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[发明专利]一种抑制高温燃料电池阴极与电解质间界面反应的方法-CN201410380673.4有效
发明人：程谟杰;刘伟星;赵哲 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01M8/1213 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制固体氧化物燃料电池阴极与电解质间界面反应的方法，采用钙钛矿型复合氧化物与适量MO₂(M＝Ti,Nb,Ce,Ru,Sn)氧化物均匀混合构成复合阴极，将复合阴极直接烧结在电解质表面，利用MO₂氧化物容易与钙钛矿型氧化物反应形成对氧还原无有害影响的反应产物，从而抑制复合阴极中钙钛矿型氧化物与电解质反应及低电导率相的形成，提高电池性能。本发明可以有效地抑制钙钛矿型复合氧化物阴极与氧化锆基电解质间界面反应，将高性能的钙钛矿型复合氧化物阴极材料直接应用于氧化锆基电解质上，无需在电解质表面制备氧化铈基隔层，减少了电池制备工艺的复杂性，降低了电池制备成本
一种抑制高温燃料电池阴极电解质界面反应方法

[发明专利]一种交联富勒烯体异质结的钙钛矿型太阳能电池的制备方法-CN201511002181.2在审
发明人：廖良生;王照奎;李萌 -专利权人：苏州大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明提供一种交联富勒烯体异质结的钙钛矿型太阳能电池的制备方法，制备步骤如下：将甲基碘化铵、氯化铅、[6,6]-phenyl-C61-butyric styryl dendron ester溶于二甲基甲酰胺中制成30wt%的钙钛矿二甲基甲酰胺溶液；将PEDOT:PSS溶液加工在衬底基片上，形成固化的阳极修饰层；将钙钛矿二甲基甲酰胺溶液加工到阳极修饰层上，得到均匀固化的体异质结感光层；将[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯加工到体异质结感光层上，得到均匀的电子传输层；在电子传输层上加工阴极电极，即得交联富勒烯体异质结的钙钛矿型太阳能电池。本发明得到的钙钛矿型太阳能电池的能量转换效率高，光伏特性好。
一种交联富勒烯体异质结钙钛矿型太阳能电池制备方法

[发明专利]基于卤素钙钛矿-硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法-CN202110644498.5有效
发明人：张伶莉;申哲远;王先杰;胡君北;宋波 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料及光电位敏传感器的制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位敏传感器的响应速度较慢，位置灵敏度不高的问题。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料具有p‑n结结构，在n型硼掺杂硅基片上采用激光脉冲沉积有厚度为150～250nm的p型卤素钙钛矿溴化物层，其中所述的p型卤素钙钛矿溴化物为CsSnBr结表面镀有金电极制备传感器。本发明基于卤素钙钛矿‑硼掺杂硅的异质结材料的传感器位置敏感度高，光电响应速度快，其位置灵敏度最大在405nm波长、10mW功率的激光照射下，达到了880mV/mm。
基于卤素钙钛矿掺杂异质结材料电位传感器制备方法

[实用新型]一种钙钛矿/钙钛矿/硅-锗基三结叠层太阳能电池-CN202123058168.2有效
发明人：陈炜;胡晓东;蒋昭毅 -专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钙钛矿/钙钛矿/硅‑锗基三结叠层太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域，包括依次层叠的背电极、硅‑锗底电池、窄带隙钙钛矿电池、宽带隙钙钛矿电池和上电极，宽带隙钙钛矿顶电池、窄带隙钙钛矿电池和硅‑锗底电池串联设置，宽带隙钙钛矿电池与窄带隙钙钛矿电池通过第一隧穿结连接，窄带隙钙钛矿电池与硅‑锗底电池通过第二隧穿结连接。同时，钙钛矿太阳能电池成本低廉，硅‑锗底电池也具有本征稳定性强、价格低廉的特点，因此，本申请的钙钛矿/钙钛矿/硅‑锗三结叠层太阳能电池是一种理论效率极高，成本低廉，实用价值很高的新型光伏器件。
一种钙钛矿锗基三结叠层太阳能电池

[发明专利]一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN201910156062.4在审
发明人：况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;王书昶;张德宝;马玉龙;杨希峰;冯金福 -专利权人：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型硅纳米柱周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属背电极，n型硅纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，n型硅纳米柱和钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，n型单晶硅衬底的第一面及轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜引出导电电极与金属背电极对外供电。本发明还公开了一种钙钛矿硅基异质结太阳能电池的制备方法。本发明利用光子在纳米柱阵列中的多次折射散射提高器件太阳能波段的光子吸收效率，同时结合轴向异质结载流子收集效率高的特点，提高器件性能。
钙钛矿纳米柱衬底周期阵列结构硅基异质结太阳能电池异质结透明导电薄膜金属背电极表面设置轴向柱体制备载流子收集效率光子吸收效率纳米柱阵列导电电极器件性能上下对齐第二面结合轴波段散射光子太阳能折射供电

