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[实用新型]一种自动上下料的硅基铁电压电薄膜制造生产设备-CN202223027924.X有效
发明人：陈雪;颜欢;虞洋;孟相鹏 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自动上下料的硅基铁电压电薄膜制造生产设备，涉及半导体制造设备技术领域，包括支撑部及安装在支撑部上的取片机构、涂覆机构、轨道机构和退火机构，其中取片机构包括升降送料结构和取料结构，升降送料结构上搭载着若干待涂膜硅片，取料结构上设有叉取部，升降送料结构通过升降调节将待涂膜硅片运送至叉取部对应叉取的位置上，方便所述取料结构上的叉取部进行叉取物料。
一种自动上下硅基铁电压电薄膜制造生产设备

[发明专利]键合片的分离装置及其分离方法-CN202311062453.2有效
发明人：张向鹏;王晓宇;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合片的分离装置及其分离方法，涉及半导体芯片制造技术领域。键合片包括支撑衬底和压电材料衬底，压电材料衬底包括余料衬底和薄膜层，薄膜层位于支撑衬底和余料衬底之间，键合片的分离装置用于将余料衬底与薄膜层分离，键合片的分离装置包括分离器、支撑台和压杆，分离器内设有分离腔。支撑台设于分离腔内，支撑台内设置有加热器，支撑台用于支撑键合片，并对键合片加热。压杆可移动的设置于分离器上，压杆包括压头，压头与支撑台相对设置，且压头具有冷却功能，压杆能移动至压头与余料衬底抵接，压头用于对余料衬底施加压力和冷却。使用该键合片的分离装置实现了压电材料衬底的重复利用，降低了成本。
键合片分离装置及其方法

[发明专利]压电陶瓷多致动壁结构的制备方法-CN202010289906.5有效
发明人：冯金磊 -专利权人：北京汽车集团越野车有限公司
申请日： 2020-04-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明提供一种压电陶瓷多致动壁结构的制备方法。该方法包括：采用极化工艺对压电陶瓷片进行处理，得到极化处理后的压电陶瓷片；采用切割工艺对所述极化处理后的压电陶瓷片进行处理，得到具有多致动壁结构的压电陶瓷片；再次采用极化工艺对所述具有多致动壁结构的压电陶瓷片进行处理，得到二次极化处理后的压电陶瓷片；采用镀电极工艺，在所述二次极化处理后的压电陶瓷片的条形致动壁两侧以及所述焊线槽上形成电极，得到具有电极的压电陶瓷片；采用焊线工艺将焊线焊接在所述具有电极的压电陶瓷片的焊线槽中，形成完整的压电陶瓷多致动壁结构。本发明中，解决了压电陶瓷多致动壁结构加工时压电特性受损、电极易脱落和槽宽小导致导线难引出的问题。
压电陶瓷多致动壁结构制备方法

[发明专利]一种复合压电衬底及其制备方法-CN202311055191.7在审
发明人：宋永军;王晓宇;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明提供一种复合压电衬底及其制备方法，属于压电衬底制造技术领域。所述复合压电衬底的制备方法包括如下步骤：对压电晶圆A的抛光面进行离子注入后，得到具有离子注入层的压电晶圆A；将压电晶圆A的离子注入层和压电晶圆B的抛光面进行临时键合，得到第一键合体；对第一键合体进行加热裂片，使第一键合体从离子注入层分离，将压电晶圆A的离子注入层转移至压电晶圆B上，得到第二键合体；将第二键合体的离子注入层与衬底晶圆的抛光面进行永久键合，得到第三键合体；将第三键合体中的离子注入层与压电晶圆B进行解键合后，得到复合压电衬底。本发明中，通过临时键合和解键合的技术方法，提升了压电晶圆的利用率。
一种复合压电衬底及其制备方法

[发明专利]一种可定量调控压电陶瓷圆管表面预应力的纤维缠绕方法-CN202110831759.4有效
发明人：黄世峰;张晓芳;林秀娟;杨长红;程新 -专利权人：济南大学
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明提供一种可定量调控压电陶瓷圆管表面预应力的纤维缠绕方法，包括表面预应力的分解和计算，缠绕部件的组装与调整，压电陶瓷圆管性能的测量、计算和比较，缠绕完成的固定机制。本发明可以利用纤维胶带重复进行缠绕，实现压电陶瓷圆管表面预应力的定量调控，具备成本低、方法简单、调控准确、适用范围大等优势。
一种定量调控压电陶瓷圆管表面预应力纤维缠绕方法

