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[发明专利]一种铜蚀刻液组合物-CN202211620268.6在审
发明人：王维康;黄德新;吴际峰;张家明;操岳峰;许磊 -专利权人：合肥中聚和成电子材料有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜蚀刻液组合物，具体涉及液晶面板加工中铜线路蚀刻技术领域。按组合物的质量100％计，其由10‑30％双氧水、0.01‑1％双氧水稳定剂、0.1‑2％酸、0.1‑2％缓蚀剂、0.5‑5％螯合剂、0.1‑3％表面活性剂、其余为水组成。有益效果：本发明的铜蚀刻液配方提高了铜蚀刻液使用的安全性，为铜蚀刻液的配方升级到更高的使用寿命提供了解决方法，同时此配方体系使用的添加剂都有大规模市场化，成本低，适合大规模使用。
一种蚀刻组合

[实用新型]一种酸性蚀刻液铜回收再生设备-CN202223044191.0有效
发明人：罗万里;朱厦晖 -专利权人：深圳市前程锦环保科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种酸性蚀刻液铜回收再生设备，包括底座，所述底座下端左部和下端右部均固定安装有一组支撑柱，两组所述支撑柱呈左右对称分布且每组设置为两个，所述底座上端左部固定安装有搅拌组件，所述底座上端右部和上端中部均固定安装有一组支柱本实用新型所述的一种酸性蚀刻液铜回收再生设备，通过设置搅拌组件，首先将酸性蚀刻液和添加剂从注入管注入混合桶内，并由电机带动转动柱，通过转动柱带动连接盘，再由连接盘带动搅拌架，使添加剂和酸性蚀刻液便于混合处理
一种酸性蚀刻回收再生设备

[发明专利]使用碳氢化合物添加剂来消除在蚀刻有机低K电介质期间的微掩蔽-CN02808152.8无效
发明人： C·W·何 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2002-02-07 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：提供一种用于蚀刻集成电路晶片中的特征的方法，该晶片结合有至少一个电介质层。通常，晶片设置在反应室中。包括碳氢化合物添加剂和活性蚀刻剂的蚀刻剂气体流入反应室。由反应室中的蚀刻剂气体形成等离子体。在电介质层的至少一部分中蚀刻特征。适合的几种碳氢化合物源适合于实施本发明。
使用碳氢化合物添加剂消除蚀刻有机电介质期间掩蔽

[发明专利]一种碱性防眩光玻璃蚀刻药液及蚀刻工艺-CN202011505748.9在审
发明人：贡浩飞 -专利权人：安徽普恒光学材料有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种碱性防眩光玻璃蚀刻药液及蚀刻工艺，所述蚀刻药液的原料重量配比是：氟化钾10‑25份，表面活性添加剂1‑6份，葡萄糖酸钠3‑20份，柠檬酸钠1‑10份，氢氧化钠20‑50份，余量为水。本发明提供的碱性蚀刻液更加环保，相对于酸性蚀刻液，碱性蚀刻生产过程中不产生废气，产生废水少，极大的降低了操作人员的安全风险，可替代传统的酸性蚀刻液和蚀刻工艺。
一种碱性眩光玻璃蚀刻药液工艺

[发明专利]用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法-CN201110334725.0有效
发明人：徐宗铉 -专利权人：普兰西公司
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了用于蚀刻导电多层膜的蚀刻剂组合物和使用其的蚀刻方法。该蚀刻剂组合物包含基于所述组合物总重量的50-80重量％的磷酸、0.5-10重量％的硝酸、5-30重量％的乙酸、0.01-5重量％的咪唑，并且余量为水。该多层膜可使用该蚀刻剂组合物以高效且有利的方式蚀刻。此外，可以批量方式同时蚀刻该多层膜的构成层。咪唑是充当Cu/Mo原电池反应控制剂的添加剂。
用于蚀刻导电多层组合使用方法

[发明专利]一种离线型酸性蚀刻液电解提铜再生系统及再生工艺-CN202211666199.2在审
发明人：徐麟;陶少龙 -专利权人：苏州必邦环保科技有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明公开一种离线型酸性蚀刻液电解提铜再生系统及再生工艺，本工艺通过使用一种含铁基添加剂配方的酸性蚀刻液，再配合离线型酸性蚀刻液电解提铜再生系统的功能设置，和各部件的工艺参数设置，很好地实现了蚀刻废液离线的再生，循环利用，无需和蚀刻生产线直接连接，有效抑制电解过程中产生氯气，实现蚀刻液的百分百循环利用，无增量，实现清洁生产。
一种离线酸性蚀刻电解再生系统工艺