[发明专利]一种无铝的高效五结太阳能电池-CN201811344086.4在审
发明人：黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铝的高效五结太阳能电池，包括Ge衬底，Ge衬底为p型Ge单晶片；在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池；GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接，第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本发明可以提高宽带隙材料的子电池收集效率，增加短路电流，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
子电池钙钛矿隧道结太阳能电池缓冲层衬底电池光电转换效率节约生产成本衬底上表面宽带隙材料层状叠加短路电流收集效率依次设置单晶片

[实用新型]一种无铝的高效五结太阳能电池-CN201821870540.5有效
发明人：黄珊珊;张小宾;潘旭;黄辉廉;张露;刘建庆 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无铝的高效五结太阳能电池，包括Ge衬底，Ge衬底为p型Ge单晶片；在Ge衬底上表面按照层状叠加结构由下至上依次设置有GaInAs/GaInP缓冲层、GaInNAs子电池、GaInAs子电池、第一钙钛矿子电池、第二钙钛矿子电池；GaInAs/GaInP缓冲层和GaInNAs子电池之间通过第一隧道结连接，GaInNAs子电池和GaInAs子电池之间通过第二隧道结连接，所述GaInAs子电池和第一钙钛矿子电池之间通过第三隧道结连接，第一钙钛矿子电池和第二钙钛矿子电池之间通过第四隧道结连接。本实用新型可以提高宽带隙材料的子电池收集效率，增加短路电流，节约生产成本，最终发挥五结电池的优势，提高电池整体光电转换效率。
子电池钙钛矿隧道结本实用新型太阳能电池缓冲层衬底电池光电转换效率节约生产成本衬底上表面宽带隙材料层状叠加短路电流收集效率依次设置单晶片

[发明专利]一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池遂穿复合层及其制备方法-CN202211535447.X在审
发明人：王奇;李仁龙 -专利权人：泰州锦能光电有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池遂穿复合层及其制备方法，包括遂穿复合层本体，遂穿复合层本体设置在钙钛矿铜铟镓硒叠层电池的CIGS电池与钙钛矿电池之间；遂穿复合层本体包括依次设置的n型层、第一高阻层、n+型层、低阻层、p型层和界面钝化层，n型层与CIGS电池连接形成PN结，n+型层形成梯度分布的PN结，p型层通过界面钝化层与钙钛矿电池连接成为钙钛矿电池的空穴传输层。本发明在n+型层与p型层之间设置低阻层，防止n+型层与p型层形成反结；在p型层上设置界面钝化层；对n+型层表面进行表面处理，去除表面污染物；整体提升叠层电池的开路电压Voc和填充因子FF，提升叠层电池的整体性能
一种钙钛矿铜铟镓硒叠层电池复合及其制备方法

[发明专利]一种制备异质结型钙钛矿光电探测器的方法-CN202310289092.9在审
发明人：马东阁;陶思哲;杨德志;何果;代岩峰;孙倩;陈江山 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备异质结型钙钛矿光电探测器的方法，包括以下步骤：制备电子传输层；将碘化铅和氯化铅溶于二甲基甲酰胺，N‑甲基甲酰胺和N‑甲基吡咯烷酮的混合溶液中，得到前驱体溶液；在空气气氛中，将前驱体溶液旋涂到电子传输层上PbCl2薄膜；将甲基碘化胺溶液旋涂到PbI2‑PbCl2薄膜上，真空退火后得钙钛矿薄膜；将长链配体溶液旋涂到所述三维钙钛矿薄膜上，真空退火，得钙钛矿异质结薄膜；在钙钛矿异质结薄膜上依次制备空穴传输层、空穴阻挡层和阳极，得到异质结型钙钛矿光电探测器。
一种制备异质结型钙钛矿光电探测器方法

[发明专利]钙钛矿型电解质浆料与薄膜燃料电池及制备方法-CN202210676335.X在审
发明人：汪宝元;张梓豪;董文静;夏晨;王浚英;孙争光 -专利权人：湖北大学;珠海市湖大派诺产业发展研究院
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01M8/126 文献下载
摘要：本发明提供一种钙钛矿型电解质浆料与薄膜燃料电池及制备方法，钙钛矿型电解质浆料，包括含有钙钛矿型晶体结构LaCe1.85Pr0.03钙钛矿型电解质浆料刷涂到阳极基底上，得到电解质层‑阳极层；将阴极浆料刷涂到电解质层‑阳极层上，在400～600℃下进行烧结，得到所述薄膜燃料电池。本发明的电解质材料在中低温区具有优异的离子导电率，所得燃料电池的操作温度可降低至550℃以下。
钙钛矿型电解质浆料薄膜燃料电池制备方法