[发明专利]基于d15-CN202211687980.8有效
发明人：耿文平;丑修建;乔骁骏;张慧毅;李晓黄 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于d15和d22的叉指型压电振动传感器及制备方法，通过将铌酸锂和硅基片在低温条件下键合在一起，再进行减薄和抛光工艺；在铌酸锂表面通过溅射和剥离工艺制备叉指电极；此后，在铌酸锂表面刻蚀压电悬臂梁和质量块；在硅基片背面进行空腔和器件释放从而完成压电振动传感器件的制备。本发明制备的压电振动传感器通过差分电荷的形式进行电荷采集，极大地改善了矩形悬臂梁应力分布不均匀导致的的电荷分布不均匀问题，制造工艺简单，成品率高和重复性好，适用于宽频高加速度的测试环境中，对于极端环境中振动信号采集具有很好的应用价值。
基于 base sub 15

[发明专利]高密度多极化薄膜压电装置及其制造方法-CN202080031793.7有效
发明人：布莱恩·毕考肖;桑迪普·阿卡拉杰 -专利权人：艾科索成像公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：公开了具有改进的封装密度的多极化压电装置，以及用于制造此类具有改进的封装密度的多极化压电装置的方法。所述多极化压电装置包括：a)制造在基板上的顶部电极、压电层和底部电极；b)通过蚀刻所述压电层、所述顶部电极或两者而生成的过孔；以及c)放置在以下一个或多个之上的再分布层(RDL)：所述顶部电极、所述压电层、所述底部电极或一个或多个过孔。
高密度多极化薄膜压电装置及其制造方法

[发明专利]一种鞘材料裹覆与加捻的人工肌肉的制作装置及方法-CN202210132607.X有效
发明人：胡兴好;周童;王英明;丁建宁;程广贵 -专利权人：江苏大学
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明属于人工肌肉型柔性驱动器的制备和应用领域，特别涉及一种鞘材料裹覆与加捻的人工肌肉的制作装置及方法。本发明通过控制三组电机的协调运转来实现鞘‑芯人工肌肉加捻和鞘材料裹覆两项工作分步进行，实现了鞘‑芯人工肌肉的自动化制作。本发明简化了鞘‑芯人工肌肉的制备流程，提高了鞘‑芯人工肌肉的制作效率，同时实现了鞘‑芯人工肌肉的参数可控。本发明有望促进鞘芯人工肌肉以及鞘芯结构材料的自动化生产。
一种材料加捻人工肌肉制作装置方法

[发明专利]等离子体蚀刻-CN202211540803.7在审
发明人： A·伍德;K·里德尔;H·阿什拉夫 -专利权人： SPTS科技有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及等离子体蚀刻。根据本发明，提供一种等离子体蚀刻含添加剂的氮化铝膜的方法，其包括在时间段t内通过掩模等离子体蚀刻含有选自Sc、Y或Er的添加元素的含添加剂的氮化铝膜，其中形成于气态氛围中的等离子体具有相关联的气体压力，同时将RF偏压功率施加到所述含添加剂的氮化铝膜；其中在大部分的所述时间段t内减小所述气体压力和/或增加所述RF偏压功率，使得所述等离子体蚀刻在大部分的所述时间段t内变得更不具化学性且更具物理性。
等离子体蚀刻

[实用新型]一种压电陶瓷片的精密粘接装置-CN202223315079.6有效
发明人：凌高本;高欣亮;李晓云;高梦祎;孙增祥;钟绵利 -专利权人：永欣电子科技股份有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本申请公开一种压电陶瓷片的精密粘接装置，其包括：覆胶机构和移动机构，覆胶机构包括胶模和限位件，胶模开有胶槽，胶槽与压电陶瓷片的端面轮廓对应，胶槽用于容纳胶水，限位件位于胶模开有胶槽的一侧，限位件沿胶槽深度方向延伸的长度小于压电陶瓷片的厚度；移动机构用于使压电陶瓷片的一个端面朝向胶槽进行往复移动，移动机构具有与压电陶瓷片另一个端面持平的抵接面，抵接面能够与限位件抵接。通过设置限位件，可以精密控制压电陶瓷片端面上的胶层的厚度，在压电陶瓷片表面形成精密度高的薄胶层。
一种压电陶瓷精密装置

