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[发明专利]纳米突起表面形成方法及具有通过该方法形成的纳米突起表面的母材-CN201780048666.6有效
发明人：李相老;金允焕;徐在亨;金技薰;李智英 -专利权人： (株)SEP
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及纳米突起形成方法及具有通过该方法形成的纳米突起表面的母材，其特征在于，在不使用纳米掩模(mask)的情况下，通过使用酸溶液的湿式蚀刻工序来形成包括具有数nm～数十nm的宽度的纳米突起的抗反射层和
纳米突起表面形成方法具有通过

[发明专利]采用间隔的纳米棒和共晶合金的低温焊接-CN201680054605.6在审
发明人： S·P·斯塔贡;H·黄;P·R·艾利奥特 -专利权人：东北大学;北佛罗里达大学董事会
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：通过使第一纳米棒和第二纳米棒与对应的第一表面和第二表面粘附而形成粘结表面。在第一纳米棒上形成第一外壳并在第二纳米棒上形成第二外壳，其中第一纳米棒和第二纳米棒中的至少一种以及第一外壳和第二外壳由不同金属形成。所述表面其后暴露于导致所述不同金属形成合金(例如，熔点低于合金形成时的温度的共晶合金)的至少一种条件，由此在合金固化后使所述表面粘结。
纳米棒共晶合金合金金属形成合金熔点表面粘结低温焊接第二表面第一表面金属形成粘结表面固化粘附暴露

[发明专利]在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法-CN201110285898.8有效
发明人：叶晓峰;刘丽萍;吴宏文;孔婧琳;陆祖宏;刘全俊;易红 -专利权人：东南大学
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明涉及在纳米孔表面和孔内制备纳米间隙电极的方法，可以实现二维双通道同时检测分子过孔的信号变化，提高纳米孔测序的精确度。所述在纳米孔表面制备纳米间隙电极的方法是：在基材表面形成线宽度为微米级金属线，将金属线刻蚀成线宽度为纳米级，然后在对应于纳米级线宽的金属线位置，在基材上刻蚀出贯穿的纳米孔，同时蚀断金属线，从而直接在纳米孔孔口形成表面纳米间隙电极作为本发明的改进，在基材表面形成线宽度为微米级金属线，将金属线刻蚀至线宽度为10-50nm，然后在金属线上刻蚀，形成相对的电极，并在基材上对应于纳米间隙的位置刻蚀出贯穿的纳米孔，最后使金属线向纳米孔边缘生长，从而在纳米孔孔口形成表面纳米间隙电极。
纳米表面制备间隙电极方法

[发明专利]使用复制的图案化外形和自组装单层的微加工-CN200680029400.9有效
发明人：庆·P·阮;马修·H·弗雷;张海燕;张俊颖 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：公开了一种选择性地和化学地将金属沉积在具有金属图案化的纳米结构表面上的方法。所述方法包括提供具有图案化的纳米结构表面的工具，所述图案化的纳米结构表面具有的表面区域具有纳米结构化表面，将所述工具图案化的纳米结构表面复制到基底上以形成基底图案化的纳米结构表面，在所述基底图案化的纳米结构表面上设置金属层形成金属图案化的纳米结构表面区域，在所述金属图案化的纳米结构表面区域上形成自组装单层，将所述自组装单层暴露于包含沉积金属的化学镀溶液中，然后将所述沉积金属选择性地化学沉积在具有金属纳米结构化表面的表面区域上。本发明还公开了由该方法形成的制品。
使用复制图案化外组装单层加工

[发明专利]一种具有纳米结构表面的硅材料及其制作方法-CN201110302908.4无效
发明人：伊福廷 -专利权人：中国科学院高能物理研究所
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有纳米结构表面的硅材料及其制作方法。该硅材料包括：具有一定厚度的硅片；以及刻蚀该硅片表面而形成的柱状硅纳米结构。该方法包括：在硅片表面进行真空氯化铯镀膜，并利用氯化铯纳米岛光刻技术在硅片表面形成氯化铯纳米岛结构；利用反应离子刻蚀将氯化铯纳米岛结构转移到硅片表面，在硅片表面形成柱状硅纳米结构；去掉柱状硅纳米结构顶部的氯化铯，形成具有纳米结构表面的硅材料。本发明采用氯化铯纳米岛自组装技术完成原始纳米结构，具有低成本和较强的工艺适应性能，并能够在不同硅表面上生长和完成，便于推广和应用。
一种具有纳米结构表面材料及其制作方法