[发明专利]一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201711280534.4在审
发明人：罗云荣;李曼殊;羊亿;陈国柱;李昭萍;杨红;张晶 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法，其特征在于，所述太阳能电池的结构从下至上依次为透明导电衬底1、P型钙钛矿薄膜2、N型钙钛矿薄膜3、抗反射层4、金属电极5。本发明的优点在于（1）利用同质结钙钛矿薄膜构成太阳能电池充分发挥钙钛矿良好的光吸收性能，避免了载流子在输运过程中由于材料晶格不匹配而复合，提高了载流子迁移率；（2）利用抗反射层疏水增透的作用，一方面增加电池对太阳光的吸收，另一方面有效阻隔金属电极与钙钛矿薄膜之间的物理接触，防止界面电荷复合引发的能量和电荷损失，并有效阻隔空气中的水氧进入导致钙钛矿薄膜降解，从而提高钙钛矿薄膜太阳能电池的稳定性和光电转换效率。
一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池-CN201721683313.7有效
发明人：罗云荣;李曼殊;羊亿;陈国柱;李昭萍;杨红;张晶 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种同质结钙钛矿薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池的结构从下至上依次为：透明导电衬底1、P型钙钛矿薄膜2、N型钙钛矿薄膜3、抗反射层4、金属电极5。本实用新型的优点在于：（1）利用同质结钙钛矿薄膜构成太阳能电池充分发挥钙钛矿良好的光吸收性能，避免了载流子在输运过程中由于材料晶格不匹配而复合，提高了载流子迁移率；（2）利用抗反射层疏水增透的作用，一方面增加电池对太阳光的吸收，另一方面有效阻隔金属电极与钙钛矿薄膜之间的物理接触，防止界面电荷复合引发的能量和电荷损失，并有效阻隔空气中的水氧进入导致钙钛矿薄膜降解，从而提高钙钛矿薄膜太阳能电池的稳定性和光电转换效率。
钙钛矿薄膜太阳能电池同质结本实用新型金属电极抗反射层阻隔载流子光电转换效率载流子迁移率复合光吸收性能材料晶格电荷损失界面电荷输运过程透明导电物理接触钙钛矿太阳光衬底降解疏水水氧增透匹配电池吸收

[发明专利]基于钙钛矿p-i-n结的γ射线探测结构及校正方法-CN202111208865.3在审
发明人：雷威;周建明;朱莹 -专利权人：苏州亿现电子科技有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： G01T1/36 文献下载
摘要：本发明提出基于钙钛矿p‑i‑n结的γ射线探测结构及校正方法，利用逆温溶液结晶法生长超厚本征钙钛矿晶体，作为γ射线光子吸收体，采用外延掺杂生长方法在本征钙钛矿晶体一侧生长p型钙钛矿外延层，在另外一侧生长n型钙钛矿外延层，利用钙钛矿p‑i‑n结抑制暗态电流和噪声，同时采用大尺寸的钙钛矿晶体更多地吸收和转换γ光子，为了克服γ光子入射深度不同引起的探测能量分辨率降低的问题，提出同时测量阴极端和阳极端的探测信号
基于钙钛矿射线探测结构校正方法

[发明专利]一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法-CN202010860334.1有效
发明人：刘孔;王智杰;曲胜春;贾晓皓;孙明飞;任宽宽;黄志涛;吴玉林 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：一种一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法，该一维/二维钙钛矿范德华异质结光电器件包括二维钙钛矿纳米片；一维钙钛矿纳米线，设置在二维钙钛矿纳米片上；范德华异质结，设置在一维钙钛矿纳米线和二维钙钛矿纳米片的接触面上；器件电极，包括第一电极和第二电极，第一电极设置在二维钙钛矿纳米片底部，第二电极设置在一维钙钛矿纳米线上；以及衬底，其上设有第一电极，位于器件底部。本发明两种不同维度的材料形成异质结可以实现不同维度材料中物理效应的耦合与调控；通过结合低维金属卤化物钙钛矿材料和范德华异质结的优点为高性能光电器件制备提供有效手段，此方法可以实现体系中光电性能的灵活调控
二维钙钛矿范德华异质结光电器件及其制作方法

[发明专利]一种高效稳定异质结钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法-CN202310412875.1在审
发明人：卜童乐;李静;黄福志 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10K30/88 文献下载
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域，公开了一种高效稳定异质结钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法。所述电池组件为正式结构或反式结构；若为正式结构，其结构自下而上依次包括导电基底、电子传输层、钙钛矿吸光层、钝化层、空穴传输层和金属电极；若为反式结构，其结构自下而上依次包括导电基底、空穴传输层、钙钛矿吸光层本发明采用大尺寸阳离子和小尺寸阳离子组成的复合钝化剂修饰三维钙钛矿表面，形成均质二维/三维异质结构，有效钝化钙钛矿吸光层表面缺陷，改善钙钛矿吸光层与电荷传输层的界面缺陷，获得高效稳定无迟滞的钙钛矿太阳能电池组件
一种高效稳定异质结钙钛矿太阳能电池组件及其制备方法