、绝缘层以及金属线圈;所述驱动电极设置在高频谐振结构与衬底片之间;所述低频谐振组件包括感应电极和低频谐振结构;所述高频谐振结构谐振频率与低频谐振结构谐振频率成整数比且大于等于2:1。本发明具有谐振频率比大于等于2:1的高频谐振结构与低频谐振结构形成的内共振耦合谐振系统,其中洛伦兹力式磁场感应结构置于高频谐振结构上,而检测输出结构置于低频谐振结构上,同时高频谐振结构采用静电驱动和洛伦兹力驱动相结合
  • 高频感应低频检测洛伦兹力式微磁力计制备方法
  • [发明专利]一种具有对称式谐振振子结构的微机械谐振器及调节方法-CN202310517385.8在审
  • 吴国强;华兆敏;肖宇豪;朱科文;韩金钊;李灿 - 武汉大学
  • 2023-05-06 - 2023-10-20 - H03H9/17
  • 本发明涉及谐振器技术,具体涉及一种具有对称式谐振振子结构的微机械谐振器及调节方法,该微机械谐振器包括衬底硅片、谐振结构;衬底硅片正面具有空腔结构谐振结构包含谐振振子、支撑梁结构和锚点结构谐振振子通过支撑梁结构与锚点结构连接,锚点结构与衬底硅片连接,且谐振振子、支撑梁结构和锚点结构均悬空于衬底空腔上方;衬底硅片正面的空腔结构位置分别与谐振谐振振子、支撑梁结构和锚点结构相对应;谐振振子位于支撑梁两侧,以支撑梁为中心,形成轴对称式的一组或多组该微机械谐振器优化了微机械谐振器的结构,减小了微机械谐振器的锚点损耗,提高了器件的Q值;同时通过设计电极布局实现可调的激励和检测方式。
  • 一种具有对称谐振结构微机谐振器调节方法
  • [实用新型]基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器-CN201120410530.5有效
  • 贺训军;王玥;齐迹;梅金硕;王建民;殷景华;桂太龙 - 哈尔滨理工大学
  • 2011-10-25 - 2012-05-30 - H01Q17/00
  • 基于分形结构多带极化不敏感太赫兹超材料吸收器,属于电磁器件领域,本实用新型为解决现有的太赫兹超材料吸收器存在电磁波极化敏感和吸收带宽窄的问题。本实用新型包括衬底、下金属地板层、绝缘介质层和上金属层,衬底上依次设置下金属地板层、绝缘介质层和上金属层,所述上金属层由主谐振结构、次谐振结构和第三谐振结构构成,主谐振结构为十字交叉结构的偶极子,在主谐振结构的偶极子的每个末端均设置有一个次谐振结构,所述次谐振结构为十字交叉结构的偶极子,所述次谐振结构与主谐振结构为一体结构,在次谐振结构的三个外部末端均设置有一个第三谐振结构,所述第三谐振结构为十字交叉结构的偶极子,所述第三谐振结构与次谐振结构为一体结构
  • 基于结构极化敏感赫兹材料吸收
  • [发明专利]谐振结构、用于制作谐振结构的方法-CN202211141215.6有效
  • 请求不公布姓名 - 深圳新声半导体有限公司
  • 2022-09-20 - 2023-01-10 - H03H9/02
  • 本申请涉及谐振器技术领域,公开一种谐振结构,包括:压电层,位于顶电极结构和底电极结构之间;顶电极结构,与压电层连接,并使部分压电层暴露于顶电极结构外;底电极结构,与压电层连接,并使部分压电层暴露于底电极结构外;谐振载体,连接底电极结构和暴露于底电极结构外的压电层;使谐振载体、压电层、底电极结构围合形成空腔;空腔所处区域外不存在堆叠结构;堆叠结构为底电极结构谐振载体、顶电极结构、压电层相互重叠。这样,通过使空腔区域外不存在底电极结构谐振载体、顶电极结构、压电层相互重叠,能够减少具有该谐振结构的滤波器通带内波纹,使滤波器通带内平整。本申请还公开一种用于制作谐振结构的方法。
  • 谐振结构用于制作方法
  • [实用新型]一种微波调谐结构-CN202121022545.4有效
  • 童恩东;温世议;蔡永宏 - 大富科技(安徽)股份有限公司