[发明专利]一种制造纳米电容器的方法-CN201210205760.7有效
发明人：杨亚杰;蒋亚东;徐建华;杨文耀;李世彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种制造纳米电容器的方法，包括：在基片上形成至少一层金属纳米粒子层；在该至少一层金属纳米粒子层中的金属纳米粒子表面形成介电材料层；在介电材料层上沉积聚合物复合材料以形成聚合物复合材料层本发明实施例中，在基片上形成金属纳米粒子层，然后在基片上的金属纳米粒子的表面形成介电材料层，然后再在该介电材料层的表面形成聚合物复合材料层，这样形成了金属纳米粒子-介电材料层-聚合物复合材料层结构的纳米电容器这样形成的金属纳米粒子层的金属纳米粒子密度高，比表面积大，因此形成的纳米电容器能量密度高，而且可以实现大面积纳米电容器阵列。
一种制造纳米电容器方法

[发明专利]纳米线场效应晶体管及其形成方法-CN201510381726.9在审
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种纳米线场效应晶体管及其形成方法，其中所述纳米线场效应晶体管形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干悬空的纳米线；形成包围所述纳米线伪栅极结构；形成覆盖所述半导体衬底和伪栅极结构的介质层，所述介质层的表面与伪栅极结构的表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成暴露出纳米线表面的凹槽；回刻蚀去除位于凹槽内的部分厚度的纳米线；在所述去除部分厚度后的纳米线表面上外延生长形成半导体沟道层；在所述半导体沟道层的表面上形成高K栅介质层；在所述高K栅介质层上形成金属栅电极，所述金属栅电极包围纳米线。本发明的方法形成的纳米线场效应晶体管的阈值电压波动减小。
纳米场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]纳米图形化中凸起效应的去除-CN200910161803.4有效
发明人：申采浩;田仁秀;金廷九 -专利权人：首尔大学校产学协力团
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及纳米图形化中凸起效应的去除，并且提供了一种不具有凸起的纳米结构和制造所述纳米结构的方法。所述方法包括：在聚合物表面上形成纳米图形，使具有纳米图形的聚合物表面与预定溶剂接触，和向与溶剂接触的聚合物的表面施加外部刺激以去除纳米图形形成过程中在纳米图形周围形成的凸起。因此，可以以低成本和简单的方式，去除形成有纳米图形的纳米结构中的凸起。
纳米图形凸起效应去除

[发明专利]纳米针阵列及其制备方法和应用-CN202010662482.2有效
发明人：杨扬;史鹏;张文军 -专利权人：深圳市安瑞生物科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米针阵列及其制备方法和应用。本发明纳米针阵列制备方法包括的步骤有：在基底表面上形成待刻蚀基材膜层；在所述待刻蚀基材膜层表面形成用于刻蚀纳米针阵列的掩膜层；从所述掩膜层至所述基底的方向，对形成有所述掩膜层的所述待刻蚀基材膜层表面进行第一刻蚀处理，形成纳米柱阵列；对所述纳米柱阵列中的纳米柱的顶端进行第二刻蚀处理，在所述纳米柱顶端形成尖端结构，形成纳米针阵列。所述纳米针阵列所含的纳米针包括纳米针本体，在所述纳米针本体的针头部为尖端结构。
纳米阵列及其制备方法应用

[发明专利]在碳纳米管表面形成缺陷的方法-CN201010617897.4有效
发明人：王雪深;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在碳纳米管表面形成缺陷的方法，其包括如下步骤：提供一基底；将至少一第一碳纳米管设置在该基底的一表面；将至少一第二碳纳米管与所述至少一第一碳纳米管交叉且接触设置，所述第二碳纳米管的半径大于所述第一碳纳米管的直径；在该基底的表面沉积一掩膜层，所述掩膜层的厚度大于所述第一碳纳米管的且直径小于所述第二碳纳米管的半径；对沉积有掩膜层的基底进行刻蚀，去除所述第二碳纳米管且在所述第一碳纳米管与所述第二碳纳米管接触的部位形成至少一缺陷
纳米表面形成缺陷方法