[发明专利]一种多孔压电驻极体的制备方法-CN202211587549.6有效
发明人：曹祖杨;黄铖栋;朱叶花;陈晓丽;张永全;闫昱甫;陶慧芳 -专利权人：杭州兆华电子股份有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明属于驻极体技术领域，具体说是一种多孔压电驻极体的制备方法，包括如下步骤：S1.提供驻极体材料分散液；S2.将驻极体材料分散液涂覆于背极板上；S3.将涂覆有驻极体材料分散液的背极板的容器内，控制特定温度、压力下，维持16min至25min；S4.将温度降低至驻极体材料的熔点温度之下，在压力P2下保持10min至30min；S5.使容器内压力快速释放P2等于P1；S6.控制容器内温度，维持20min至25min，让驻极体材料内部的微孔定型；S7.产品冷却后，得到多孔压电驻极体。本发明通过分散液在背极板上成膜的同时，对薄膜进行微孔成型，同时可以避免生成过程中高温造成材料分解，保证驻极体储电性能。
一种多孔压电驻极体制备方法

[发明专利]指纹识别模组、其制作方法及电子设备-CN202211450846.6在审
发明人：钟金峰 -专利权人：业泓科技（成都）有限公司;业泓科技股份有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本申请涉及一种指纹识别模组、其制作方法及电子设备，指纹识别模组的制作方法包括以下步骤：制备指纹识别传感器，指纹识别传感器包括金属层；在金属层的一侧制备树脂层；在树脂层背离金属层的一侧向树脂层照射光束；其中，树脂层包括覆盖金属层的覆盖区；金属层配置为用于将入射至覆盖区的光束反射，以使反射的光束自金属层的表面再次入射至覆盖区。该指纹识别模组的制作方法能够改善指纹识别模组的湿式制程中涂布不精确的问题。
指纹识别模组制作方法电子设备

[发明专利]一种单晶磁性/铁电多层膜异质结及制备方法和应用-CN202011138507.5有效
发明人：李振冲;詹清峰;程文娟;蒋冬梅 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶磁性/铁电多层膜异质结及制备方法和应用，该多层膜异质结由下至上依次为单晶铁电衬底、单晶缓冲层、单晶磁性层以及保护层。在衬底与磁性层间插入缓冲层能间接减小衬底与磁性层间的晶格失配，从而在单晶铁电衬底上外延生长单晶磁性层。将电场发生装置与多层膜异质结连接，对铁电衬底施加大小和方向可控的电场，铁电衬底由于逆压电效应产生应力，该应力经由氧化物缓冲层传递至磁性层，磁性层由于逆磁致伸缩效应或磁性转变效应产生相应的磁性响应。通过改变所施加电场的大小和方向，可以实现电场对磁性的调控，大大减小器件的能耗。
一种磁性多层膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种利用几何结构放大电驱动变形的方法-CN202211377163.2在审
发明人：谢涛;张铖宬;赵骞 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用几何结构放大电驱动变形的方法，包括如下步骤：(1)制备可在电场的作用下进行驱动的材料，且驱动方向由电场方向所决定；(2)将步骤(1)制备的材料加工成具有一定三维几何形状的三维驱动器；(3)在步骤(2)制备的三维驱动器上涂覆电极后进行电驱动，得到变形放大后的三维驱动器。本发明提供的方法大大降低了驱动电压，增加了应用的安全性；同时，不需要额外处理即可得到可控的面外变形；另一方面，通过简单的加工处理手段得到三维驱动器，即可显著放大变形，大大拓宽了应用领域。
一种利用几何结构放大驱动变形方法

[实用新型]用于压电薄膜成卷极化设备-CN202222511549.X有效
发明人：惠国政;周长阳;刘越;管涛;胡志军 -专利权人：三三智能科技（日照）有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：用于压电薄膜成卷极化设备，涉及PVDF压电薄膜极化技术领域，特别是涉及一种用于压电薄膜成卷极化设备。包括支撑架，支撑架上设置有第一凸起端和第二凸起端，支撑架由左至右依次设置有放卷动力辊、第一极化区、第二极化区、第三极化区和收卷动力辊；放卷动力辊和收卷动力辊均与其连接的驱动电机同轴转动；第一极化区、第二极化区和第三极化区均设置有一组极化板、一个加热辊和两个支撑辊，且第一极化区位于支撑架的第一凸起端，第三极化区位于支撑架的第二凸起端；极化板的两侧对称设置有支撑辊，左侧支撑辊的左侧设置有加热辊。本实用新型具有工艺简单，操作方便，且能够提升压电薄膜压电性能，极化更加充分的积极效果。
用于压电薄膜极化设备

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