[发明专利]酸性蚀刻液电解多组分添加剂-CN201410309155.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市新锐思环保科技有限公司
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种酸性蚀刻液电解多组分添加剂，由以下成份按照质量配比组成光亮剂和整平剂1~3%；表面活性剂5~10%；溶剂87~96%。本发明提供的添加剂，在光亮剂和整平剂协同作用下，能显著增大阴极铜极化作用，通过吸附作用阻化铜电沉积过程，影响铜晶体生长，使铜电积层晶粒显著细化，同时电解液分散能力增大，降低低电流区电阻，帮助低电流区的铜增长，改善低电流区的光亮度和平整性；而表面活性剂降低金属基体的表面张力，使添加剂易于吸附，且增加溶液分散性，溶液分布均匀，减少阴极铜分支及颗粒凸点产生。因此，在添加剂的光亮剂和整平剂以及表面活性剂的作用下，产生的阴极铜成板状、光亮性好、结构致密平整，纯度高。
酸性蚀刻电解组分添加剂

[发明专利]一种铜镍金结构的铜种子层蚀刻液及其应用-CN202011053021.1在审
发明人：高晓义;胡杭剑 -专利权人：上海飞凯材料科技股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镍金结构的铜种子层蚀刻液，所述蚀刻液包含氧化剂5～50wt％、羧基化合物1～40wt％、螯合剂0.01～15wt％、添加剂0～0.01wt％，以及去离子水。本发明还提供了一种如上所述的铜镍金结构的铜种子层蚀刻液在晶圆蚀刻中的应用，尤其是铜镍金结构的晶圆蚀刻，该蚀刻液对镍、金等金属损伤极小，对铝有很高保护能力，铜镍结合处的侧向腐蚀量低，铜柱的底切量低，在使用期限内蚀刻速率稳定，蚀刻均匀度高。
一种铜镍金结构种子蚀刻及其应用

[发明专利]一种高容硅量磷酸基蚀刻液及其配制方法-CN201911089671.9在审
发明人：李少平;郝晓斌;冯凯;贺兆波;张庭;王书萍;尹印;万杨阳;张演哲;蔡步林 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种高容硅量磷酸基蚀刻液及其配制方法。一种高容硅量磷酸基蚀刻液，其主要成分包括占蚀刻液总重量50‑88%的磷酸、0.005‑1.5%的有机硅化合物、0.005‑2%的有机硅稳定剂、0.005‑2%的表面活性剂、0.005‑3%的Si增容剂，本发明通过使用新型的添加剂与稳定剂的成分及类型。明显降低了蚀刻液对SiO2层的蚀刻，并且抑制了SiO2层的增厚，提高了蚀刻液的容硅量，延长了蚀刻液的使用寿命。显著提高了Si3N4/SiO2的蚀刻选择比。
一种高容硅量磷酸蚀刻及其配制方法

[发明专利]一种消除电解铜箔异常粗化结晶的复合添加剂-CN201910437634.6在审
发明人：薛伟;杨祥魁;徐策;谢锋;王学江;孙云飞;宋佶昌;孟继智;王其伶;张艳卫;王先利 -专利权人：山东金宝电子股份有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： C25D1/04 文献下载
摘要：本发明属于高精电解铜箔制造技术领域，尤其涉及一种消除电解铜箔异常粗化结晶的复合添加剂。本发明复合添加剂中的无机物‑‑盐酸和过氧化氢溶液会在生产过程中自然消耗，有机物—羟乙基纤维素和磺酸盐只需要少量活性炭即可清除残留，操作简单，过程控制稳定；在粗化镀液中添加本发明的复合添加剂，可以有效消除异常粗化结晶，形成理想的粗化粒子层，消除铜箔在下游PCB的蚀刻残铜风险；极大地延长粗化镀液的使用寿命，从而减少停机维护时间，同时降低废液处理成本。本发明的添加剂中不使用有毒有害化合物，安全环保，同时不会影响铜箔的各项性能指标，对电解铜箔毛箔和“粗化粒子层”模式没有特殊限制，具有广泛适用性。
粗化复合添加剂电解铜箔粒子层镀液铜箔废液处理成本高精电解铜箔过氧化氢溶液羟乙基纤维素无机物蚀刻活性炭安全环保过程控制生产过程使用寿命磺酸盐有机物残铜停机盐酸添加剂残留消耗制造维护