[发明专利]表面改质的纳米钻石与其形成方法-CN201010246164.4无效
发明人：辛玉麟;曾莞琇;苏庭瑶 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C01B31/06 文献下载
摘要：本发明公开了表面改质的纳米钻石与其形成方法。本发明涉及一种纳米钻石表面接枝高分子技术，进而达到改质及分散相关应用。该技术方法特点不仅单步骤、一锅化、成本低和效率高，因此深具工业化潜力。本发明亦提供石墨化单晶纳米钻石与多晶纳米钻石的方法。如此一来，高分子接枝改质的技术除了可应用于超分散钻石外，亦可进一步应用于表面石墨化之单晶纳米钻石与表面石墨化之多晶纳米钻石。
表面纳米钻石与其形成方法

[发明专利]一种金属工件的表面处理方法-CN201910966232.5有效
发明人：徐雄勋 -专利权人：深圳市虹喜科技发展有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B23H7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属工件的表面处理方法，属于金属表面改性领域，步骤如下：1)制备无机纳米颗粒；2)在无机纳米颗粒表面形成金属层；3)将分散剂溶解在去离子水中，之后加入含有金属层的无机纳米颗粒，以通过分散剂对无机纳米颗粒进行表面改性使得无机纳米颗粒形成带电粒子，并且均匀的分散在去离子水中；4)加入乳化液，形成改性液；5)将改性液添加到金属工件间隙中，用脉冲电源施加外电场，使得带电纳米粒子迁移到金属工件表面；6)改性液被脉冲电源击穿，迁移到金属工件表面的纳米粒子的外层金属被熔化，将无机纳米颗粒固定在工件表面，在工件表面形成增强层。
一种金属工件表面处理方法

[发明专利]一种具有三维微纳米结构表面的载体及其制备方法和应用-CN201310058808.0有效
发明人：朱劲松;李少鹏;宋炉胜;周文菲;郭碧红;王艳梅 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有三维微纳米结构表面的载体及其制备方法和应用，包括基底和与其连接的高分子三维微纳米结构表面层，所述高分子三维微纳米结构表面层的微纳米结构的尺度为100nm~100μm，所述高分子三维微纳米结构表面层的厚度为10nm~1μm，所述高分子三维微纳米结构表面层通过包括以下步骤的方法制得先在基底上进行微纳米加工形成具有微纳米结构的引发剂层，然后添加可聚合单体混合液形成高分子三维微纳米结构表面层；或先在基底上形成引发剂层，然后添加可聚合单体混合液，并在高分子膜层形成的过程中进行微纳米加工；或先在基底上形成高分子膜层，然后对高分子膜层进行微纳米加工。
一种具有三维纳米结构表面载体及其制备方法应用

[发明专利]一种纳米碳材料的制备方法-CN202011169018.6在审
发明人：黄泓磷 -专利权人：泰州利广瑞新材料科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： C04B28/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米碳材料的制备方法，该方法包括：将纳米碳颗粒进行粉碎形成纳米碳粉末；将纳米碳粉末与粘接剂混合并形成纳米碳混合物；将纳米碳混合物导入成型模具内成型，形成纳米碳材料；干燥该纳米碳材料，并对该纳米碳材料进行表面处理；形成该纳米碳材料。使用本发明的纳米碳材料的制备方法时，可将纳米碳颗粒进行粉碎形成纳米碳粉末，然后将纳米碳粉末与粘接剂混合并形成纳米碳混合物，将纳米碳混合物导入成型模具内成型，形成纳米碳材料，干燥所述纳米碳材料，并对所述纳米碳材料进行表面处理，即可形成所述纳米碳成型材料。通过增加粘接剂的方式，可一定程度上提高纳米碳成型材料的强度。
一种纳米材料制备方法

[发明专利]一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法-CN201210330312.X有效
发明人：黄小辉;周德保;杨东;黄炳源;康建;梁旭东 -专利权人：马鞍山圆融光电科技有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：一种纳米柱阵列化合物半导体器件的自组装制备方法，包括如下步骤：（1）在导电衬底表面预通入一层金属源反应物；（2）实施退火形成金属岛状颗粒；（3）通入III族和V族反应物，外延生长半导体纳米柱阵列；（4）使半导体纳米柱侧向生长加快，并在源物质中掺入N型杂质，形成表面为N型的半导体纳米柱阵列；（5）在纳米柱表面以及纳米柱之间的导电衬底暴露表面上沉积一层绝缘层，并使用刻蚀液刻蚀纳米柱侧壁上的绝缘层；（6）在纳米柱表面形成纳米柱阵列器件；（7）在纳米柱阵列之间填充导电物质，形成电极层；（8）在电极层中制作P型电极，导电衬底上制作N型电极。
一种纳米阵列化合物半导体器件组装制备方法

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