  • 2021-05-13 - 2021-12-14 - H01P7/00
  • 一种微波调谐结构,包括:调谐结构主体、谐振腔盖板、谐振杆;调谐结构主体为一端开口的桶形结构体,调谐结构主体上端开口,谐振腔盖板覆盖上端开口,使得调谐结构主体内部形成密闭腔体;调谐结构主体底部包括向内部凸出的谐振杆基座,谐振杆的一端固定在谐振杆基座上,谐振杆的另一端包括谐振杆端面,谐振杆端面与谐振腔盖板相对,形成谐振间距;调谐结构主体底部包括易变形区域,易变形区域内圈环绕连接所述谐振杆基座,易变形区域外圈连接调谐结构主体桶形腔壁
  • 一种微波调谐结构
  • [发明专利]一种介质双工器-CN201980086100.1有效
  • 梁丹;张晓峰;赵国帅 - 华为技术有限公司
  • 2019-12-25 - 2022-05-31 - H01P1/20
  • 该介质双工器包括:介质本体,介质本体上设置有输入输出结构、抽头、第一谐振结构以及第二谐振结构,抽头、输入输出结构、第一谐振结构以及第二谐振结构均为在介质本体的表面上开设的腔体,抽头与输入输出结构开设在介质本体不同的表面上,抽头和输入输出结构位于第一谐振结构和第二谐振结构之间,第一谐振结构以及第一谐振结构周围的介质本体构成第一谐振器,第二谐振结构以及第二谐振结构周围的介质本体构成第二谐振器,输入输出结构、抽头、第一谐振结构以及第二谐振结构的表面覆盖导电层,介质本体的表面上除环绕输入输出结构的区域外均覆盖有导电层。
  • 一种介质双工器
  • [发明专利]一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器-CN202210956858.X有效
  • 张振;孙楷京;杨龙亮;范俊凤;马勇;潘武;冉佳;黄文;郝宏刚;李国军 - 重庆邮电大学
  • 2022-08-10 - 2023-05-09 - G02F1/01
  • 本发明公开了一种基于T型和E型超表面谐振结构的太赫兹调制器,涉及太赫兹波谐振点调制器领域,包括:谐振结构谐振结构包括双“T”型谐振结构以及双“E”型谐振结构,其中,双“T”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板上形成用于谐振的第一控制区域,双“E”型谐振结构沿介质基板的中心线镜面对称从而介质基板形成用于谐振的第二控制区域;调制开关,调制开关用于改变谐振点处太赫兹波的透射系数;其中,介质基板的表面附着有超材料结构层,介质基板、双“T”型谐振结构、双“E”型谐振结构以及调制开关均附着于超材料结构层。本发明可以同时产生两个谐振点,极大提高了太赫兹调制器多工作模式的丰富度,调制效果好。
  • 一种基于表面谐振结构赫兹调制器
  • [实用新型]一种耦合Ω型互补谐振微波传感器-CN201620381517.4有效
  • 谢正鹏;杨晶晶;黄铭 - 云南大学
  • 2016-04-29 - 2016-11-23 - G01N22/00
  • 本实用新型公开了一种耦合Ω型互补谐振微波传感器,包括Ω型互补金属贴片谐振结构和介质基板,所述Ω型互补金属贴片谐振结构设置于所述介质基板的上表面,所述Ω型互补金属贴片谐振结构为不相互嵌入、对称的开路谐振结构,其结构单元周期尺寸小于入射电磁波波长。所述Ω型互补金属贴片谐振结构为在铜金属片上打孔形成完全对称的耦合Ω型谐振结构。本实用新型采用开放的耦合Ω型互补金属贴片谐振结构构成谐振腔,并通过波导进行激发形成谐振,由于耦合Ω型互补金属贴片谐振结构等效为负介电常数材料,因此在形成谐振的同时,最大场强出现在耦合Ω型互补金属贴片的空白区域
  • 一种耦合互补谐振微波传感器

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