[发明专利]一种碱性蚀刻废液回收再生装置-CN201310724283.X在审
发明人：张逸 -专利权人：张逸
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本发明提供了一种碱性蚀刻废液回收再生装置，包括依次连接的蚀刻废液智能存储缸、离子膜电解槽、再生液中转缸、配液槽、再生子液存储槽以及过滤槽，所述智能存储缸设置有液位感应器、液位报警器以及搅拌马达，所述离子膜电解槽还连接有循环冷却槽，所述配液槽还连接有添加槽，所述添加槽包括分别与配液槽连通的液氨补给槽、氯化氨补给槽以及添加剂补给槽，所述过滤装槽设置有再生液排出口。本发明通过直接电解回收再生碱性蚀刻废液装置,该装置在不破坏蚀刻液的同时，又可高效回收铜。
一种碱性蚀刻废液回收再生装置

[发明专利]一种PERC电池的加工方法-CN201910916276.7在审
发明人：邵玉林;陶俊;张三洋 -专利权人：无锡琨圣科技有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种PERC电池的加工方法，包括背蚀刻工艺，背蚀刻工艺包括以下步骤S1：预处理，通过采用KOH和H2O2预清洗去除硅片表面脏污；S2：漂洗，采用纯水对硅片进行漂洗；S3：碱背抛，采用强碱和碱背抛添加剂，碱背抛添加剂能够进一步抑制KOH和正面PSG反应，加速KOH与背面硅进行刻蚀；S4：后清洗，清洗添加剂残留；S5：酸洗，采用HF和HCL的混合溶液进行清洗；S6：漂洗，采用纯水对硅片进行漂洗；S7：慢提拉
漂洗硅片清洗蚀刻工艺烘干提拉添加剂预处理强碱清洗添加剂电池效率硅片表面混合溶液磷硅玻璃水温设置工艺流程氮排放预清洗刻蚀去除热氧酸洗脏污整合生产成本背面残留电池加工

[发明专利]胶体二氧化硅生长抑制剂以及相关的方法和系统-CN201780026802.1有效
发明人：安东尼奥·L·P·罗通达龙;华莱士·P·普林茨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： C09K13/04 文献下载
摘要：在一个实施方案中，所公开的技术包括使用胶体二氧化硅生长抑制剂作为用于氮化硅蚀刻的磷酸溶液中的添加剂。在一些实施方案中，所述添加剂可以具有可以含有强阴离子基团的化学品。提供了用于控制磷酸溶液中待使用的添加剂浓度以及二氧化硅浓度的方法和装置的技术。本文所述的技术提供了相对于二氧化硅的高选择性氮化硅蚀刻，而不使胶体二氧化硅沉积物在暴露的表面上生长。
胶体二氧化硅生长抑制剂以及相关方法系统

[发明专利]一种电镀液以及压延铜箔的表面黑色处理方法-CN201711390055.8有效
发明人：刘新宽;刘平;陈小红;张宁;李伟;马凤仓;何代华;张柯 -专利权人：上海理工大学
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C25D3/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种电镀液，具有这样的特征，包括：Ni²⁺、Co²⁺、络合剂、缓冲剂、第一添加剂以及第二添加剂，其中，Ni²⁺的浓度为40～100g/L，Co²⁺的浓度为30～80g/L，络合剂的浓度为32～68g/L，缓冲剂的浓度为20～40g/L，第一添加剂的浓度为0.01～2.5g/L，第二添加剂的浓度为0.01该电镀液中没有任何含氰黑化剂等有毒物质，所以解决了含氰电镀液的环保难题。本发明提供了一种使用上述电镀液对压延铜箔的表面进行黑色处理的方法。压延铜箔经过该方法处理后，表面具有良好的耐酸性，耐碱性，耐焊性，和蚀刻性，具有良好的消光作用。
一种电镀以及压延铜箔表面黑色处理方法

[发明专利]相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂,其使用方法和形成的结构-CN01812321.X有效
发明人： K·Y·郭;L·李;G·T·布莱洛克 -专利权人：微米技术股份有限公司
申请日： 2001-07-05 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种包含C2HxFy蚀刻剂，其中x是2－5的整数，y是1－4的整数，x+y等于6。该蚀刻剂能以相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅的选择性蚀刻掺杂的二氧化硅。因此，在使用含C2HxFy的蚀刻剂的干蚀刻法中，可使用未掺杂二氧化硅和氮化硅作为蚀刻终止层。C2HxFy可用作主蚀刻剂或用作另一种蚀刻剂或蚀刻剂混合物中的添加剂。还公开了包括按照本发明方法使用本发明蚀刻剂进行图形化的结构的半导体器件(10)。
相对于掺杂二氧化硅氮化选择性蚀刻使用方法形成结构